赛米控电子股份有限公司专利技术

赛米控电子股份有限公司共有336项专利

  • 用于降低功率电子系统中的干扰辐射的装置,具有功率半导体模块或具有至少一个功率半导体模块的布置,具有带有地电位的第一模制体、至少两个布置在装置内部的不同极性的直流负载连接元件,用于将功率半导体器件与配属的用于装置的外部连接的接头元件连接起...
  • 在用于在载体(2)上制造多个集成半导体构件(8)的方法中,将有源的基本结构(4)以连续的、至少越过要制造的半导体构件(8)的一部分边界(10)的方式加工到载体(2)中,将半导体构件(8)的区域在载体(2)上确定,在每个半导体构件(8)的...
  • 一种具有连接装置和内部接头元件的功率半导体模块,功率半导体模块具有至少一个功率半导体部件,功率半导体模块具有与功率半导体部件相接触的、由层复合体组成的连接装置,层复合体由至少一个面向功率半导体部件的、构成至少一个第一导体带的第一导电层和...
  • 本发明涉及一种半导体系统,尤其是功率半导体系统,其中具备设有触点(10)的上侧的半导体(2、4、11、12)与由箔片复合体(7、8、9)形成的电连接装置(6)相连接,其中,在电连接装置(6)与半导体(2、4、11、12)上侧之间设置有底...
  • 本发明涉及一种半导体模块,特别是功率半导体模块,在所述半导体模块中,与衬底(1)连接的半导体元件(2)被以电绝缘浇铸料(4)包铸。为了改善半导体元件(2)的散热,浇铸料(4)具有由陶瓷前驱体聚合物形成的基质。
  • 本发明涉及一种用于接纳至少一个元件的衬底以及制造衬底的方法,所述元件(3)特别是指功率半导体,在所述衬底中,由电绝缘材料制成的衬底主体(1)在至少一个前侧和/或在相对置的背侧上设有导电层(2)。为了对具有高热导率λ的衬底的制造进行简化而...
  • 本发明涉及一种用于接纳至少一个元件的衬底及制造衬底的方法,所述元件(4)特别是指功率半导体,在衬底中,衬底主体(1)至少在前侧和/或相对置的背侧上设有导电层(3、3a、3b)。为了改善电导层(3、3a、3b)的导热性而根据本发明提出:在...
  • 介绍了一种功率半导体模块(10),所述半导体模块(10)具有衬底(12)、壳体(14)和桥元件(16)。壳体(14)可以固定在冷却结构件上。桥元件(16)布置在壳体内并且以推压元件(32)向衬底(12)推压。此外,桥元件(16)为了定位...
  • 本发明涉及一种具有主支座和一电路板的布置结构。在电路板上固定有轻的电气和/或电子的构件和重的电气和/或电子的构件,其中至少一个重的构件机械固定地与主支座以及导电地与电路板的一第一部分的导体线路相连接。所述第一部分导电地与电路板的一第二部...
  • 本发明涉及一种具有功率半导体模块(1)和冷却体(3)的装置,所述功率半导体模块(1)包括带有至少一个功率半导体元件(20)的衬底(2)和壳体(4),所述冷却体(3)用来将至少一个功率半导体元件(20)的废热导出,其中,壳体(4)具有布置...
  • 本发明描述了一种功率半导体模块,包括衬底;在衬底上形成的电路布置,所述电路布置包括多个导体迹线,所述多个导体迹线是彼此电绝缘的;而且包括布置在所述多个导体迹线上的功率半导体部件。所述功能半导体部件通过连接器件以电路匹配的方式连接,所述连...
  • 本发明提供一种用于在功率半导体开关的驱动器内发送信号电压的电路和方法。该电路包括:在驱动器的初级侧上的用于第一信号电压的信号输入端、用于与第一信号电压相关联的电流的电流源、用于电流的连接线,所述连接线从电流源通向驱动器的次级侧;以及在次...
  • 本发明涉及用于功率半导体的隔离装置及其操作方法、功率模块和系统设备。一种用于功率半导体(4)的隔离装置(6),所述功率半导体包括用于电网(12)的n个功率连接端(8a-c),所述隔离装置包括n个模块连接端(14a-c)、n个电网连接端(...
  • 本发明涉及蓄电池充电装置和用于该蓄电池充电装置运行的方法。蓄电池充电装置,具有:HF储能式变压器,其初级绕组通过脉冲开关在用于交流电压的双极输入端上接上,其次级绕组根据反激变换器的类型与具有用于蓄电池的双极输出端的整流器接线;检测输入端...
  • 介绍了一种按照压力接触方式实施的功率半导体模块(10),用于设置在冷却构件(12)上。该功率半导体模块(10)具有至少一个衬底(14),在所述衬底(14)上设置有功率半导体器件(20)。压力装置(26)用于使所述功率半导体器件(20)在...
  • 本发明描述了一种具有肋式冷却体的冷却装置(10),肋式冷却体(12)具有基底(16)和冷却肋(18),这些冷却肋沿相同方向从基底突起并且通过间隙空间(22)彼此保持间隔。为了获得最佳冷却效果,肋式冷却体(12)与流动介质转向体(14)组...