【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提出一种AlGaAs外延片切割装置，包括切割盘、封装带、切割刀片、磨刀装置；所述切割盘内为负压，所述封装带用于贴附AlGaAs外延片，所述封装带设置在所述切割盘上，所述磨刀装置可与切割刀片接触。切割时切割盘在AlGaAs外延片上往复移动切割，当切割刀片运动到磨刀装置时，磨刀装置将刀刃上黏附的Al等切屑清除掉，从而改善切割刀片状况，降低切割崩损异常率，提高刀片寿命，提升产品良率。【专利说明】—种AIGaAs外延片切割装置
本技术涉及半导体制备技术，具体的涉及一种AlGaAs外延片切割装置。
技术介绍
二极管是在外延层上注入基区、发射区得到外延片，经切割分离得到单个的二极管晶粒再经封装工艺制造而成。AlGaAs发光二极管外延片包括N面电极层、N型掺杂层、P型掺杂层、衬底层和P面电极层，其N型掺杂层和P型掺杂层均含有Al材质，切割时Al会黏附在切割刀片的刀刃上使刀况较差，切割时崩损率高，影响产品品质及降低成品良率。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术提出一种AlGaAs外延片切割装置，包括切割盘1、封装带...
【技术保护点】
一种AlGaAs外延片切割装置，其特征在于，包括切割盘（1）、封装带（3）、切割刀片（4）、磨刀装置；所述切割盘内为负压，所述封装带用于贴附AlGaAs外延片（5），所述封装带设置在所述切割盘上，所述磨刀装置可与切割刀片接触。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡泰祥，
申请(专利权)人：元茂光电科技武汉有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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