本发明公开了一种垂直结构LED芯片及其制作方法，从下至上依次包括衬底层、粘结层、键合层、阻挡层、N电极层、绝缘反射层、欧姆接触层、外延片和分布在外延片外侧的P电极，所述外延片从下至上依次包括p‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱层和n...

本发明公开了一种侧向场FBAR结构及其制造方法，结构包括：衬底，键合层，压电层和电极。具体的，在其中一硅衬底上依次生长电极层和压电层，在压电层上生长键合层，对另一硅衬底刻腔，生长键合层，对两晶圆片对准键合，去除掉生长电极层的硅，再对电极...

本发明公开了基于铌酸锂薄膜的空气隙型剪切波谐振器及其制备方法，通过对电极形状、电极尺寸、压电材料取材、厚度等方面的优化设计，减小了横波寄生模式的影响，使得谐振器仅工作在剪切波模式下，提高了谐振器的品质因数；在双抛高阻硅片的一个表面先后沉...

本发明公开了一种钪掺杂氮化铝兰姆波谐振器与制备方法，结构包括：单晶衬底层、键合材料、压电层和叉指电极，所述压电层为钪掺杂单晶氮化铝，所述叉指电极包括安装在所述压电层上表面的顶电极和安装在所述压电层底面的底电极。具体的，通过采用单晶材料作...

本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，其中谐振器包括：衬底，衬底上开设有空腔；键合层，设在空腔外的衬底的上表面；底电极层，底电极层设在键合层的上表面，并完全覆盖空腔；在底电极层外设有填补层，使底电极层与填补层齐平；压电层设在底电...

本发明公开了一种空气隙型薄膜体声波谐振器及其制备方法，所述谐振器从下到上依次分布转移衬底、键合层、底电极、压电薄膜与顶电极；所述键合层、底电极与转移衬底围成空气隙结构，所述压电薄膜的上表面与下表面分别连接有相对的顶电极与底电极，且所述底...

本实用新型公开了一种一体式减薄装置，包括机体、旋转托盘、存储筒、和晶圆转移组件，机体上设有磨削机构，旋转托盘可转动地设于机体上，旋转托盘上设有至少两个承片台系统，存储筒设于机体上，晶圆转移组件包括电动滑轨、伸缩机构以及第一真空吸盘，电动...

本发明公开了一种体声波谐振器及其制备方法，从下至上依次分布外延衬底、键合层、支撑层、底电极、压电薄膜、顶电极与介质层；压电薄膜的上表面还设有与顶电极位置不重合的电容下电极，介质层包覆于电容下电极的外表面，且顶电极的上表面显露于介质层；在...

本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，其中谐振器包括：衬底，衬底上开设有空腔；键合层，包括设在空腔外的衬底上表面的第一键合层和第二键合层，第一键合层的厚度小于第二键合层的厚度；底电极层，设在所述第一键合层的上表面，并完全覆盖空腔...

本发明公开了一种氮化物和金属薄膜沉积与修整设备，包括载片装置、修膜装置、金属溅射装置、氮化物溅射装置、传送装置；传送腔分别与载片腔、修膜腔、金属溅射腔、氮化物溅射腔的晶片传送口连通；在每个晶片传送口处均安装有阀门，每个阀门都能够实现独立...

本发明公开了空气隙型薄膜体声波谐振器，包括从下至上依次分布的外延衬底、压电层、及钝化层，压电层的上表面与下表面分别相对相连接有顶电极与底电极；外延衬底的顶部设有第一硅腔，底电极与第一硅腔形成空气隙结构。还公开了其制备方法，选用硅衬底作为...

本发明公开了一种薄膜腔声谐振器及制备方法，其中谐振器包括：硅衬底，所述硅衬底上设有空腔；电极层，包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层设为石墨烯薄膜，所述第一电极层和第二电极层依次设在所述硅衬底上方，所述第一电极层和第二电极层的水平...

本发明公开了一种曝光机自动上下片装置，包括传送机械手、第一装片卡槽、第二装片卡槽、自动对平边装置与曝光机，所述传送机械手设置在所述曝光机前端，所述第一装片卡槽设置在所述传送机械手左侧，所述自动对平装置设置在所述传送机械手与所述曝光机之间...

本发明公开了一种圆形垂直结构LED芯片，包括键合衬底、金属层、发光外延层、N电极和绝缘保护层；键合衬底、金属层和发光外延层自下自上依次同轴心层叠，发光外延层为圆形；绝缘保护层台阶式依次套设于保护层、金属层和发光外延层外；N电极包括位于内...

本发明公开了一种垂直结构LED芯片，该芯片在矩形的衬底上采用圆形发光面，圆形发光面内设置有多个N电极柱，多个N电极柱以圆环型或者多边形的形式、中心对称或者轴对称地分布在圆形发光面中，N电极柱底端与基底层电性连接、顶端与圆形发光面电性连接...

本发明提供一种单片集成的射频器件、制备方法以及集成电路系统，制备方法包括：在第一基板上生成外延层；将外延层加工为至少一个电子器件，并在电子器件远离第一基层的一侧形成具有至少一个通孔的钝化层；在第二基板上依次形成压电薄膜、金属电极以及布拉...

本发明提供一种提高FBAR滤波器制备良率的方法以及FBAR滤波器，该方法包括：在第一基板上生成压电薄膜，并形成至少一个第一电极；形成支撑层，对支撑层进行刻蚀形成第一支撑层空腔，在支撑层一侧形成第一键合层；在键合衬底的一侧第二键合层，另一...

本发明公开了一种一体式减薄装置，包括机体、旋转托盘、存储筒、和晶圆转移组件，机体上设有磨削机构，旋转托盘可转动地设于机体上，旋转托盘上设有至少两个承片台系统，存储筒设于机体上，晶圆转移组件包括电动滑轨、伸缩机构以及第一真空吸盘，电动滑轨...

本发明公开了一种芯片双面对准键合机，包括具有第一标识的顶部卡盘、设置在所述顶部卡盘下方的具有第二标识的底部卡盘、设置在所述顶部卡盘与所述底部卡盘之间的机械臂、用于带动所述顶部卡盘的第一驱动机构以及用于带动所述底部卡盘横向移动的第二驱动机...

本发明公开了一种超高反射率的紫外通孔结构的LED芯片，包括外延衬底和在外延衬底上生长的LED外延片；LED外延片包括n型掺杂GaN薄膜、InGaN或AlGaN/GaN多量子阱以及p型掺杂GaN薄膜，InGaN或AlGaN/GaN多量子阱...