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LG伊诺特有限公司专利技术
LG伊诺特有限公司共有4017项专利
磷光体,使用该磷光体的发光器件及该磷光体的制造方法技术
本发明公开了一种磷光体、使用该磷光体的发光器件和生产该磷光体的方法,允许通过改变包含在磷光体中的活化剂浓度来改变主发射峰而不降低发光光度从而控制颜色坐标、色温和现色指数。利用该结构,可以根据用途主动控制白光状态,由此增强用户便利。
氮化物半导体发光器件及其制造方法技术
一种氮化物半导体发光器件,包含第一氮化物半导体层、形成在第一氮化物半导体层上并包括InGaN势阱层和多层势垒层的单或多量子阱结构的有源层、形成在有源层上的第二氮化物半导体层。一种氮化物半导体发光器件的制造方法,包括:在衬底上形成缓冲层,...
氮化物半导体发光器件及其制造方法技术
根据本发明所述的氮化物半导体发光器件,包括形成在第一氮化物半导体层上的有源层;形成在有源层上的第二氮化物半导体层;具有AlIn的第三氮化物半导体层,该层形成在第二氮化物半导体层上。及氮化物半导体发光器件包括,第一氮化物半导体层;形成在第...
氮化物半导体发光器件及其制造方法技术
本发明披露了一种氮化物半导体发光器件,包括:一个或多个AlInN层;形成在该AlInN层上方的In掺杂的氮化物半导体层;形成在该In掺杂的氮化物半导体层上方的第一电极接触层;形成在该第一电极接触层上方的有源层;以及形成在该有源层上方的p...
发光器件及其制造方法技术
本发明提供发光器件及其制造方法。发光器件包括提供在衬底和包括高熔点金属的半导体层之间的缓冲层。在发光器件的构造方法中,形成包括高熔点金属的缓冲层,并在缓冲层上形成半导体层。
氮化物半导体发光器件及其制造方法技术
提供一种氮化物半导体发光器件,包括:第一氮化物半导体层;形成在所述第一氮化物半导体层上方的有源层;和形成在所述有源层上方的δ掺杂第二氮化物半导体层。根据本发明,提高了氮化物半导体发光器件的光功率,改善了光功率下降现象并提高了抗ESD(静...
氮化物半导体发光器件及其制造方法技术
本发明涉及一种氮化物半导体发光器件,包括:具有通过蚀刻形成在其表面上的预定图案的衬底;位于所述衬底的未蚀刻区域上并且具有在其上堆叠的第一缓冲层和第一氮化物半导体层的突出部;形成在所述衬底的蚀刻区域上的第二缓冲层;形成在所述第二缓冲层和所...
发光器件封装及发光器件封装的制造方法技术
提供一种发光器件封装和制造该发光器件封装的方法。首先提供基底,并在该基底上形成孔。在所述基底上形成发光部分后,在该发光部分上放置模具,并通过所述孔注入模塑材料。移除模具以完成封装。
氮化物半导体发光器件及其制备方法技术
本发明涉及氮化物半导体发光器件,包括:具有AlGaN/n-GaN或AlGaN/GaN/n-GaN的超晶格结构的第一氮化物半导体层;在第一氮化物半导体层上形成的用以发光的有源层;在有源层上形成的第二氮化物半导体层;和在第二氮化物半导体层上...
氮化物半导体发光器件及其制造方法技术
提供的氮化物半导体发光器件包括:第一氮化物半导体层,和在第一氮化物半导体层上形成的激活层,和在激活层上形成的掺杂“C”的第二氮化物半导体层。按照本发明,激活层的结晶度得到提高,并且光学功率和操作可靠性得到增强。
使用氮化物半导体的发光器件和其制造方法技术
本发明提供一种基于氮化物的3-5族化合物半导体发光器件,其包含:第一GaN型层;所述第一GaN型上的有源层;和所述有源层上的第二GaN型层,其中所述第一GaN型层或所述第二GaN型层包含至少一个In↓[x]Ga↓[1-x]N/In↓[y...
氮化物半导体LED及其制造方法技术
根据本发明的一种氮化物半导体发光二极管,包括:衬底;形成在所述衬底上的缓冲层;形成在所述缓冲层上的In-掺杂的GaN层;形成在所述In-掺杂的GaN层上的第一电极层;形成在所述第一电极层上的In↓[x]Ga↓[1-x]N层;形成在所述I...
半导体发光器件及其制造方法技术
一种半导体发光器件,其包括:具有不均匀图案的底表面的第一半导体层、在第一半导体层上形成的有源层、在所述有源层上形成的第二半导体层、在所述第二半导体层上形成的第二电极和在所述第一半导体层下形成的第一电极。
氮化物半导体发光器件及其制造方法技术
提供一种氮化物半导体发光器件及其制造方法,其能够通过在LED芯片的侧面上形成反射层改进发光效率。实施方案提供了包括发光器件芯片和反射层的氮化物半导体发光器件。反射层形成在发光器件芯片的侧面上。
发光器件和制造发光器件的方法技术
本发明提供了一种发光器件以及制造这种发光器件的方法。该发光器件包括衬底、发光单元、保护单元和连接线。发光单元形成于所述衬底的一部分上,并包括第一半导体层和第二半导体层。保护单元形成于所述衬底的另一部分上,并包括第四半导体层和第五半导体层...
基座和包括所述基座的半导体制造装置制造方法及图纸
在此提供了一种基座和包括所述基座的半导体制造装置。在基座上装载有晶片,并且所述基座包括至少一个底表面倾斜的凹穴。半导体制造装置包括:反应室;加热单元,其在反应室中产生热量;基座,其上装载有晶片,并且所述基座包括底表面倾斜的至少一个凹穴;...
发光二极管的封装件及其制造方法技术
提供一种发光二极管的封装件。该封装件包括金属片、发光二极管芯片、绝缘层、引线框、反射涂层和模塑材料。发光二极管芯片表面安装在金属片上,绝缘层形成在金属片上并且与发光二极管芯片隔离。在绝缘层上设置引线框,在引线框上形成反射涂层,模塑材料以...
用于逆变器的变压器制造技术
一种用于逆变器的变压器,包括:绕线管,其包括至少一个在一对相对侧壁之间的障壁以及被所述障壁划分为低电压侧和高电压侧的线圈缠绕部,两股或更多股线圈被缠绕在所述低电压侧的所述线圈缠绕部周围;以及被插入到所述绕线管中的铁氧体芯,所述铁氧体芯包...
使用各向异性导电膜的PCB的连接结构及粘附方法、及使用其评价连接状况的方法技术
一种依据本发明的使用各向异性导电膜的PCB的连接结构,该连接结构具有利用各向异性导电膜通过热挤压而相互连接的部件,该各向异性导电膜包括作为基底材料的绝缘粘附剂和散布在绝缘粘附剂中的导电颗粒,其中至少任一个部件具有柔性性能,以及由于热挤压...
射频识别系统技术方案
一种射频识别标签,包括天线终端、存储器、D/A转换器、时钟提取器、频率合成器、射频上变频器以及电源单元。通过天线终端来接收能量泵浦信号和发射标签标识信息。标签标识信息被存储在存储器中。D/A转换器响应于该能量泵浦信号中包括的信息请求信号...
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