用于高真空条件下的碳化硅吸波组件制造技术

本发明专利技术提供了一种用于高真空条件下的碳化硅吸波组件，包括结构化基底，所述结构化基底设有吸波劈尖。本发明专利技术为无机非金属材料，通过模具成型，再经过高温烧结，具有很低的挥发性，能够满足真空使用要求，同时具有良好的导热性。通过调整氧化铝颗粒和石墨的比例，优化设计方锥的高度和角度，使得碳化硅吸波组件的吸波性能在目标频段内达到最优。通过优化结构设计，调整氧化铝颗粒和石墨比例，具有良好的吸波性能的同时又具有优良的导热性能，可以进行精确的外热流模拟，可用于耐真空可控温微波暗室的建设。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种用于高真空条件下的碳化硅吸波组件，包括结构化基底，所述结构化基底设有吸波劈尖。本专利技术为无机非金属材料，通过模具成型，再经过高温烧结，具有很低的挥发性，能够满足真空使用要求，同时具有良好的导热性。通过调整氧化铝颗粒和石墨的比例，优化设计方锥的高度和角度，使得碳化硅吸波组件的吸波性能在目标频段内达到最优。通过优化结构设计，调整氧化铝颗粒和石墨比例，具有良好的吸波性能的同时又具有优良的导热性能，可以进行精确的外热流模拟，可用于耐真空可控温微波暗室的建设。【专利说明】用于高真空条件下的碳化硅吸波组件
本专利技术涉及吸波材料
，具体涉及一种用于高真空条件下的碳化硅吸波组件
技术介绍
天线作为空间飞行器的载荷，开机功率较大，空间飞行器的热设计需要重点关注。空间环境模拟器内部的热沉和真空容器壁以及工装吊具等全部为金属材料，金属材料对于微波具有很好的反射效果，天线发射的微波必然有很大比率反射回去，如果反射回来的微波功率超过一定量，就可能造成接收天线敏感元件的损坏。因此，为避免反射微波干扰其正常工作，通常需要对天线进行改装，安装有线负载以吸收微波能量，即真空热试验前先改装天线系统，接上有线负载，试验结束后再将有线负载拆除，将天线恢复原状。这种试验方式存在以下缺点:I)改装工作增加了试验工作量，且随着新一代产品的复杂度大幅增加，产品越来越细小，一方面改装将变得非常困难，另一方面即使进行改装，由于元件细小脆弱，在改装过程中面临着很大的风险，拆装前后的状态可能无法一致甚至使产品的可靠性降低，正在预研的更新一代产品的复杂程度提高了数倍，拆装有线负载带来的流程拖延和安全性风险将不可接受，因此，新一代产品难以沿用原有的试验方法；2)改装空间飞行器改变了天线系统的真实状态，影响试验的有效性，新一代产品的热设计也更加复杂，如果仍以有线负载模式进行真空热试验，将无法考察微波的热效应对于产品热设计的影响，因此必须进行实际模式的试验验证工作，通过直接进行真实的微波发射状态来完成试验，以考核微波发射对于热设计的影响程度。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术中存在的上述不足，提供了一种用于高真空条件下的碳化硅吸波组件，该吸波组件具有良好的吸波性和导热性，可用于耐真空可控温微波暗室的建设。为了达到上述的目的，本专利技术是通过以下技术方案实现的。一种用于高真空条件下的碳化硅吸波组件，包括结构化基底和吸波劈尖，所述吸波劈尖通过二次压铸烧结与结构化基底成为整体。优选地，所述结构化基底为多个方锥组合形成的阵列结构。优选地，所述多个方锥包括热电偶方锥和普通方锥，所述普通方锥为实心结构，所述热电偶方锥内部设有热电偶安装孔。优选地，所述方锥为16个，采用4X4阵列单元，其中，每个单元的中心处均设有一个安装孔。优选地，为满足X波段吸波效果，所述方锥高度为40_。优选地，所述用于高真空条件下的碳化硅吸波组件，采用的材质为:通过在碳化硅中掺入氧化铝及石墨颗粒，经过高温烧结制得。与现有技术相比，本专利技术具有如下的有益效果:⑴本专利技术的一种用于高真空条件下的碳化硅吸波组件，为无机非金属材料，通过模具成型，再经过高温烧结，具有很低的挥发性，能够满足真空使用要求，同时具有良好的导热性。⑵本专利技术的一种用于高真空条件下的喷涂型吸波组件，通过调整氧化铝颗粒和石墨的比例，优化设计方锥的高度和角度，使得碳化硅吸波组件的吸波性能在目标频段内达到最优。⑶本专利技术的一种用于高真空条件下的碳化硅吸波组件，通过优化结构设计，调整氧化铝颗粒和石墨比例，具有良好的吸波性能的同时又具有优良的导热性能，可以进行精确的外热流模拟，可用于耐真空可控温微波暗室的建设。【专利附图】【附图说明】通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显:图1是一种用于高真空条件下的碳化硅吸波组件的主视图。图2是一种用于高真空条件下的碳化硅吸波组件的俯视图。图3是一种用于高真空条件下的碳化硅吸波组件的剖面图。图中:11为结构化基底，12为吸波劈尖，13为螺纹安装孔，14为热电偶安装孔。【具体实施方式】下面对本专利技术的实施例作详细说明:本实施例在以本专利技术技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本专利技术的保护范围。以下将结合图1至图3对本实施例作进一步的详细描述。本实施例提供了一种用于高真空条件下的碳化硅吸波组件，包括结构化基底和吸波劈尖，所述吸波劈尖通过二次压铸烧结与结构化基底成为整体。进一步地，所述结构化基底为多个方锥组合形成的阵列结构。进一步地，所述多个方锥包括热电偶方锥和普通方锥，所述普通方锥为实心结构，所述热电偶方锥内部设有热电偶安装孔。进一步地，所述方锥为16个，采用4X4阵列单元，其中，每个单元的中心处均设有一个安装孔。进一步地,为满足X波段吸波效果，所述方锥高度为40mm。进一步地，所述用于高真空条件下的碳化硅吸波组件，采用的材质为:通过在碳化硅中掺入氧化铝及石墨颗粒，经过高温烧结制得。本实施例具体为:如图1所示，11是结构化基底，为保证材料整体的一致性和吸波组件良好的导热性；12为吸波劈尖，可以将入射到吸波组件的微波能量吸收，避免反射信号过大，对天线接收单元造成损害；13为碳化硅吸波组件的螺纹安装孔，用于吸波组件的安装固定。如图2所示，用于高真空条件下的碳化硅吸波组件采用结构化设计，每个结构化单元的吸波组件上布置4个设有吸波劈尖的结构化基底，每4个设有吸波劈尖的结构化基底中设置一个安装孔。本实施例提供的用于高真空条件下的碳化硅吸波组件，能够在高真空环境下使用的吸波组件，同时具有良好的导热性。在本实施例中:结构化基底，所述结构化基底设有吸波劈尖。结构化基底和吸波劈尖分别通过压铸成型，然后再经过二次压铸成为整体，经过高温烧结而成，具有良好的导热性，而且在X波段具有良好的吸波性能，能够在高真空环境下使用，可用于耐真空可控温微波暗室的建设。所述结构化基底为多个方锥形成的阵列结构。用于安装热电偶的方锥，其内部留有热电偶安装孔，其他方锥均为实体结构。结构化基底采用4X4阵列单元，每个单元中心有一个安装孔，用于安装固定。碳化硅吸波组件采用的材质为无机非金属材料，通过模具成型，在碳化硅中掺入氧化铝及石墨颗粒，通过高温烧结制得，具有低的材料放气性，适合真空环境使用。方锥高度设置为40mm，保证方锥在X波段具有良好的吸波效果。以上对本专利技术的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本专利技术并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改，这并不影响本专利技术的实质内容。【权利要求】1.一种用于高真空条件下的碳化硅吸波组件，其特征在于，包括结构化基底和吸波劈尖，所述吸波劈尖通过二次压铸烧结与结构化基底成为整体。2.根据权利要求1所述的用于高真空条件下的碳化硅吸波组件，其特征在于，所述结构化基底为多个方锥组合形成的阵列结构。3.根据权利要求2所述的用于高真空条件下的碳化硅吸波组件，其特征在于，所述多个方锥包括热电偶方锥和普通方锥，所述普通方锥为实心结构，所述热电偶方锥内部设有热电偶安装孔。4.根据权本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王浩，李艳臣，季琨，陈丽，彭光东，
申请(专利权)人：上海卫星装备研究所，
类型：发明
国别省市：