本申请涉及一种沟槽栅金属氧化物半导体场效应管及其制备方法，包括：第一导电类型漂移区；第二导电类型体区，形成于漂移区内；第一导电类型源区，形成于体区内，源区开设有延伸至漂移区内的沟槽；沟槽内填充有相互隔离的第一导电结构和第二导电结构，第一...

本实用新型提供一种偏置试验板，包括以阵列排布的多个工位、第一接线柱、第二接线柱、第三接线柱、第一微带线、第二微带线及第三微带线；各所述工位均设置有第一固定电阻、第一快熔保险丝、第二固定电阻、第二快熔保险丝及纵向设置的第一源极接触点、第一...

本实用新型提供一种驱动应用模块，包括：信号隔离器、驱动单元、电压电流调节模块及功率放大器；所述信号隔离器的输入端接收频率信号，抑制所述频率信号中的干扰信号，输出工作频率信号；所述驱动单元的输入端连接所述信号隔离器的输出端，将接收到的所述...

本发明提供一种沟槽型肖特基二极管终端结构及其制作方法，该终端结构包括第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、多个元胞区沟槽结构、多个终端区沟槽结构、一过渡区沟槽结构、多个第二导电类型场限环结构、绝缘介质层、开口、正面肖特基阳极及背面阴极。...

本实用新型提供一种三相全桥功率集成MOSFET模块，包括：塑封体，设置于塑封体内的功率管、基岛及设置于塑封体边缘的管脚；其中，各功率管的源极和栅极通过打线的方式连接至基岛，漏极与对应基岛电连接；通过六个功率管的电连接实现三相全桥结构。本...

本实用新型提供一种场效应晶体管结电容损耗测试电路，所述测试电路包括：场效应晶体管、驱动模块、功率模块及测温模块，其中，所述驱动模块为所述功率模块提供一组互补驱动信号；所述功率模块基于一组互补驱动信号控制所述场效应晶体管结电容处于充电回路...

本实用新型提供一种浪涌电流测试电路，所述测试电路包括：充能模块、LC谐振模块及测试模块，其中，所述LC谐振模块一端连接所述充能模块，另一端连接测试二极管浪涌电流的所述测试模块；所述LC谐振电路提供不同脉宽、不同峰值的正弦浪涌电流。通过本...

本实用新型提供一种电瓶车的智能安防系统，包括获取电瓶车驾驶人的人脸轮廓图像和人脸全部图像的人脸识别模块、包括人脸图像库和人脸数据库的存储模块、存储人脸轮廓图像的图像单元、处理模块和控制模块；人脸图像库存储人脸全部图像，人脸数据库预存电瓶...

本实用新型提供一种电池短路保护电路及系统，包括：采样模块，一端连接于电池回路中，另一端接地，用于采集回路电流并输出相应的采样电压；短路判断模块，连接采样模块，并接收参考电压，比较采样电压与参考电压，以判断电池回路是否发生短路；第一短路保...

本实用新型提供一种电磁刹车控制电路，所述电磁刹车控制电路包括：线圈模块、通路切换模块及电源切换模块，其中，所述线圈模块一端连接所述通路切换模块，另一端连接所述电源切换模块；所述通路切换模块包括：相互切换导通的第一通路单元及第二通路单元；...

本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，器件包括：漂移区和形成于漂移区上表层的体区；形成于体区上表层第一掺杂区；第一沟槽，自体区内延伸至漂移区内，第二沟槽，贯穿第一掺杂区、体区并延伸至漂移区内，第一沟槽的侧壁和第二沟槽的侧壁均形成有氧化层...

本申请涉及一种IGBT器件及其制备方法，器件包括：漂移区；形成于漂移区内的体区；形成于体区内的第一掺杂区和第二掺杂区；沟槽，依次穿透第一掺杂区和体区并延伸至漂移区内；填充结构，包括形成于沟槽侧壁上且未形成于沟槽底部的氧化层和填充于沟槽内...

本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，器件包括：漂移区、形成于漂移区内的体区和形成于体区内的第一掺杂区和第二掺杂区；第一沟槽穿透第一掺杂区、体区并延伸至漂移区内，扩展区与漂移区导电类型相反且包围第一沟槽的底壁，第一沟槽内填充有位于底部的...

本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，包括：在漂移区内形成体区并在体区内形成第一掺杂区和第二掺杂区；第一沟槽穿透第一掺杂区、体区并延伸至漂移区内，扩展区与漂移区导电类型相反且包围第一沟槽的底壁，第一沟槽内填充有形成于沟槽侧壁上的介质层和...

本申请涉及一种沟槽栅VDMOS器件及其制备方法，其中，器件包括：漂移区、形成于漂移区内的体区、形成于体区上的源区，漂移区和源区具有第一导电类型，体区具有第二导电类型；源区开设有底部延伸至漂移区的第一沟槽和第二沟槽，各沟槽内壁形成有栅氧层...

本申请涉及一种IGBT器件及其制备方法，器件包括：漂移区；形成于漂移区内的体区；形成于体区内的第一掺杂区和第二掺杂区；沟槽，依次穿透第一掺杂区和体区并延伸至漂移区内；填充结构，包括形成于沟槽内壁上的氧化层和填充于沟槽内且相互隔离的第一导...

本申请涉及一种沟槽栅半导体器件及其制备方法，该器件包括有源区和位于有源区外围的终端区，其中，有源区包括：漂移区、位于漂移区上的体区以及位于体区上的第一掺杂区和第二掺杂区，沟槽栅通过对第一沟槽进行填充所形成，第一沟槽穿透第一掺杂区和体区并...

本发明提供一种电池充电控制电路及电池保护系统，包括：控制模块，提供调整信号；调整模块，基于调整信号调整充电开关的控制端电压；稳压模块，稳定充电开关的控制端电压；充电开关，连接于电池正极与充电器正极之间；还包括控制器，基于电池电压输出电池...

本发明提供MES生产系统的控制方法与设备。所述MES生产系统的控制方法包括：接收由移动设备发送的资料数据及与所述资料数据相关联的标识信息；将所述标识信息转换为MES生产系统格式的参数命令，并将所述资料数据转换为MES生产系统格式的各参数...

本发明提供一种场效应晶体管结构及制备方法，制备方法包括：提供半导体衬底，生长外延层，形成第一沟槽、第二沟槽，制备屏蔽介质层、屏蔽栅层、屏蔽栅隔离层、栅介质层、栅极层、引出栅第一介质层、第一引出栅层、引出栅隔离层、引出栅第二介质层以及第二...