本发明公开了一种贴片式HEMT

本发明公开了一种HEMT与阵列LED单片集成芯片，包括HEMT区域及LED区域，HEMT区域包括高阻衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层及HEMT电极层；LED区域包括至少两个阵列设置的LED单元及第一金属连接桥，第一金属...

本发明公开了一种用于通信的LED的器件，包括衬底、若干个并联的并设置在所述衬底的芯粒、以及设置在若干个芯粒顶部的P电极；所述芯粒在所述衬底自下而上依次设置有非掺杂的GaN缓冲层、N

本发明公开了一种用于可见光通信的LED器件，包括衬底、若干个并联的并设置在所述衬底的芯粒、以及设置在若干个芯粒顶部的P电极，所述芯粒在所述衬底自下而上依次生长有非掺杂的GaN缓冲层、N

本发明提供一种电极共面LED基板及其制备方法，该电极共面LED基板包括：绝缘衬底；贯穿所述绝缘衬底的P型引出电极和N型引出电极；以及位于所述绝缘衬底一侧的导电粘结层。制备方法包括以下步骤：在所述绝缘衬底上制备贯穿所述绝缘衬底的电极通道；...

本发明提供一种图形化Ag薄膜的制备方法，该制备方法包括以下步骤：制备Ag薄膜；在Ag薄膜表面预形成图形化样式的部分涂覆光刻胶；将Ag薄膜未涂覆光刻胶的部分进行氧化处理至该部分转变成Ag

本发明公开了一种可见光通信阵列式芯片LED灯珠，包括N个发光波长不同、面积不同的单波长LED芯片和Y个白光LED芯片以有序的排列方式封装在同一灯珠之内，N≥2，Y≥1，单波长芯片之间的发光波长根据CIE色度图进行组合，最终组合为白光；所...

本发明公开了一种可见光通信LED器件，通过将多个微阵列可单独寻址的LED芯片集成在一起，多个LED芯片分成不同光色的LED芯片区域，利用不同区域的芯片明暗交替，来实现信号识别的。LED器件由R、G、B区和白光区四个部分的芯片组成，R、G...

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种光刻套刻标记及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：步骤S1：制作标记点图形，将标记点图形转移至芯片上，露出外延层；步骤S2：刻蚀外延层；步骤S3：蒸镀金属标记点，金属结构为CrAlTiPtAu；C...

本发明公开了一种固态装配型薄膜体声波谐振器及其制作方法。该制备方法包括以下步骤：在制备衬底上制作该声波谐振器的薄膜结构层；将制备衬底和其上制作的薄膜结构层一起，以该薄膜结构层的一面固定于支撑衬底上；将制备衬底去除，在薄膜结构层之上沉积顶...

本发明公开了一种基于改进Mason模型的FBAR滤波器优化方法。应用电磁

本实用新型公开了基于铌酸锂薄膜的空气隙型剪切波谐振器，通过对电极形状、电极尺寸、压电材料取材、厚度等方面的优化设计，减小了横波寄生模式的影响，使得谐振器仅工作在剪切波模式下，提高了谐振器的品质因数；在双抛高阻硅片的一个表面先后沉积保护层...

本实用新型公开了一种侧向场FBAR结构，包括：衬底，键合层，压电层和电极；具体的，在其中一硅衬底上依次生长电极层和压电层，在压电层上生长键合层，对另一硅衬底刻腔，生长键合层，对晶圆片填充牺牲层，做平面化处理，对两晶圆片对准键合，去除掉生...

本实用新型公开了一种钪掺杂氮化铝兰姆波谐振器，结构包括：单晶衬底层、键合材料、压电层和叉指电极，所述压电层为钪掺杂单晶氮化铝，所述叉指电极包括安装在所述压电层上表面的顶电极和安装在所述压电层底面的底电极。具体的，通过采用单晶材料作为衬底...

本实用新型公开了一种整面反射镜的垂直结构LED芯片，结构包括：n电极、外延层、绝缘层、反射金属层、保护层金属、键合层金属和支撑导电基板。具体的，键合层金属顶部设有第一凸起，保护层金属包括第一凹槽和第二凸起，反射金属层包括第二凹槽和第三凸...

本实用新型公开了一种垂直结构LED芯片，从下至上依次包括衬底层、粘结层、键合层、阻挡层、N电极层、绝缘反射层、欧姆接触层、外延片和分布在外延片外侧的P电极，所述外延片从下至上依次包括p‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱层和n‑GaN...

本实用新型公开了一种利用射频电容优化的硅背刻蚀型单晶薄膜体声波谐振器，结构包括：第一硅衬底、串联单晶薄膜体声波谐振器、第一电极层、并联单晶薄膜体声波谐振器、第二电极层和第一射频耦合电容，串联单晶薄膜体声波谐振器通过第一电极层与并联单晶薄...

本实用新型公开了一种侧向场FBAR结构，结构包括：衬底，键合层，压电层和电极。具体的，在其中一硅衬底上依次生长电极层和压电层，在压电层上生长键合层，对另一硅衬底刻腔，生长键合层，对两晶圆片对准键合，去除掉生长电极层的硅，再对电极图形化；...

本实用新型公开了一种双面透明电极的垂直结构LED芯片，结构从下至上依次包括支撑导电基板、键合金属层、保护金属层、反射金属层、p面透明电极、外延层、钝化绝缘层和n面透明电极，其中，所述钝化绝缘层设置在所述外延层的外周，并与所述外延层顶部形...

本实用新型公开了空气隙型薄膜体声波谐振器，包括从下至上依次分布的外延衬底、压电层及钝化层，所述压电层的上表面与下表面分别相对相连接有顶电极与底电极；所述外延衬底的顶部设有第一硅腔，所述底电极与第一硅腔形成空气隙结构。本实用新型结构简单，...