一种HEMT器件及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种HEMT器件及其制作方法，该器件包括半导体层、至少一栅极结构、第一绝缘层、点状漏极接触通孔、环状源极接触通孔、漏极欧姆接触金属层及源极欧姆接触金属层，其中，栅极结构划分为栅极汇流区、四个栅极环区及四个连接区，四个栅极环区均匀分布于栅极汇流区的四周，每一栅极环区通过一所连接区与栅极汇流区连接。本发明专利技术中，栅控制单元采用环形元胞结构，可以实现很小的源漏极串联电阻，配合双层互连技术，可以实现有源区面积占比的优化，有效提升器件的电流密度。另外，本发明专利技术中四个栅控制单元围绕一个栅极汇流区均匀分布，这种四合一的功能单元在器件整体布局时，相较于插指结构更为灵活多变，有利于提升版图设计的效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体功率器件，涉及一种hemt器件及其制作方法。

技术介绍

1、在功率电子领域，氮化镓器件主要为基于铝镓氮/氮化镓的高电子迁移率器件(algan/gan hemt)。得益于铝镓氮/氮化镓异质结中的高浓度二维电子气(2dge)，algan/gan hemt可以获得极高的功率密度和开关速度。

2、请参阅图1，显示为一种铝镓氮/氮化镓高电子迁移率器件的剖面结构示意图，包括衬底101、gan层102、algan层103、栅介质层104、栅极105、源极106、漏极107及钝化层108，其中，所述gan层102与所述algan层103的界面处形成有二维电子气层109。

3、在algan/gan hemt器件设计方面，由于其主要基于横向的二维电子气(2deg)沟道实现导通，故不同于硅基垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(si vdmos)、硅基绝缘栅双极型晶体管(si igbt)等传统功率电子器件，algan/gan hemt具有横向的器件结构。因此，器件所有的源(source)、漏(drain)、栅(gate)极均需要布置本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种HEMT器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求2所述的HEMT器件，其特征在于：所述HEMT器件中一个所述栅极环区对应一个栅控制单元，每一所述栅极结构对应的四个所述栅控制单元组成一功能单元，一所述功能单元的四个所述栅控制单元排列成两行两列，位于不同行的所述栅控制单元经过不同的所述漏极互连线，其中，所述行的方向为所述X方向，所述列的方向为所述Y方向。

4.根据权利要求3所述的HEMT器件，其特征在于：所述HEMT器件包括排列成至少两行及至少两列的多个所述功能单元，所述源极互连线位于相...

【技术特征摘要】

1.一种hemt器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的hemt器件，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求2所述的hemt器件，其特征在于：所述hemt器件中一个所述栅极环区对应一个栅控制单元，每一所述栅极结构对应的四个所述栅控制单元组成一功能单元，一所述功能单元的四个所述栅控制单元排列成两行两列，位于不同行的所述栅控制单元经过不同的所述漏极互连线，其中，所述行的方向为所述x方向，所述列的方向为所述y方向。

4.根据权利要求3所述的hemt器件，其特征在于：所述hemt器件包括排列成至少两行及至少两列的多个所述功能单元，所述源极互连线位于相邻两行所述功能单元之间。

5.根据权利要求2所述的hemt器件，其特征在于：所述hemt器件还包括位于所述源极互连线、所述漏极互连线及所述栅极互连线上方的漏极焊盘、源极焊盘、栅极焊盘及衬底焊盘，所述漏极焊盘与所述漏极互连线电连接，所述源极焊盘与所述源极互连线电连接，所述栅极焊盘与所述栅极互连线电连接，所述衬底焊盘与所述半导体层电连接。

6.根据权利要求1所述的hemt器件，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖霞，何元浩，
申请(专利权)人：华润微电子重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：