固体电解质电容器改进结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种固体电解质电容器改进结构，属于片式固体电解质电容器；旨在提供一种能够提高电容器容积率的固体电解质电容器。它包括包封于绝缘外壳中的电容器芯子，该电容器芯子由表面附着有介质氧化膜的阀金属块、一端镶嵌于该阀金属块中的阳极引出线、包覆在所述介质氧化膜表面的碳层、包覆在该碳层表面的金属浆料层构成；阳极引出线（8）呈L状结构，该阳极引出线的另一端从绝缘外壳（1）的侧面穿出并与固定于该绝缘外壳表面的阳极引出片（6）固定搭接，固定于绝缘外壳（1）表面的阴极引出片（9）与金属浆料层（2）固定搭接。本实用新型专利技术容积率大、静电容量高、等效串联电阻和结构电感小，是一种固体电解质电容器的改进结构。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种固体电解质电容器改进结构，属于片式固体电解质电容器；旨在提供一种能够提高电容器容积率的固体电解质电容器。它包括包封于绝缘外壳中的电容器芯子，该电容器芯子由表面附着有介质氧化膜的阀金属块、一端镶嵌于该阀金属块中的阳极引出线、包覆在所述介质氧化膜表面的碳层、包覆在该碳层表面的金属浆料层构成；阳极引出线（8）呈L状结构，该阳极引出线的另一端从绝缘外壳（1）的侧面穿出并与固定于该绝缘外壳表面的阳极引出片（6）固定搭接，固定于绝缘外壳（1）表面的阴极引出片（9）与金属浆料层（2）固定搭接。本技术容积率大、静电容量高、等效串联电阻和结构电感小，是一种固体电解质电容器的改进结构。【专利说明】 固体电解质电容器改进结构
本技术涉及一种固体电解质电容器，尤其涉及一种固体电解质电容器的改进结构。
技术介绍
片式固体电解质电容器芯子的结构是在镶嵌有阳极引出线的阀金属块表面制备介质氧化膜，在该介质氧化膜的表面包覆导电聚合物电解质或半导体金属氧化物，然后再包覆碳层和导电金属层。由于阳极引出线呈直线型结构，需埋入阀金属块中的部分较长，因此占据阀金属块的内部空间较大，从而减小了电容器容积率、降低了静电容量。
技术实现思路
为了克服现有技术中存在的缺陷，本技术旨在提供一种能够提高电容器容积率的固体电解质电容器改进结构。为了实现上述目的，本技术采用以下技术方案:它包括包封于绝缘外壳中的电容器芯子，该电容器芯子由表面附着有介质氧化膜的阀金属块、一端镶嵌于该阀金属块中的阳极引出线、包覆在所述介质氧化膜表面的碳层、包覆在该碳层表面的金属浆料层构成；阳极引出线呈L状结构，该阳极引出线的另一端从绝缘外壳的侧面穿出并与固定于该绝缘外壳表面的阳极引出片固定搭接，固定于绝缘外壳表面的阴极引出片与金属浆料层固定搭接。在阳极引出片与金属浆料层之间有镶嵌于绝缘外壳壳壁中的绝缘隔离片。与现有技术比较，本技术由于采用了上述技术方案，在传统结构的基础上将直线型阳极引出线改为了 L型结构，既减小了阳极引出线植入的长度、又增强了阳极引出线与阀金属块之间的连接强度，因此电容器的容积率得以提高，从而增大了电容器的静电容量。另外，由于将阳极引出线从阀金属块的侧面引出，能够降低电容器的等效串联电阻和结构电感；由于阀金属块与阳极引出片的距离较近，因此工作时的热量能够快速散发。【专利附图】【附图说明】图1是本技术的结构示意图。图中:绝缘外壳1、金属浆料层2、碳层3、介质氧化膜4、阀金属块5、阳极引出片6、绝缘隔离片7、阳极引出线8、阴极引出片9。【具体实施方式】下面结合附图和具体的实施例对本技术作进一步说明:如图1所示:电容器芯子包封于绝缘外壳I中，该电容器芯子由表面附着有介质氧化膜4的阀金属块5、镶嵌于该阀金属块中呈L状结构的阳极引出线8、包覆在介质氧化膜4表面的碳层3、包覆在该碳层表面的金属浆料层2构成；阳极引出线8的一端从绝缘外壳I的侧面穿出并与固定于该绝缘外壳表面的阳极引出片6固定搭接，固定于绝缘外壳I表面的阴极引出片9通过粘接的方式与金属浆料层2固定搭接。为了工作可靠，阳极引出片6与金属浆料层2之间有镶嵌于绝缘外壳I壳壁中的绝缘隔离片7。【权利要求】1.一种固体电解质电容器改进结构，包括包封于绝缘外壳中的电容器芯子，该电容器芯子由表面附着有介质氧化膜的阀金属块、一端镶嵌于该阀金属块中的阳极引出线、包覆在所述介质氧化膜表面的碳层、包覆在该碳层表面的金属浆料层构成；其特征在于:阳极引出线(8)呈L状结构，该阳极引出线的另一端从绝缘外壳(I)的侧面穿出并与固定于该绝缘外壳表面的阳极引出片(6)固定搭接，固定于绝缘外壳(I)表面的阴极引出片(9)与金属浆料层(2)固定搭接。2.根据权利要求1所述的固体电解质电容器改进结构，其特征在于:在阳极引出片(6)与金属浆料层(2)之间有镶嵌于绝缘外壳(I)壳壁中的绝缘隔离片(7)。【文档编号】H01G9/012GK203562314SQ201320399766【公开日】2014年4月23日 申请日期:2013年7月7日 优先权日:2013年7月7日 【专利技术者】金源, 龙继云, 陈德舜, 肖建惠, 胡鑫利, 熊远根 申请人:中国振华（集团）新云电子元器件有限责任公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：金源，龙继云，陈德舜，肖建惠，胡鑫利，熊远根，
申请(专利权)人：中国振华集团新云电子元器件有限责任公司，
类型：实用新型
国别省市：