本发明公开了一种干湿法补偿以提升垂直结构LED芯片光提取率的方法，包括，LED外延片生长步骤、电子束蒸发步骤、键合步骤、去除衬底步骤、刻蚀步骤、湿法腐蚀步骤和垂直LED芯片制备步骤。本发明的方法将湿法和干法的优点结合在一起，形成干法和湿...

本发明公开了一种具有占空比优化的通孔超结构的LED芯片，包括键合衬底层、设置于所述键合衬底层上的n型电极层、设置于所述n型电极层上的绝缘层、设置于所述绝缘层上的保护层、设置于所述保护层上的反射层、设置于所述反射层上的p型GaN层、设置于...

本发明公开了一种超结构LED芯片，包括键合衬底和发光层级结构，所述键合衬底与发光层级结构之间还依次设有第一粘附层、阻挡层、键合层和第二粘附层，所述第一粘附层粘附于键合衬底，所述第二粘附层粘附于发光层级结构；其中，所述第一粘附层为Cr粘附...

本发明公开了一种硅基3D通孔超结构LED芯片及其制备方法，包括在外延衬底上依次生长n‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱层和p‑GaN层，接着制备反射镜层和反射镜保护层，并进行开孔，然后制备绝缘层，再制备填充孔内的N金属电极及键合层金...

本发明公开了一种高光提取效率的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括导电衬底层和设置于所述导电衬底层上的金属键合层，所述金属键合层上设置有金属反射层以及设置于所述金属反射层上的p型GaN层，所述p型GaN层上设有InGaN/...

本发明公开了基于应力调控的提高垂直结构LED芯片反射镜反射率的方法，包括LED外延片生长的步骤、生长不同厚度的纳米Ag反射镜的步骤、对生长得到的纳米Ag反射镜进行系列表征测试的步骤、键合及衬底转移的步骤、制备PA层及n电极的步骤、总结应...

本发明公开了一种垂直结构LED芯片，包括衬底层和设置于衬底层上的键合层，键合层上设有第一保护层和设置于所述第一保护层上的X‑dots/Ag/Y反射镜层，X‑dots/Ag/Y反射镜层上设有p‑GaN层和设置于p‑GaN层上的InGaN/...

本发明提供湿法剥离中防止垂直结构LED衬底被腐蚀的方法，该方法用于防止垂直结构LED片在硅腐蚀液湿法剥离过程中不被腐蚀，该垂直结构LED片自下至上依次由硅衬底、LED外延层和金属衬底复合而成；该方法依次包括清洗、预热、涂蜡形成蜡层、键合...

本实用新型公开一种采用SiN插入层在Si衬底上生长的LED外延片，具体是采用金属有机化合物气相外延在Si衬底上生长LED外延片，其结构包括Si衬底层、依次生长在Si衬底层的AlN缓冲层、步进AlxGa1‑xN缓冲层和AlN插入层、下层三...

本发明提供湿法剥离中防止氮化镓基垂直LED衬底被腐蚀的方法，该方法用于防止氮化镓基垂直LED片硅腐蚀液湿法剥离过程中不被腐蚀，该氮化镓基垂直LED片自下至上依次由硅衬底、LED外延层和金属衬底复合而成；该方法依次包括清洗、旋涂表面处理剂...

本发明公开了一种晶圆级LED垂直芯片的制作方法,包括以下步骤：1)Si图形衬底的制作；2)LED外延层的生长；3)SiO2阻隔层的制作；4)防腐层的制作；5)键合基板的准备；6)晶圆级键合；7)Si图形衬底的剥离；8)N电极的制作。本发...

本发明公开了一种生长在钇铝石榴石衬底上的LED外延片，包括钇铝石榴石衬底，在所述钇铝石榴石衬底上依次生长GaN缓冲层、非掺杂GaN层、n型掺杂GaN薄膜、InGaN/GaN量子阱和p型掺杂GaN薄膜。该LED外延片陷密度低、结晶质量好，...

本发明公开了一种采用L‑MBE和MOCVD技术在Si衬底上生长的LED外延片，包括Si衬底以及在Si衬底上依次生长的单晶Al薄膜、AlGaN缓冲层、n‑GaN层、InGaN/GaN MQWs量子阱层以及p‑GaN层；自单晶Al薄膜向n‑...

本发明公开了一种在Si衬底上外延生长的高质量AlN薄膜及其制备方法，具体地，该方法包括以下步骤：1)选取Si衬底；2)外延预铺Al层；3)生长AlN成核层和4)生长AlN薄膜，其中，在AlN薄膜生长过程中，通入0.2‑0.5mL/min...

本发明公开了生长在钇铝石榴石衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括钇铝石榴石衬底、GaN缓冲层和InGaN/GaN量子阱，所述钇铝石榴石衬底上依次生长所述GaN缓冲层和所述InGaN/GaN量子阱。该InGaN/GaN多量子阱缺陷密度...

本发明公开了一种垂直结构LED的衬底剥离方法，该垂直结构LED包括依次层叠的高掺硅层、LED芯片层和硅衬底层，该方法包括以下步骤：1)首次超声清洗；2)研磨：使用金刚石磨盘对硅衬底层进行研磨，设置减薄量为硅衬底层总厚度的20‑90％；3...

本发明公开了一种生长在钇铝石榴石衬底上的GaN薄膜，包括钇铝石榴石衬底和GaN薄膜；所述GaN薄膜外延生长在所述钇铝石榴石衬底上；所述钇铝石榴石衬底以(111)面偏(100)面0.5‑1°为外延面，所述钇铝石榴石衬底和所述GaN薄膜的取...

本发明公开了一种采用晶圆级Si图形衬底制作LED垂直芯片的方法,包括以下步骤：1)Si图形衬底的制作；2)LED外延层的生长；3)SiO2阻隔层的制作；4)防腐层的制作；5)沟槽处光刻胶的填充；6)Cu支撑层的电镀；7)Si图形衬底的腐...

本实用新型提供一种氮化镓基发光二极管外延结构，该外延结构自下至上依次包括：衬底、形核层、缓冲层、N型GaN层、多量子阱有源区、电子阻挡层、P型III族氮化物叠层；所述P型III族氮化物叠层由P型GaN层和P型InxGa1-xN层依次交替...

本发明提供一种在铝衬底上外延生长的AlGaN薄膜及其制备方法，包括以下步骤：1)取Al衬底，在Al衬底表面退火处理；2)外延生长AlGaN薄膜：将步骤1)处理后的Al衬底，以Al(111)面为外延面，利用激光烧蚀GaN靶材外延生长AlG...