本实用新型提供一种复合沟槽型肖特基二极管器件，该器件包括衬底、外延层、沟槽结构阵列、肖特基金属层、正面金属电极层及背面金属电极层，其中，外延层位于衬底的正面；沟槽结构阵列位于外延层中并包括多个排列成至少两行及至少两列的沟槽结构阵列单元，...

本发明提供一种MOS管驱动电路及电池保护系统，包括：第一支路，包括串联的二极管及第一电阻，一端连接驱动信号，另一端连接所述MOS管的栅极；第二支路，包括串联的开关管及第二电阻，一端接地，另一端连接所述MOS管的栅极，所述开关管的控制端连...

本发明提供一种驱动电路，包括：控制模块，用于对第一电源电压进行电阻分压以产生控制电压；驱动模块，第一控制端连接控制模块的输出端，第二控制端通过第一电阻连接PWM信号，输入端连接第二电源电压，输出端通过第二电阻连接功率管的栅极；用于在PW...

本发明提供一种用于图像配准的误匹配剔除算法和装置、存储介质和终端，其中方法通过预设梯度值计算方式计算匹配点对集中所有匹配点对的梯度值，基于梯度值对匹配点进行排序并获取训练点对子集，基于训练点对子集计算得到单应矩阵H，而后通过单应矩阵H对...

本发明公开一种具有安全工作区SOA限制的超结MOSFET SPICE模型建立方法，应用于电子元器件建模领域。常用功率MOSFET SPICE模型仅用反偏二极管实现对定值击穿的模拟，以限制器件的工作范围；本发明基于超结MOSFET特有的叠...

本发明提供一种超结MOSFET器件，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的缓冲层，位于衬底上；超结结构，位于缓冲层上，超结结构包括沿横向依次交替间隔分布的多个第一导电类型柱和第二导电类型柱，第二导电类型不同于第一导电类型；其中，若干第...

本实用新型提供一种基于一线通的电动两轮车智能仪表控制系统和电动两轮车，包括车辆本体和控制系统，所述控制系统包括数据采集单元、主控制器和智能显示仪表；所述数据采集单元用于采集所述电动两轮车的车辆信息；所述主控制器用于将所述车辆信息发送至所...

本发明提供一种LED驱动电源、电源电路及供电方法，包括：整流模块，整流交流电压得到输入电压；第一二极管及第二二极管同向串联后并联于整流模块输出端；第一电感的第一端连接第一二极管的阴极，第二端连接主开关的第一端；续流模块并联于第一电感两端...

本发明提供一种PCB电路板、二极管特性测试系统及方法，包括：功率开关管，可调的回路电阻，可调的主回路电感，可调的电源模块，驱动信号产生模块，待测二极管及可调的二极管结电容；功率开关管的一端依次经由回路电阻及主回路电感连接电源模块的正极，...

本发明提供一种低功耗供电模块、锂电池保护板、电源电路及产生方法，包括：分压单元、PMOS管、第一电阻、第二电阻、稳压二极管及NPN三极管；所述分压单元接收输入电压，对所述输入电压进行分压；所述PMOS管的漏极连接所述分压单元的输出端，栅...

本发明提供一种MOSFET器件及制备方法，引入具有不同掺杂浓度的双层外延以及较深的具有不同厚度栅介电层的沟槽栅极结构，能够使得在一定沟槽深度情况下MOSFET器件取得较高的耐压，显著降低了导通电阻和反向恢复时间；在沟槽栅极结构中，形成的...

本发明提供一种电压调节的非线性控制方法，输出电压可以实现无超调控制；求解切换系数的过程中把电流参数消除了，最终不会用到电流参数不用检测系统的电流，减少了成本很大的电流检测环节；切换系数是与电感、电容和电阻这些参数无关的，这就保证了控制方...

本发明提供一种功率晶体管的测试系统和测试方法，功率晶体管测试系统包括：第一驱动模块，第二驱动模块，等效寄生参数模块，供电电源，第一电感，第二电感，第一开关，第二开关，第一NMOS管，第二NMOS管；功率晶体管测试系统还包括温控装置，第三...

本发明公开一种平衡超结MOSFET漏源电容的SPICE宏模型建立方法，应用于电子元器件建模领域，解决现有超结MOSFET寄生电容建模方案中拟合难度高、精度差的问题，本发明首先测试获得超结MOSFET寄生电容随漏源电压变化的数据；然后基于...

本实用新型提供一种高压功率器件，包括衬底及栅极结构，衬底内形成有间隔设置的第一P型体区和第二P型体区，第一P型体区内形成有N型有源区，第二P型体区位于两个第一P型体区之间，且第二P型体区内未形成有N型有源区；栅极结构位于第一P型体区和第...

本实用新型提供一种MEMS气体传感器，包括衬底、绝缘层、加热电极、测试电极及气敏材料层，衬底中设置有隔热槽，绝缘层中设置有通孔，通孔与隔热槽相连通，加热电极和测试电极共同位于单层的绝缘层上，测试电极包括一对相向设置的梳齿状电极，测试电极...

本实用新型提供一种MEMS气体传感器，所述MEMS气体传感器包括衬底、绝缘层、加热电极、测试电极及气敏材料层，所述衬底中设置有隔热槽，所述绝缘层中设置有通孔，所述通孔与所述隔热槽相连通，所述加热电极和测试电极共同位于单层的所述绝缘层上，...

本发明GaN器件互联结构及其制备方法，制备方法包括：提供包括源极区、漏极区和栅极区的半导体基底，半导体基底表面定义有相互垂直的第一方向和第二方向；制备栅极组合结构，包括栅指及栅极互联预留部，相邻两条栅指的连接方向为第一方向；制备第一介质...

本发明提供一种GaN器件结构及其制备方法，制备方法包括：提供包括半导体衬底、GaN沟道层及势垒层的半导体基底，制备绝缘层、源极金属、漏极金属、栅极金属、源极互联柱、漏极互联柱，在切割道区制备引出沟槽，在引出沟槽的侧壁及底部形成连续的屏蔽...

本申请涉及一种沟槽栅金属氧化物半导体场效应管及其制备方法，包括：第一导电类型漂移区，形成于半导体衬底上；第二导电类型体区，形成于漂移区内；第一导电类型源区，形成于体区内，源区开设有穿透源区和体区并延伸至漂移区内的沟槽；沟槽内填充有相互隔...