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本发明提供一种HEMT器件及其制作方法，该器件包括半导体层、至少一栅极结构、第一绝缘层、点状漏极接触通孔、环状源极接触通孔、漏极欧姆接触金属层及源极欧姆接触金属层，其中，栅极结构划分为栅极汇流区、四个栅极环区及四个连接区，四个栅极环区均匀分...
该专利属于华润微电子（重庆）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华润微电子（重庆）有限公司授权不得商用。

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