本申请公开了一种类单晶籽晶的铺底方法，包括在坩埚底部铺设类单晶籽晶，形成类单晶籽晶区域；在所述类单晶籽晶区域与所述坩埚之间的缝隙中紧邻所述类单晶籽晶铺设具有预设厚度的单晶窄条，所述单晶窄条与所述坩埚之间具有预设间距。上述类单晶籽晶的铺底...

本发明公开了一种硅片表面钝化方法，包括以下步骤：1)将硅片经去离子水清洗后使用第一酸液洗去损伤层，所述第一酸液包括HF和HNO3；2)将步骤1)中经过第一酸液酸洗的硅片再次经去离子水洗后进行碱漂洗；3)将步骤2)中经过碱漂洗的硅片再次经...

本发明提供了一种坩埚喷涂方法及系统，方法包括：查询本地存储的预设成分及对应的预设量，预设成分包括硅溶胶体、氮化硅粉和纯水，并将预设成分和对应的预设量发送至喷枪，以得到氮化硅浆料；获取待喷涂坩埚的当前温度，并判断当前温度是否大于预设温度；...

本发明实施例公开了一种类单晶籽晶的铺设装置及系统，包括控制器、升降支架、真空吸盘、气泵及输气管道；控制器的控制端分别与气泵的驱动端和升降支架的驱动端连接，气泵的输出端与输气管道的输入端连接，输气管道的输出端与真空吸盘的通气口连接；真空吸...

本发明涉及一种准单晶电池的制备方法，包括如下步骤：将准单晶硅片在第一预设温度的第一混合液中浸泡第一预设时间，其中第一混合液包括氢氟酸与双氧水；向第一混合液中加入第二混合液以得到中性混合液，并将准单晶硅片在中性混合液中清洗第二预设时间，其...

本发明提供了一种太阳能硅片料的清洗方法，包括以下步骤：将太阳能硅片料依次进行混酸清洗、去氧化处理和超声，得到清洗后的太阳能硅片料；所述混酸为氢氟酸和硝酸；所述氢氟酸和硝酸的体积比为1:(14～18)。本发明将氢氟酸和硝酸按照特定配比制成...

本发明公开了一种晶态硅片金属杂质含量检测方法，该方法包括：去除原生硅片的表面损伤层，并对原生硅片进行钝化处理；将原生硅片经避光保存第一预设时间后，进行光致发光测试，以得到第一少子寿命值；将原生硅片经强光照射第二预设时间后，再次进行光致发...

本申请公开了一种破拆坩埚的装置，包括外边缘与坩埚内壁的顶部形状匹配的装置主体，所述装置主体的外边缘边长介于所述坩埚内壁的顶部边长与所述坩埚内壁与硅锭上表面接触处的边长之间，且所述装置主体的上表面固定有垂直于上表面的受力柱，所述受力柱的高...

本实用新型公开一种光伏组件湿漏测试手持装置，包括用于放置光伏组件的U型支撑框架、设置在所述U型支撑框架顶部的把手和活动设置在所述把手用于对所述U型支撑框架的开口进行打开或闭合的挡板。所述光伏组件湿漏测试手持装置，通过设置在所述U型支撑框...

本申请公开了一种多晶硅铸锭热场，包括侧部加热器和顶部加热器，所述顶部加热器的预设区域的厚度比所述预设区域以外的其他区域的厚度小预设数值。本申请提供的上述多晶硅铸锭热场，能够使头部电阻率偏低的硅块集中在固定的区域，减少品检操作人员对掺镓硅...

本实用新型公开一种双玻组件层压工装，包括合金铝框和胶块，所述合金铝框包括多个组件放置区，所述胶块的两端连接所述组件放置区的顶角处的长边和短边。所述双玻组件层压工装，通过在组件放置区的顶角处的长边和短边通过采用胶块连接，增加了在层压过程中...

本申请公开了一种类单晶籽晶酸洗装置，包括桶状的容器，所述容器内分布有多个柱状的固定部件，用于将所述容器内部分隔成多个独立空间以容纳不同的类单晶籽晶，所述固定部件的表面具有与所述类单晶籽晶接触的曲面区域。本申请提供的上述类单晶籽晶酸洗装置...

一种半熔多晶铸锭尾料处理方法，包括：截取半熔多晶铸锭尾料中包含未熔层的多晶铸锭块；去除所述多晶铸锭块表面的杂质；将去除表面杂质的所述多晶铸锭块进行烘烤加热；趁热用高压水枪对着加热后的所述多晶铸锭块喷射，以使所述多晶铸锭块破碎，得到多晶铸...

本发明提供了一种硅料小料的处理方法，包括以下步骤：将硅料小料加入分离液中，将漂浮在分离液上的硅料和沉底的金属杂质进行分离；所述分离液的密度为2.35～2.6g/cm

本申请公开了一种硅料边皮中杂质的去除方法，包括：将硅料边皮放置于腐蚀液中浸泡预设时间，去除所述硅料边皮表面的杂质，并将内嵌杂质暴露在表面；刷洗掉暴露在所述硅料边皮表面的内嵌杂质，利用纯水冲洗所述硅料边皮至呈中性；对所述硅料边皮进行腐蚀清...

本发明涉及一种多晶硅铸锭的制备方法，所述方法包括如下步骤：对一多晶硅致密棒进行均匀切割以得到多个厚度相同的板状晶料；对多个所述板状晶料的侧边圆弧部进行切除以得到多个籽晶并对所述多个籽晶进行酸洗处理；将酸洗后的所述多个籽晶均匀铺设在一坩埚...

本发明涉及一种掺镓单晶棒的制备方法，采用分段拉制的方式来制得单晶，通过控制拉制长度使得单元晶棒的头尾电阻率在预设的电阻率范围内之后再进行收尾处理，加料后重复进行拉制以最终得到头尾电阻率相差不太大的单晶棒。本发明提出的掺镓单晶棒的制备方法...

一种硼母合金制备方法，包括：选择与目标硼母合金棒中硼元素浓度相同或相近的工业硅原料，且该工业硅原料中金属元素浓度的总和不高于1000ppmw；利用直拉法将所述工业硅原料制备成硼母合金棒；截去所述硼母合金棒的放肩部分和收尾部分，根据分凝原...

本发明公开了一种籽晶铺设方法、类单晶硅锭的铸造方法及类单晶硅片，该籽晶铺设方法包括将籽晶切割成多层子籽晶；提供坩埚，将子籽晶多层叠加铺设在坩埚的底部，以得到籽晶层；当利用所述籽晶层制得类单晶硅锭后，将未与类单晶硅锭底部黏结，且完好的子籽...

本实用新型公开一种多晶硅铸锭炉侧板，包括护板本体和设置在距所述护板本体底部300mm～420mm区域内的第一凹槽。所述多晶硅铸锭炉侧板，通过在距离护板本体底部300mm～420mm区域内设置第一凹槽，使得在多晶铸锭过程中，坩埚中的硅锭的...