半导体装置和其制造方法制造方法及图纸

本公开提供一种半导体装置和其制造方法。所述半导体装置包含衬底和金属托架。所述衬底包含邻近其表面安置的至少一个结合衬垫，且所述金属托架邻近所述结合衬垫安置。述金属托架邻近所述结合衬垫安置。述金属托架邻近所述结合衬垫安置。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置和其制造方法


[0001]本公开涉及一种半导体装置和其制造方法，且更确切地说，涉及一种可缩短电连接之间的距离的半导体装置。

技术介绍

[0002]现如今，正在逐步开发用于最小化半导体装置的尺寸且同时增加所述装置的电连接数目(即，更高I/O)的技术。因此，将需要提供一种具有更可靠电连接的半导体装置，其中所述半导体装置可正常工作或可实现所需性能且同时满足小型化要求。

技术实现思路

[0003]在一方面中，一种半导体装置包含衬底和金属托架。所述衬底包含邻近其表面安置的至少一个结合衬垫，且所述金属托架邻近所述结合衬垫安置。
[0004]在一方面中，一种半导体装置包含衬底和金属元件。所述衬底包含邻近其表面安置的至少一个结合衬垫。所述金属元件邻近所述结合衬垫安置，且适合于安装邻近第二衬底的表面安置的金属托架。
[0005]在一方面中，一种制造半导体装置的方法包含：将绝缘层安置在载体上；将至少两个金属托架材料安置在所述绝缘层上，其中所述两个金属托架材料彼此间隔一距离；将所述两个金属托架材料与邻近衬底的表面安置的结合衬本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其包括：衬底，其具有表面，所述衬底包含邻近所述表面安置的至少一个结合衬垫；以及金属托架，其邻近所述结合衬垫安置。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述金属托架包括空腔。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述金属托架的所述空腔具有杯形形状。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述金属托架具有侧壁，其中所述侧壁在一端倾斜。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述金属托架具有侧壁，所述侧壁具有内表面和与所述内表面相对的外表面，且所述外表面朝向所述衬底的所述表面向下倾斜。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述内表面大体上垂直于所述结合衬垫的表面。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述金属托架具有钳形形状。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括邻近所述衬底的所述表面安置的绝缘层，其中所述绝缘层界定暴露所述结合衬垫的一部分的开口，且所述金属托架安置在所述绝缘层的所述开口中。9.一种半导体装置，其包括：第一衬底，其具有表面，所述第一衬底包含邻近所述表面安置的至少一个结合衬垫；以及金属元件，其邻近所述结合衬垫安置，其中所述金属元件适合于安装邻近第二衬底的表面安置的金属托架。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述金属托架包括空腔，且所述空腔的宽度不小于所述金属元件的宽度。11.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述金属元件的侧壁的至少一部分由第一金属层...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜尤龙，博恩，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：