一种驱动应用模块制造技术

本实用新型专利技术提供一种驱动应用模块，包括：信号隔离器、驱动单元、电压电流调节模块及功率放大器；所述信号隔离器的输入端接收频率信号，抑制所述频率信号中的干扰信号，输出工作频率信号；所述驱动单元的输入端连接所述信号隔离器的输出端，将接收到的所述工作频率信号放大，输出预动作频率信号；所述电压电流调节模块接收一直流信号，调节所述直流信号的电压及电流，得到电功率信号；所述功率放大器的第一输入端连接所述驱动单元，第二输入端连接所述电压电流调节模块，放大电功率信号，并基于所述预动作频率信号给MOS管提供驱动信号。本实用新型专利技术所述的一种驱动应用模块可以提供不同的驱动频率、驱动电压及驱动电流给MOS管，适用范围更广。用范围更广。用范围更广。

【技术实现步骤摘要】
一种驱动应用模块


[0001]本技术涉及一种功率MOSFET的驱动应用模块，特别是涉及一种驱动应用模块。

技术介绍

[0002]如图1所示为一现有技术中的一种功率MOSFET的驱动电路，电源IC直接驱动是我们最常用的驱动方式，同时也是最简单的驱动方式，使用这种驱动方式首先需要查看一下电源IC手册，明确其最大驱动峰值电流，因为不同芯片，驱动能力很多时候是不一样的。其次，了解一下MOSFET的寄生电容，图1中电容C1及电容C2为MOSFET的寄生电容，如果电容C1、电容C2的值比较大，MOS管导通需要的能量就比较大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，那么MOS管导通的速度就比较慢。如果驱动能力不足，上升沿可能出现高频振荡，即使把图1中Rg减小，也不能解决问题。IC驱动能力、MOS寄生电容大小、MOS管开关速度等因素，都影响驱动电阻阻值的选择，所以Rg并不能无限减小。为此，增添了图腾柱电路，如图1中虚线部分所示，由一个NPN型三极管和一个PNP型三极管的发射极串联、基极并联结构而形成的，作用在于提升电流驱动能力，迅速完成对于门极电荷的充电或者放电过程，驱动电路使用图腾柱型电路的图腾特性来增加驱动能力，开关管能快速开通且避免了上升的高频振荡。但是，图1中驱动电路还存在提供的驱动电压、电流固定不变的缺点，导致了此类驱动电路的应用场景比较固定，使用范围较小。
[0003]因此，本技术提出一种驱动应用模块用于解决现有功率MOSFET的驱动电路驱动电压固定、驱动能力弱、适用范围小的问题。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种驱动应用模块，用于解决现有技术中功率MOSFET的驱动电路驱动电压固定、驱动能力弱、适用范围小的问题。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种驱动应用模块，包括：信号隔离器、驱动单元、电压电流调节模块及功率放大器；
[0006]所述信号隔离器的输入端接收频率信号，抑制所述频率信号中的干扰信号，输出工作频率信号；
[0007]所述驱动单元的输入端连接所述信号隔离器的输出端，将接收到的所述工作频率信号放大，输出预动作频率信号；
[0008]所述电压电流调节模块接收一直流信号，调节所述直流信号的电压及电流，得到电功率信号；
[0009]所述功率放大器的第一输入端连接所述驱动单元，第二输入端连接所述电压电流调节模块，放大电功率信号，并基于所述预动作频率信号给MOS管提供驱动信号。
[0010]可选地，所述电压电流调节模块包括直流转直流变换器及扼流单元；所述直流转
直流变换器接收所述直流信号，对所述直流信号升压或降压后输出；所述扼流单元的输入端连接所述直流转直流变换器的输出端，将所述直流转直流变换器的输出信号限流后输出。
[0011]更可选地，所述直流转直流变换器上设置有电压调节接口。
[0012]更可选地，所述扼流单元上设置有电流调节接口。
[0013]可选地，所述驱动应用模块还包括信号放大器；所述信号放大器的输入端接收所述频率信号，输出端连接所述信号隔离器的输入端，将所述频率信号放大后提供给所述信号隔离器。
[0014]更可选地，所述驱动应用模块还包括信号发生器；所述信号发生器的输出端连接所述信号放大器的输入端，产生所述频率信号。
[0015]更可选地，所述驱动应用模块还包括交流转直流变换器；所述交流转直流变换器给所述信号发生器、所述驱动单元及所述电压电流调节模块提供电源。
[0016]可选地，所述驱动应用模块还包括电流泄放单元；所述电流泄放单元的输入端连接所述功率放大器的第二输出端，输出端连接所述电压电流调节模块的输入端，将所述MOS管关断时的泄放电流输出给所述电压电流调节模块。
[0017]可选地，所述驱动应用模块还包括电流泄放单元；所述电流泄放单元的输入端连接所述功率放大器的第二输出端，输出端接地，将所述MOS管关断时的泄放电流输出。
[0018]如上所述，本技术的驱动应用模块，具有以下有益效果：
[0019]1，本技术的驱动应用模块可以根据测试需要，调节驱动电压、驱动频率和驱动电流；在MOS管的实际应用过程中，可根据测试情况对MOS驱动做出相应的调整，适用范围广。
[0020]2，本技术的驱动应用模块可以在实际测试中，根据生产驱动需要，寻找更合适的MOS管，避免在选型上的时间浪费。
[0021]3，本技术的驱动应用模块与现有MOS管测试需要提供不同驱动的测试机台相比，提供针对单体MOS管在长时间的应用测试的驱动，不占用更多的测试机台。
[0022]4，本技术的驱动应用模块采用器件分离，价格低廉。
[0023]5，本技术的驱动应用模块可提供较高的驱动频率，结构紧凑，可以满足功率密度提高而导致的频率提升，便于验证MOS管在高频中的各项参数。
附图说明
[0024]图1显示为现有技术中的功率MOSFET的驱动电路结构示意图。
[0025]图2显示为本技术一种驱动应用模块的结构示意图。
[0026]元件标号说明
[0027]1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
信号隔离器
[0028]2ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
驱动单元
[0029]3ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
电压电流调节模块
[0030]31
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
直流转直流变换器
[0031]32
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
扼流单元
[0032]4ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
功率放大器
[0033]5ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
MOS管
[0034]6ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
信号放大器
[0035]7ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
信号发生器
[0036]8ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
交流转直流变换器
[0037]9ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
电流泄放单元
具体实施方式
[0038]以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0039]请参阅图2。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本技术的基本构想，遂图式中仅显示与本技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种驱动应用模块，其特征在于，所述驱动应用模块至少包括：信号隔离器、驱动单元、电压电流调节模块及功率放大器；所述信号隔离器的输入端接收频率信号，抑制所述频率信号中的干扰信号，输出工作频率信号；所述驱动单元的输入端连接所述信号隔离器的输出端，将接收到的所述工作频率信号放大，输出预动作频率信号；所述电压电流调节模块接收一直流信号，调节所述直流信号的电压及电流，得到电功率信号；所述功率放大器的第一输入端连接所述驱动单元，第二输入端连接所述电压电流调节模块，放大电功率信号，并基于所述预动作频率信号给MOS管提供驱动信号。2.根据权利要求1所述的驱动应用模块，其特征在于：所述电压电流调节模块包括直流转直流变换器及扼流单元；所述直流转直流变换器接收所述直流信号，对所述直流信号升压或降压后输出；所述扼流单元的输入端连接所述直流转直流变换器的输出端，将所述直流转直流变换器的输出信号限流后输出。3.根据权利要求2所述的驱动应用模块，其特征在于：所述直流转直流变换器上设置有电压调节接口。4.根据权利要求2所述的驱动应用模块，其特征在于：所述扼流单元上设置有电流调节接...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱仁强，谢果，焦伟，
申请(专利权)人：华润微电子重庆有限公司，
类型：新型
国别省市：