赛米控电子股份有限公司专利技术

赛米控电子股份有限公司共有337项专利

  • 一种两个连接配对件低温压力烧结连接的方法及其制造的系统。系统具有第一连接配对件和第二连接配对件,连接配对件借助低温压力烧结连接彼此材料配合地借助烧结金属层相连接。方法步骤是:准备具有第一接触面的第一连接配对件。将由如下的烧结膏构成的层涂...
  • 在用于探明功率半导体的温度的方法中,在其中第一控制触点(22a)被联接到在功率半导体(12)中集成的串联电阻(14)的第一电极处,其中,串联电阻(14)的延续至功率半导体(12)的第二电极被引至第二控制触点(22b):第一控制触点(22...
  • 本申请涉及一种可布置给光伏模块的连接设备,用于将多个光伏模块彼此和/或与逆变器设备电气连接,该连接设备至少具有:带有至少一个第一和一个第二部分壳体的壳体、布置在第一部分壳体中用于与光伏模块电气连接的第一联接设备、用于与另外的连接设备或逆...
  • 本发明涉及一种具有pn结的功率半导体器件,包括带第一基础导电性的主体、具有第一两级掺杂曲线和从第一主面到主体内的第一渗透深度的带第二导电性水平居中设置在主体内的槽形区域。这种功率半导体器件此外具有设置在槽形区域与其边缘之间、由多个具有单...
  • 一种带低温压力烧结连接的两个连接配对件系统及其制造方法,连接配对件借助低温压力烧结连接材料配合地连接,连接配对件具有与另外连接配对件相连、作为表面区段部分的接触面,接触面之间布置含贵金属的连接剂,至少一个连接配对件表面区段由非贵金属构成...
  • 本发明涉及一种以两输出直流电压电位分离地传输能量的电路系统和方法,用于以两个次级端输出直流电压电位分离地从初级端向次级端传输电能,其中,第一输出直流电压的绝对值高于第二输出直流电压的绝对值,所述电路系统具有变压器,其在初级端具有带共同中...
  • 本发明涉及一种具有接线端元件的功率半导体模块,具有至少一个衬底、依据电路设置的迹线、壳体和至少一个第一接线端元件和至少一个第二接线端元件。接线端元件各自具有第一接触段、第二接触段和弹性段。为紧凑设置和避免电磁感应,依据本发明设计:第二接...
  • 介绍了一种用于制造触点(30)与对应触点(34;54)的导电连接的方法,触点(30)设置于载体膜(10)上,其中,将载体膜(10)以配属于触点(30)的方式U形地冲裁出来,从而获得具有触点(30)的载体膜搭接片(24),载体膜搭接片(2...
  • 一种具有混合蓄压器的、压力接触连通的功率半导体模块,具有至少一个基底、功率半导体器件、壳体和负载接头元件及具有压力元件的压力装置,基底在其面向功率半导体模块内部的第一主面上具有带负载电位的导电带。第一负载接头元件和至少一个另外的负载接头...
  • 一种具有部分带状负载接头元件的压力接触的功率半导体模块,功率半导体模块具有至少一个基底、布置在基底上面的功率半导体器件、壳体和导向外部的负载接头元件和压力装置,基底在其面向功率半导体模块内部的第一主面上具有带负载电位的导电带。第一负载接...
  • 一种功率半导体模块,在该功率半导体模块中,设有至少一个功率半导体(8)的基底(7)具有第一接触面(10)和第二接触面(11),第一负载连接件(1)以其上面所设置的第一接触件(3)支承在第一接触面(10)上,第二负载连接件(2)以其上面所...
  • 一种具有三维表面轮廓的衬底的功率半导体模块及其制造方法,其具有:衬底;用于对外电连接的连接元件;和大量功率半导体构件,衬底具有电绝缘层,在电绝缘层上布置第一金属层,第一金属层自身被结构化并进而构成第一分层,在第一金属层上布置带至少一个第...
  • 本发明涉及一种从时变的直流电压源中产生交流电压的电路系统和方法,该电路系统具有一个或多个并联的分电路系统,用于给至少一个逆变器电路馈电。分电路系统由带有随时间变化的直流输出电压的未经调节的电压源、倍压电路以及带有调节装置的电压调节电路构...
  • 介绍了一种具有电器件(10)和复合膜(12)的电路系统。电器件(10)具有电路结构化的金属层(14)。复合膜(12)具有电路结构化的逻辑金属层(22)和电路结构化的功率金属层(20)以及在功率金属层(20)与逻辑金属层(22)之间的电绝...
  • 本发明涉及一种变流器系统,具有:数个带冷却装置的变流器结构组件;功率半导体模块;以及每个变流器结构组件的与功率半导体模块相连的电容器装置。在这种情况下,功率半导体模块紧邻电容器装置地布置。功率半导体模块的直流电负载端子元件借助平面式构造...
  • 本发明示出了一种带电路载体和负载连接件的功率半导体模块及其制造方法。为此,需要提供电路载体,电路载体带有构造于电路载体上的功率电子电路系统,电路载体布置在塑料成型件的所配属的凹部中。至少一个用于对外电连接的连接装置布置在塑料成型体的第二...
  • 本发明涉及一种芯片,在这种芯片中,在由半导体材料形成的芯片体(1)的一侧上设置有用于产生钎焊连接的层复合体(2),其中,所述层复合体(2)由多个彼此相叠跟随的、用物理涂覆法制成的金属层(3、4、5、6)形成,并且其中,在位于层复合体(2...
  • 本发明涉及一种功率半导体模块和用于装配功率半导体模块的方法,该功率半导体模块具有基板(1),放置在基板(1)上的、装备有功率半导体的至少一个功率半导体电路板(2),布置在该功率半导体电路板上的、具有用于容纳接触弹簧(8)的第一凹进部(7...
  • 一种具有电流对称式负载连接件的功率半导体模块,具有至少两个功率电子分电路、壳体和向外引导的负载连接件。负载连接件构造为金属成型体,其具有带状区段以及用于对外连接的接触装置,带状区段具有多个从该区段出发的接触脚,带状区段以平行于衬底导电带...
  • 本发明涉及一种功率半导体模块,其中在外壳内提供至少一个带有在引导通道内引导的压力接触弹簧(2)的引导通道(3),该压力接触弹簧(2)以压力接触技术电连接在第一组件上提供的第一触点与在第二组件上提供的第二触点或者连接元件。为避免压力接触弹...