一种侧向场FBAR结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种侧向场FBAR结构及其制造方法，结构包括：衬底，键合层，压电层和电极。具体的，在其中一硅衬底上依次生长电极层和压电层，在压电层上生长键合层，对另一硅衬底刻腔，生长键合层，对两晶圆片对准键合，去除掉生长电极层的硅，再对电极图形化；通过本发明专利技术公开的一种侧向场FBAR结构及其制造方法，通过键合实现薄膜转移，使得压电层和电极层在硅衬底上生长，避免了传统的在化学机械抛光后的不完全平面生长的薄膜质量下降，而另一方面，实体键合可以相对带腔的键合提升键合的良率，该FBAR可以制造应用于传感器及滤波器中，在具体应用中有良好的性能表现。

A kind of side field FBAR structure and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
一种侧向场FBAR结构及其制造方法
本专利技术涉及MEMS器件
，特别地是一种侧向场FBAR结构及其制造方法。
技术介绍
进入新千年后，FBAR的研制飞速发展，而在2002年，随着安捷伦成功研制并商业化应用于通信的FBAR器件，FBAR技术迅速发展起来。这个时期，国外多家企业和研究机构投入研究，并取得了成就，使得FBAR技术不断成熟和普及。而与此同时，这些研究单位对这些技术，形成了大量的专利保护。国内对FBAR的研究起步较晚，且基础较薄弱，FBAR的很多的基础被国外都有形成专利保护，因此，在技术上的优势，近乎形成了垄断。在这种情况下，按现有思路很难进行突破，因为这一套一序列的技术都已经较为成熟和完善了。但正是因为这样，FBAR这一
的重要性，自主化又更显得紧迫。这便需要新的思路，即新的应用和新的技术创新，带来突破口。FBAR(filmbulkacousticresonator，薄膜腔声谐振)是具有压电效应材料和能够形成(逆)压电效应结构的所构造的元器件。使用硅底板、借助MEMS技术以及薄膜技术而制造出来的。FBAR的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种侧向场FBAR结构，其特征在于，包括：/n第一衬底，所述第一衬底用作生长薄膜转移的载体；/n电极层，所述电极层通过溅射生长于所述第一衬底的上端面；/n压电层，所述压电层生长于所述电极层的上端面；/n第一键合层，所述第一键合层生长于所述压电层上端面的四周，使所述压电层的上端面中部裸露；/n第二衬底，所述第二衬底的上端面中部刻蚀有凹槽；以及/n第二键合层，所述第二键合层生长于所述第二衬底除去所述凹槽的上端面四周；/n对所述压电层进行图案化掩膜，在所述压电层上刻蚀通孔；将所述第一衬底倒置后，所述第一键合层与所述第二键合层相互对准，通过键合机键合所述第一键合层与所述第二键合层实现所述第一衬底与...

【技术特征摘要】
1.一种侧向场FBAR结构，其特征在于，包括：
第一衬底，所述第一衬底用作生长薄膜转移的载体；
电极层，所述电极层通过溅射生长于所述第一衬底的上端面；
压电层，所述压电层生长于所述电极层的上端面；
第一键合层，所述第一键合层生长于所述压电层上端面的四周，使所述压电层的上端面中部裸露；
第二衬底，所述第二衬底的上端面中部刻蚀有凹槽；以及
第二键合层，所述第二键合层生长于所述第二衬底除去所述凹槽的上端面四周；
对所述压电层进行图案化掩膜，在所述压电层上刻蚀通孔；将所述第一衬底倒置后，所述第一键合层与所述第二键合层相互对准，通过键合机键合所述第一键合层与所述第二键合层实现所述第一衬底与所述第二衬底之间的连接；所述第一衬底与所述第二衬底键合后形成空腔；空腔通过通孔与外界连接，平衡压差；再去除位于上端的所述第一衬底；对所述电极层进行图案化掩膜，通过腐蚀电极层形成电极及连接部分；在电极间隔间生长用于调频的化合物。


2.根据权利要求1所述的一种侧向场FBAR结构，其特征在于：所述第一衬底和所述第二衬底均采用高阻硅制作而成，高阻硅的电阻率大于10000Ω·m。


3.根据权利要求1所述的一种侧向场FBAR结构，其特征在于：所述第一键合层和所述第二键合层均采用SiO2，PI中的一种非金属材料制作而成。


4.根据权利要求1所述的一种侧向场FBAR结构，其特征在于：所述电极层采用Al、Mo、Pt中的一种电极材料通过溅射的方法生长于所述第一衬底的上端面。


5.根据权利要求1所述的一种侧向场FBAR结构，其特征在于：
所述压电层采用AlN，LiNbO3，ZnO中的一种材料制作而成。


6.根据权利要求1所述的一种侧向场FBAR结构，其特征在于：所述化合物为AlN，SiO2中的一种。


7.根据权利要求1所述的一种侧向场FBAR结构，其特征在于：所述凹槽的深度为1～3um。


8.根据权利要求1所述的一种侧向场FBAR结...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，
申请(专利权)人：河源市众拓光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44