本发明公开了一种宽SOA的SGT器件的制造方法，通过形成栅氧化层和栅极材料时对沟槽宽度的调整，并增加了使用PSG或BSG材料扩散形成的或离子注入形成的额外掺杂区使得SGT器件的沟道长度能够得到有效的增长。本专利所提SGT器件及工艺，无需...

本技术涉及半导体散热技术领域，具体涉及一种多面散热的半导体器件，包括外壳，所述外壳内设有半导体模组，所述半导体模组上连接有散热部件，所述散热部件一部分超出所述外壳表面直接与外界进行接触，本技术通过设置散热部件以及第一引脚和第二引脚的方式...

本发明公开了一种提高碳化硅晶圆激光打标良率的方法，包括以下步骤：S1，激光打标前，在碳化硅晶圆的待打标面制备保护膜；保护膜由钨或二氧化硅组成；S2，在碳化硅晶圆的待打标面进行激光打标；S3，采用清洗液去除保护膜。本发明的保护膜将待打标面...

本实用新型涉及半导体加工领域，特别涉及一种连接条，包括连接条本体和阻挡结构，所述阻挡结构设置于所述连接条本体，所述连接条本体与半导体底板框架焊接连接，所述阻挡结构限制所述连接条本体在半导体底板框架上的位移。本实用新型的一种连接条，通过连...

本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种集成框架、SMA集成框架和二极管。一种集成框架包括框架底板，所述框架底板上集成有跳线结构；以及框架顶板，安装于所述框架底板上；所述框架顶板上集成有焊盘结构，且所述跳线机构与所述焊盘结构对应设置。...

本发明一种碳化硅功率件中钝化结构的制备方法，主要包括以下步骤：步骤1、在芯片上淀积PA钝化层；步骤2、在PA钝化层之上涂布PI钝化层，并进行曝光、显影处理；步骤3、将所述步骤2得到的物料进行烘干处理；步骤4、将步骤3烘干后的物料进行刻蚀...

本发明涉及了一种碳化硅功率器件及其制备方法，包括芯片、PA钝化层和PI钝化层；所述芯片由下向上包括依次连接的N

本实用新型涉及一种沟槽型器件，包含第一导电类型漂移区衬底，所述第一导电类型漂移区衬底的上设有第二导电类型体区，所述第二导电类型体区内设有介质层；栅极多晶层与发射极多晶层被介质层包裹构成等间距的三沟槽结构；所述阻挡层则位于发射极多晶层下方...

本实用新型公开了一种新型打孔石墨舟，属于半导体功率器件制造技术领域。包括石墨板和销钉，所述石墨板上设置有框架定位销钉孔座和若干个产品槽，每个所述产品槽设置有若干个通孔，所述石墨板上还设置有叠层定位销钉孔座，所述通孔不会对框架和石墨板的贴...

本发明涉及涉及一种平面二极管芯片，特别是一种防止银迁移的平面二极管芯片，包括第一半导体层、设于第一半导体层表面的第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层提供二极管结构；在第二半导体层外周的第一半导体层表面设有保护PN结的保护层；...

本发明涉及一种电力电子用半导体器件及其制作方法。该半导体器件包含第一半导体层；在所述第一半导体层上表面设有沟槽区域；包含若干沟槽；所述若干沟槽内均填充第一绝缘介质材料；排列方式为，沿远离器件有源区方向，沟槽的宽度递减，沟槽的间距递增，沟...

本实用新型公开了一种TSS与双向TVS合封贴片二极管，包括TVS叠装结构、TSS叠装结构、塑封体、框架及第一跳线、第二跳线，TVS叠装结构与TSS叠装结构并联在应用电路中，在不改变封装外形尺寸的情况下整合了TVS和TSS两种二极管，能够...

本实用新型公开了一种大功率双向贴片瞬态电压抑制二极管，包括N颗TVS芯片、N+1块散热板相互交错叠放而形成的叠装结构，所述叠装结构底面连接有铜块，所述叠装结构外侧有塑封体；所述塑封体从所述叠装结构顶面、侧面以及底面进行包裹；还包括跳线和...

本实用新型公开了一种双向贴片瞬态电压抑制二极管，包括TVS芯片组与两块散热板形成的叠装结构，以及塑封体、跳线和框架，在TVS芯片组能够成倍数的提高器件承受反向浪涌能量冲击能力的同时，仅使用两块散热板的叠装结构具有较少的厚度，从而使塑封体...

本发明公开了一种TSS与双向TVS合封贴片二极管，包括TVS叠装结构、TSS叠装结构、塑封体、框架及第一跳线、第二跳线，TVS叠装结构与TSS叠装结构并联在应用电路中，在不改变封装外形尺寸的情况下整合了TVS和TSS两种二极管，能够节约...

本实用新型公开了一种用于贴片式功率器件的测试片及测试装置，测试装置包括测试基座、定位导模和两对测试片；定位导模通过一弹性部件设置在测试基座上，定位导模上具有一凹槽，用于限制贴片式功率器件的宽度方向；两对测试片安装在测试基座上，并在定位导...

本实用新型公开了一种低热阻大功率贴片整流桥，包括：6颗GPP芯片、5个引脚、塑封体、框架和连接条；框架上具有5个引脚，每个GPP芯片分别与引脚的焊接部分连接在一起，并通过连接条相互连接；GPP芯片和连接条包覆于塑封体内，且引脚伸出塑封体...

本实用新型公开了一种大功率双向贴片瞬态电压抑制二极管，包括：N颗TVS芯片、N+1块铜板、跳线、塑封体和两个引脚；塑封体用于包裹N颗TVS芯片、N+1块铜板和跳线；引脚设置在塑封体底部，并从塑封体的两侧伸出；N+1块铜板叠层设置在一起，...

本实用新型公开了一种新型大功率瞬态电压抑制二极管，包括：N颗TVS芯片、N+1块铜板和用于包覆TVS芯片与铜板的塑封体；其中，N+1块铜板叠层设置在一起，形成一叠装结构，且每两块相邻设置的铜板之间安装一颗TVS芯片，每颗TVS芯片分别与...

本实用新型涉及一种整流桥的耐压测试分拣装置，包含倾斜面、分料机构、测试机构、传送机构和收集机构，所述控制系统控制所述驱动系统带动所述分料机构进行分料、测试机构进行测试、传送结构进行传送以及收集机构进行收集。采用本装置利用倾斜面使所述整流...