本发明专利技术提供一种即便对于硬且脆的半导体晶片，亦可无破损地进行背面磨削的半导体晶片表面保护用膜。具体而言，本发明专利技术提供一种半导体晶片表面保护用膜，其包括：在150℃的储存弹性模量GA（150）为1MPa以上的基材层（A），以及在120℃～180℃的任意温度的储存弹性模量GB（120～180）为0.05MPa以下、且在40℃的储存弹性模量GB（40）为10MPa以上的软化层（B）。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术提供一种即便对于硬且脆的半导体晶片，亦可无破损地进行背面磨削的半导体晶片表面保护用膜。具体而言，本专利技术提供一种半导体晶片表面保护用膜，其包括：在150℃的储存弹性模量GA（150）为1MPa以上的基材层（A），以及在120℃～180℃的任意温度的储存弹性模量GB（120～180）为0.05MPa以下、且在40℃的储存弹性模量GB（40）为10MPa以上的软化层（B）。【专利说明】半导体装置的制造方法及该方法中所使用的半导体晶片表面保护用膜
本专利技术涉及半导体装置的制造方法以及该方法中所使用的半导体晶片表面保护用膜。
技术介绍
半导体装置的制造步骤中的半导体晶片的薄化加工通常通过磨削半导体晶片的电路非形成面(背面)来进行。背面磨削时的半导体晶片的电路形成面的保护可通过各种方法来进行。例如包含蓝宝石基板的半导体晶片的电路形成面的保护可通过以下方法来进行(例如专利文献I及非专利文献I)。即，准备在表面设有蜡树脂层的陶瓷板。接着，将蜡树脂层加热使其熔融，将蓝宝石基板的电路形成面嵌入至熔融状态的蜡树脂层。接着，将蜡树脂层冷却并使其固化。由此，通过蜡树脂层保护蓝宝石基板的整个电路形成面。作为蜡树月旨，通常由松香系蜡(包括松香、褐煤蜡及酚醛树脂等蜡、熔点50°c左右)构成。现有技术文献专利文献专利文献1:国际公开第2005/099057号非专利文献非专利文献1:DISC0 Press Release株式会社2009年11月5日因特网(URL:http://www.disco, c0.jp/jp/news/press/20091105.html)
技术实现思路
专利技术要解决的课题然而，上述方法中，为了将背面磨削后的蓝宝石基板自蜡树脂层剥离，必须使蜡树脂层加热熔融。而且，必须通过溶剂清洗除去蓝宝石基板表面所残留的蜡树脂，步骤烦杂。另外，背面磨削后的蓝宝石基板由于厚度非常薄，容易产生翘曲，因此有在这些步骤中容易破裂的问题。因此，本专利技术人等研究了通过较容易剥离的半导体晶片保护膜来保护蓝宝石基板的电路形成面的方法。以往的半导体晶片保护膜具有基材层与粘着层。并且，在将半导体晶片保护膜的粘着层贴附于半导体晶片的电路形成面后，磨削半导体晶片背面。然后，通过胶带剥离机等剥离半导体晶片保护膜。然而，使用以往的半导体晶片保护膜的方法中，存在背面磨削时蓝宝石基板的端部容易破损的问题。即，如图3所示，在蜡工法中，将蓝宝石基板I的全部端部嵌入蜡树脂层2内，因而容易稳定地保持蓝宝石基板I的端部。另一方面，如图4所示，在使用以往的半导体晶片保护膜的方法中，蓝宝石基板I的端部并未嵌入至半导体晶片保护膜4的内部，因此难以稳定保持蓝宝石基板I的端部。因此可以认为，背面磨削时蓝宝石基板I的端部与磨石3等接触而容易破损。本专利技术是鉴于上述情况而完成的，目的是提供一种特别是在蓝宝石基板等硬且脆的半导体晶片中，亦可无破损地进行背面磨削的半导体装置的制造方法、适合于上述制造方法的半导体晶片表面保护用膜。用于解决课题的手段本专利技术人等发现，在背面磨削时，通过利用隆起部(凸缘(rim))保持半导体晶片的端部附近，可抑制半导体晶片端部的破损。并且努力研究的结果发现了可通过热压接较容易地形成隆起部(凸缘)，且即便在背面磨削时的温度亦可良好地维持隆起部(凸缘)的形状的膜的构成。S卩，本专利技术的第一专利技术涉及以下的半导体晶片表面保护用膜。 一种半导体晶片表面保护用膜，其包括:基材层(A)，其在150°C的储存弹性模量64 (150)为IMPa以上；以及软化层(B)，其在120°C?180°C的任意温度的储存弹性模量Gb (120?180)为0.05MPa以下、且在40°C的储存弹性模量Gb (40)为IOMPa以上。如所述的半导体晶片表面保护用膜，其中，上述软化层(B)在100°C的储存弹性模量Gb (100)为IMPa以上。如或所述的半导体晶片表面保护用膜，其中，上述软化层(B)在60°C的拉伸弹性模量Eb (60)与在25°C的拉伸弹性模量Eb (25)满足I > Eb (60) /Eb (25) >0.1的关系。如至中任一项所述的半导体晶片表面保护用膜，进一步包括粘着层(C)，其隔着上述软化层(B)而配置于与上述基材层(A)相反侧；上述粘着层(C)的依据JISZ0237而测定的粘着力为0.lN/25mm?10N/25mm。如至中任一项所述的半导体晶片表面保护用膜，其中，上述基材层(A)配置于最表面。如或所述的半导体晶片表面保护用膜，其中，上述粘着层(C)隔着上述软化层(B)而配置于与上述基材层(A)相反侧的最表面。如至中任一项所述的半导体晶片表面保护用膜，其中，上述软化层(B)包含:烃烯烃的均聚物、烃烯烃的共聚物、或这些的混合物。如至中任一项所述的半导体晶片表面保护用膜，其中，构成上述软化层(B)的树脂的密度为880kg/m3?960kg/m3。如至中任一项所述的半导体晶片表面保护用膜，其中，上述基材层(A)是聚烯烃层、聚酯层、或聚烯烃层与聚酯层的层叠体。本专利技术的第二专利技术涉及以下的半导体装置的制造方法。 一种半导体装置的制造方法，其包括:在半导体晶片表面保护用膜上，以所述半导体晶片的电路形成面与半导体晶片表面保护用膜接触的方式配置半导体晶片的步骤；在上述半导体晶片的外周，形成保持上述半导体晶片的上述半导体晶片表面保护用膜的隆起部的步骤；对通过上述隆起部而保持的上述半导体晶片的电路非形成面进行磨削的步骤；自上述半导体晶片的电路形成面剥离上述半导体晶片表面保护用膜的步骤；上述隆起部在100°C的储存弹性模量G (100)为IMPa以上。如所述的半导体装置的制造方法，其中，上述半导体晶片表面保护用膜是如至中任一项所述的半导体晶片表面保护用膜，以120°C~180°C的温度、IMPa~IOMPa的压力热压接上述半导体晶片表面保护用膜与上述半导体晶片而形成上述隆起部。如上述所述的半导体装置的制造方法，其中，在上述半导体晶片表面保护用膜上以上述半导体晶片的电路形成面与半导体晶片表面保护用膜接触的方式配置上述半导体晶片的步骤中的膜的温度TM、与形成上述半导体晶片表面保护用膜的隆起部的步骤中的热压接温度TP、以及上述软化层(B)的软化点温度TmB满足以下通式的关系: TP≤TM， TmB < TP < TmB+40°C。如或所述的半导体装置的制造方法，其中，以上述半导体晶片表面保护用膜的软化层(B)较基材层(A)成为上述半导体晶片的电路形成面侧的方式，将上述半导体晶片配置于上述半导体晶片表面保护用膜上。如至中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，上述半导体晶片包含莫氏硬度为8以上的高硬度材料基板。本专利技术的第三专利技术涉及压制贴装框的半导体晶片压制装置。 一种半导体晶片压制装置，其将贴装框用具有加热机构的上压制板和与上压制板相对的下压制板夹住而进行压制，上述贴装框包含半导体晶片、具有包围上述半导体晶片的框的环框A、遍及上述半导体晶片的电路形成面与上述框A而贴附的如所述的半导体晶片表面保护膜； 上述半导体晶片的外直径DW、与上述环框A的内直径DAin满足式(I )DW < DAin的关系;上述下压制板在与上述上压制板相对的面具有凸本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：林下英司，尾崎胜敏，酒井充，森本哲光，小野博之，国重仁志，
申请(专利权)人：三井化学东赛璐株式会社，
类型：
国别省市：
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