一种光器件，包括：　　　　基于ＧａＮ的层；　　　　高浓度基于ＧａＮ的层，形成在所述基于ＧａＮ的层上；　　　　第一金属－Ｇａ化合物层，形成在所述高浓度基于ＧａＮ的层上；　　　　第一金属层，形成在所述第一金属－Ｇａ化合物层上；　　　　第三金...

提供一种发光器件。在该发光器件中，在活性层和ＧａＮ层之间形成用于截取施加到活性层的反向电压的多层。因此，可以改善该发光器件的可靠性和运行特性。

提供一种包括发光芯片和磷光体的发光器件，来自所述发光芯片的光至少部分通过所述磷光体，从而将光转化成具有至少两个不同波长的光并发射。所述发光器件利用所述磷光体发射白光。

提供一种包括发光芯片和磷光体的发光器件，来自所述发光芯片的光至少部分通过所述磷光体，从而将光转化成具有至少两个不同波长的光并发射。所述发光器件利用所述磷光体发射白光。所述磷光体包括具有化学式Ｓｒ３－ｘＳｉＯ５∶Ｅｕ↑［２＋］ｘ（０＜ｘ≤...

本发明公开了一种磷光体、使用该磷光体的发光器件和生产该磷光体的方法，允许通过改变包含在磷光体中的活化剂浓度来改变主发射峰而不降低发光光度从而控制颜色坐标、色温和现色指数。利用该结构，可以根据用途主动控制白光状态，由此增强用户便利。

一种氮化物半导体发光器件，包含第一氮化物半导体层、形成在第一氮化物半导体层上并包括ＩｎＧａＮ势阱层和多层势垒层的单或多量子阱结构的有源层、形成在有源层上的第二氮化物半导体层。一种氮化物半导体发光器件的制造方法，包括：在衬底上形成缓冲层，...

根据本发明所述的氮化物半导体发光器件，包括形成在第一氮化物半导体层上的有源层；形成在有源层上的第二氮化物半导体层；具有ＡｌＩｎ的第三氮化物半导体层，该层形成在第二氮化物半导体层上。及氮化物半导体发光器件包括，第一氮化物半导体层；形成在第...

本发明披露了一种氮化物半导体发光器件，包括：一个或多个ＡｌＩｎＮ层；形成在该ＡｌＩｎＮ层上方的Ｉｎ掺杂的氮化物半导体层；形成在该Ｉｎ掺杂的氮化物半导体层上方的第一电极接触层；形成在该第一电极接触层上方的有源层；以及形成在该有源层上方的ｐ...

本发明提供发光器件及其制造方法。发光器件包括提供在衬底和包括高熔点金属的半导体层之间的缓冲层。在发光器件的构造方法中，形成包括高熔点金属的缓冲层，并在缓冲层上形成半导体层。

提供一种氮化物半导体发光器件，包括：第一氮化物半导体层；形成在所述第一氮化物半导体层上方的有源层；和形成在所述有源层上方的δ掺杂第二氮化物半导体层。根据本发明，提高了氮化物半导体发光器件的光功率，改善了光功率下降现象并提高了抗ＥＳＤ（静...

本发明涉及一种氮化物半导体发光器件，包括：具有通过蚀刻形成在其表面上的预定图案的衬底；位于所述衬底的未蚀刻区域上并且具有在其上堆叠的第一缓冲层和第一氮化物半导体层的突出部；形成在所述衬底的蚀刻区域上的第二缓冲层；形成在所述第二缓冲层和所...

提供一种发光器件封装和制造该发光器件封装的方法。首先提供基底，并在该基底上形成孔。在所述基底上形成发光部分后，在该发光部分上放置模具，并通过所述孔注入模塑材料。移除模具以完成封装。

本发明涉及氮化物半导体发光器件，包括：具有ＡｌＧａＮ／ｎ－ＧａＮ或ＡｌＧａＮ／ＧａＮ／ｎ－ＧａＮ的超晶格结构的第一氮化物半导体层；在第一氮化物半导体层上形成的用以发光的有源层；在有源层上形成的第二氮化物半导体层；和在第二氮化物半导体层上...

提供的氮化物半导体发光器件包括：第一氮化物半导体层，和在第一氮化物半导体层上形成的激活层，和在激活层上形成的掺杂“Ｃ”的第二氮化物半导体层。按照本发明，激活层的结晶度得到提高，并且光学功率和操作可靠性得到增强。

本发明提供一种基于氮化物的３－５族化合物半导体发光器件，其包含：第一ＧａＮ型层；所述第一ＧａＮ型上的有源层；和所述有源层上的第二ＧａＮ型层，其中所述第一ＧａＮ型层或所述第二ＧａＮ型层包含至少一个Ｉｎ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ／Ｉｎ↓［ｙ...

根据本发明的一种氮化物半导体发光二极管，包括：衬底；形成在所述衬底上的缓冲层；形成在所述缓冲层上的Ｉｎ－掺杂的ＧａＮ层；形成在所述Ｉｎ－掺杂的ＧａＮ层上的第一电极层；形成在所述第一电极层上的Ｉｎ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ层；形成在所述Ｉ...

一种半导体发光器件，其包括：具有不均匀图案的底表面的第一半导体层、在第一半导体层上形成的有源层、在所述有源层上形成的第二半导体层、在所述第二半导体层上形成的第二电极和在所述第一半导体层下形成的第一电极。

提供一种氮化物半导体发光器件及其制造方法，其能够通过在ＬＥＤ芯片的侧面上形成反射层改进发光效率。实施方案提供了包括发光器件芯片和反射层的氮化物半导体发光器件。反射层形成在发光器件芯片的侧面上。

本发明提供了一种发光器件以及制造这种发光器件的方法。该发光器件包括衬底、发光单元、保护单元和连接线。发光单元形成于所述衬底的一部分上，并包括第一半导体层和第二半导体层。保护单元形成于所述衬底的另一部分上，并包括第四半导体层和第五半导体层...

在此提供了一种基座和包括所述基座的半导体制造装置。在基座上装载有晶片，并且所述基座包括至少一个底表面倾斜的凹穴。半导体制造装置包括：反应室；加热单元，其在反应室中产生热量；基座，其上装载有晶片，并且所述基座包括底表面倾斜的至少一个凹穴；...