一种多晶硅铸锭热场制造技术

本申请公开了一种多晶硅铸锭热场，包括侧部加热器和顶部加热器，所述顶部加热器的预设区域的厚度比所述预设区域以外的其他区域的厚度小预设数值。本申请提供的上述多晶硅铸锭热场，能够使头部电阻率偏低的硅块集中在固定的区域，减少品检操作人员对掺镓硅锭不同区域头部电阻率一一测试的繁琐操作，提高生产效率。

A kind of hot field of polysilicon ingot

The application discloses a polycrystalline silicon ingot thermal field, including a side heater and a top heater. The thickness of the preset area of the top heater is smaller than that of the other regions except the preset area. The above polycrystalline silicon ingot thermal field provided by this application can make the silicon block with low resistivity on the head fixed in the fixed area, and reduce the tedious operation of the operator to test the resistivity of the different regions of the gallium silicon ingot, so as to improve the production efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅铸锭热场
本技术属于光伏电池
，特别是涉及一种多晶硅铸锭热场。
技术介绍
随着光伏市场的日趋成熟，竞争日趋激烈，客户需求不再集中在成本低的产品上，而是转向高品质的光伏产品。影响光伏产品品质的一个关键点就是硅片的光衰问题，现在的硅片光衰率偏高，因此，如何获得光衰较低且可大规模生产，不影响生产效率和成本的光伏产品是目前主要的问题。现有技术中，为了得到低光衰硅片，主要是使用镓作为母合金，但由于多晶硅锭在掺镓后电阻率分布范围较大，不同热区的硅锭头部电阻率分布不均匀，头部采用同样划线的情况下，会产生很多电阻率较低的硅片，低电阻位置的漏电流较高，电池效率较低，增加了生产的操作困难，导致生产效率不高。
技术实现思路
为解决上述问题，本技术提供了一种多晶硅铸锭热场，能够使头部电阻率偏低的硅块集中在固定的区域，减少品检操作人员对掺镓硅锭不同区域头部电阻率一一测试的繁琐操作，提高生产效率。本技术提供的一种多晶硅铸锭热场，包括侧部加热器和顶部加热器，所述顶部加热器的预设区域的厚度比所述预设区域以外的其他区域的厚度小预设数值。优选的，在上述多晶硅铸锭热场中，所述预设区域为靠近一个角或两个角的区域。优本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅铸锭热场，包括侧部加热器和顶部加热器，其特征在于，所述顶部加热器的预设区域的厚度比所述预设区域以外的其他区域的厚度小预设数值。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅铸锭热场，包括侧部加热器和顶部加热器，其特征在于，所述顶部加热器的预设区域的厚度比所述预设区域以外的其他区域的厚度小预设数值。2.根据权利要求1所述的多晶硅铸锭热场，其特征在于，所述预设区域为靠近一个角或两个角的区域。3.根据权利要求1所述的多晶硅铸锭热场，其特征在于，所述预设区域为靠近一个边的位置。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟，肖贵云，闫灯周，黄晶晶，李亮，李林东，王海涛，梅坤，廖晖，金浩，
申请(专利权)人：晶科能源有限公司，浙江晶科能源有限公司，
类型：新型
国别省市：江西,36