一种硅料边皮中杂质的去除方法技术

本申请公开了一种硅料边皮中杂质的去除方法，包括：将硅料边皮放置于腐蚀液中浸泡预设时间，去除所述硅料边皮表面的杂质，并将内嵌杂质暴露在表面；刷洗掉暴露在所述硅料边皮表面的内嵌杂质，利用纯水冲洗所述硅料边皮至呈中性；对所述硅料边皮进行腐蚀清洗并再次利用纯水冲洗至呈中性；对所述硅料边皮进行超声清洗和烘干。上述硅料边皮中杂质的去除方法，能够更好的去除硅料边皮中内嵌的杂质，提高后续产品的质量。

【技术实现步骤摘要】
一种硅料边皮中杂质的去除方法
本专利技术属于太阳能电池
，特别是涉及一种硅料边皮中杂质的去除方法。
技术介绍
由于多晶硅原料及铸锭环境的影响，在多晶硅铸锭过程中产生一些杂质，如碳化硅杂质或氮化硅杂质，这类杂质在定向凝固排杂的作用下聚集于硅锭上下表面及四周，硅锭经过开方、去头尾后会产生大量的含有上述杂质的边皮料，这部分硅料由于杂质含量过多，不能直接回炉，且杂质内嵌于多晶硅铸锭边皮料中，目前的多晶硅锭边皮料的杂质的去除方法，一般采用酸洗或者碱洗方式，即通过硝酸/氢氟酸或浓碱在高温条件下对硅块表面进行腐蚀，使得硅片表面杂质从硅块基体脱落。采用上述方法，对于表面含杂质的多晶硅锭边皮料可以起到较好的去杂效果，但是对于内嵌固体杂质的多晶硅边皮料，去除效果并不好，这就影响后续产品的质量。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种硅料边皮中杂质的去除方法，能够更好的去除硅料边皮中内嵌的杂质，提高后续产品的质量。本专利技术提供的一种硅料边皮中杂质的去除方法，包括：将硅料边皮放置于腐蚀液中浸泡预设时间，去除所述硅料边皮表面的杂质，并将内嵌杂质暴露在表面；刷洗掉暴露在所述硅料边皮表面的内嵌杂质，利用纯水冲洗所述硅料边皮至呈中性；对所述硅料边皮进行腐蚀清洗并再次利用纯水冲洗至呈中性；对所述硅料边皮进行超声清洗和烘干。优选的，在上述硅料边皮中杂质的去除方法中，所述刷洗掉暴露在所述硅料边皮表面的内嵌杂质，利用纯水冲洗所述硅料边皮至呈中性之后，还包括：对所述硅料边皮进行喷砂，去除残留在所述硅料边皮表面的内嵌杂质。优选的，在上述硅料边皮中杂质的去除方法中，所述将硅料边皮放置于腐蚀液中浸泡预设时间为：将硅料边皮放置于酸腐蚀液或碱腐蚀液中浸泡预设时间。优选的，在上述硅料边皮中杂质的去除方法中，所述刷洗掉暴露在所述硅料边皮表面的内嵌杂质为：利用刷子刷洗掉暴露在所述硅料边皮表面的内嵌杂质。优选的，在上述硅料边皮中杂质的去除方法中，所述对所述硅料边皮进行腐蚀清洗为：利用体积比范围为1:7至1:10的氢氟酸和硝酸对所述硅料边皮进行腐蚀清洗。优选的，在上述硅料边皮中杂质的去除方法中，所述对所述硅料边皮进行超声清洗为：对所述硅料边皮进行超声清洗40分钟至60分钟。优选的，在上述硅料边皮中杂质的去除方法中，所述对所述硅料边皮进行烘干为：对所述硅料边皮进行烘干持续50分钟至80分钟。通过上述描述可知，本专利技术提供的上述硅料边皮中杂质的去除方法，由于包括将硅料边皮放置于腐蚀液中浸泡预设时间，去除所述硅料边皮表面的杂质，并将内嵌杂质暴露在表面；刷洗掉暴露在所述硅料边皮表面的内嵌杂质，利用纯水冲洗所述硅料边皮至呈中性；对所述硅料边皮进行腐蚀清洗并再次利用纯水冲洗至呈中性；对所述硅料边皮进行超声清洗和烘干，这种浸泡的过程比现有技术中的清洗过程，能够更好的去除硅料边皮中内嵌的杂质，提高后续产品的质量。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的第一种硅料边皮中杂质的去除方法的示意图。具体实施方式本专利技术的核心思想在于提供一种硅料边皮中杂质的去除方法，能够更好的去除硅料边皮中内嵌的杂质，提高后续产品的质量。下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本申请实施例提供的第一种硅料边皮中杂质的去除方法如图1所示，图1为本申请实施例提供的第一种硅料边皮中杂质的去除方法的示意图，该方法包括如下步骤：S1：将硅料边皮放置于腐蚀液中浸泡预设时间，去除所述硅料边皮表面的杂质，并将内嵌杂质暴露在表面；这里提到的杂质包括但不限于碳化硅、氮化硅和金属杂质，现有技术中对于表面含杂质的多晶硅锭边皮料是使用混酸(氢氟酸和硝酸)直接清洗30s至45s后过纯水、超声和烘干，其可以起到较好的去杂效果，但是对于内嵌固体杂质的多晶硅边皮料，无法进行处理，从而导致此类资源的浪费，而本申请的该步骤中，利用腐蚀液浸泡的方式对表面含杂质的多晶硅锭边皮料进行腐蚀，使得内嵌杂质从多晶硅锭边皮料表面暴露出来，加上后续步骤就能够达到除去杂质的效果。S2：刷洗掉暴露在所述硅料边皮表面的内嵌杂质，利用纯水冲洗所述硅料边皮至呈中性；需要说明的是，有一部分露出来的内嵌杂质可以通过刷洗的方式去除，而另一部分则无法去除，则需要利用后续步骤进行去除。S3：对所述硅料边皮进行腐蚀清洗并再次利用纯水冲洗至呈中性；具体的，将花篮中硅料放入配制好的混酸中进行清洗，清洗时间40-60秒；将清洗好物料从混酸中取悬在液面上沥酸，沥酸时间2-3秒；将花篮中沥酸后物料立即放入水中用冷水冲洗酸液10-35秒；将水冲洗后物料放入溢流水槽进行漂洗，漂洗完后将物料放入超声区进料台上。S4：对所述硅料边皮进行超声清洗和烘干。具体的，超声过程利用超声波在液体中的空化作用、加速度作用及直进流作用对液体和污物进行直接或间接的作用，使污物层被分散、乳化、剥离而达到清洗目的。该超声步骤包括：将超声池放满纯水，将进料口花篮内料倒入网布再放入超声池中，确保纯水将硅料浸没，并保持超声过程中纯水溢流量2.75-3.25L/min；物料摆放好后，按下超声设备开关开始超声，并设置超声设备持续时间；将超声好的硅料从超声池中取出。其中的烘干过程包括烘箱预热，先打开烘箱设备进行预热，将装好物料的烘车推进烘箱中进行烘干作业，并将物料批次号记录在烘箱记录表上，设定好合适的烘干时间，然后确认花篮内物料已烘干，再出料，若未烘干则延长烘干时间，延长时间可根据料现场实际情况确定，将已烘干好的物料从烘箱中拉出，放置于烘干通道上冷却；将装有硅料的烘车推进无尘车间分选台旁，再将花篮中硅料连网布一起放入分选台；对分选台上的硅料全方位查看物料表面外观，挑选出脏污、氧化、垃圾等异常，隐裂、裂缝需敲开，确认裂缝内是否有脏污；将分选合格物料装入套有无尘袋的瓦克桶或无尘框内，称重并用扎带扎紧袋口；确认不合格物料退前端工序重新处理，并在无尘退酸洗数据记录表上记异常物料批次、重量等异常信息。通过上述描述可知，本申请实施例提供的第一种硅料边皮中杂质的去除方法，由于包括将硅料边皮放置于腐蚀液中浸泡预设时间，去除所述硅料边皮表面的杂质，并将内嵌杂质暴露在表面；刷洗掉暴露在所述硅料边皮表面的内嵌杂质，利用纯水冲洗所述硅料边皮至呈中性；对所述硅料边皮进行腐蚀清洗并再次利用纯水冲洗至呈中性；对所述硅料边皮进行超声清洗和烘干，这种浸泡的过程比现有技术中的清洗过程，能够更好的去除硅料边皮中内嵌的杂质，提高后续产品的质量。本申请实施例提供的第二种硅料边皮中杂质的去除方法，是在上述第一种硅料边皮中杂质的去除方法的基础上，还包括如下技术特征：所述刷洗掉暴露在所述硅料边皮表面的内嵌杂质，利用纯水冲洗所述硅料边皮至呈中性之后，还包括：对所述硅料边皮进行喷砂，去除残留在所述硅料边皮表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅料边皮中杂质的去除方法，其特征在于，包括：将硅料边皮放置于腐蚀液中浸泡预设时间，去除所述硅料边皮表面的杂质，并将内嵌杂质暴露在表面；刷洗掉暴露在所述硅料边皮表面的内嵌杂质，利用纯水冲洗所述硅料边皮至呈中性；对所述硅料边皮进行腐蚀清洗并再次利用纯水冲洗至呈中性；对所述硅料边皮进行超声清洗和烘干。

【技术特征摘要】
1.一种硅料边皮中杂质的去除方法，其特征在于，包括：将硅料边皮放置于腐蚀液中浸泡预设时间，去除所述硅料边皮表面的杂质，并将内嵌杂质暴露在表面；刷洗掉暴露在所述硅料边皮表面的内嵌杂质，利用纯水冲洗所述硅料边皮至呈中性；对所述硅料边皮进行腐蚀清洗并再次利用纯水冲洗至呈中性；对所述硅料边皮进行超声清洗和烘干。2.根据权利要求1所述的硅料边皮中杂质的去除方法，其特征在于，所述刷洗掉暴露在所述硅料边皮表面的内嵌杂质，利用纯水冲洗所述硅料边皮至呈中性之后，还包括：对所述硅料边皮进行喷砂，去除残留在所述硅料边皮表面的内嵌杂质。3.根据权利要求1所述的硅料边皮中杂质的去除方法，其特征在于，所述将硅料边皮放置于腐蚀液中浸泡预设时间为：将硅料边皮放置于酸腐...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭瑶，王义斌，邱建峰，周慧敏，徐志群，
申请(专利权)人：晶科能源有限公司，浙江晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：江西,36