【技术实现步骤摘要】
一种防止银迁移的平面二极管芯片
[0001]本专利技术涉及一种平面二极管芯片，特别是一种防止银迁移的平面二极管芯片。
技术介绍
[0002]平面工艺的二极管芯片，如图1所示，包括从下往上的第一半导体层、第二导电类型区和用于保护PN接的保护层。在第二导电类型区上表面设有第一金属层,第一金属层通常采用Ti/Ni/Ag。在横截面上，第一金属层宽度大于第一半导体层的宽度，如图1中，第一金属层向左右两侧分别超出第一半导体层。
[0003]由于第一金属层跨过第一半导体层，保护层靠近第一半导体层的位置，有横向电场，电离后的银离子在电场的作用下，容易向芯片侧面移动。芯片表面的金属银在电场作用下，容易产生银迁移。Ag离子迁移发生的条件是，
①
必须在两电极间的绝缘物表面或内部存在导电性或导电的湿气薄膜；
②
在两电极间施加了电压。它的发生机理是平面芯片表面Ag电极加上直流电压时，当Ag电极吸附了水分或含有卤素元素等时，阳极被电离。机理：在电场作用下，银单质作为电极电离水（H2O）：H2O
→
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种平面二极管芯片，包括第一半导体层(1)、设于第一半导体层(1)表面的第二半导体层(2)，所述第一半导体层(1)和所述第二半导体层(2)提供二极管结构；在第二半导体层(2)外周的第一半导体层(1)表面设有保护PN结的保护层(3)；其特征在于，所述第二半导体层(2)远离所述第一半导体层(1)的表面设有第一金属层；所述第一金属层包括焊接层(4)，所述焊接层(4)位于所述第二半导体层(2)中部。2.根据权利要求1所述的平面二极管芯片，其特征在于，所述焊接层(4)为Ti/Ni/Ag层。3.根据权利要求1所述的平面二极管芯片，其特征在于，所述第一金属层还包括导电层(5)，所述的导电层(5)位于所述焊接层(4)和所述第二半导体层(2)之间层。4.根据权利要求3所述的平面二极管芯片，其特征在于，所述导电层(5)覆盖所述第二半导体层(2)。5.根据权利要求1所述的平面二极管芯片，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：邱志述，谭志伟，陈鹏，
申请(专利权)人：乐山无线电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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