本发明专利技术提供了一种基于规则图形过滤的版图设计光刻工艺友善性检查方法，所述基于规则图形过滤的版图设计光刻工艺友善性检查方法通过在进行光学临近效应修正和工艺偏差图形模拟之前，增加对所述原始目标图形数据进行过滤的步骤，不仅能够缩短版图设计时光刻工艺友善性检查的耗时，减少软件和硬件的使用成本，而且检查结果与现有技术的方法能够实现很好的匹配，从而实现在版图设计中实现工艺热点区域的快速准确查找。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种，所述通过在进行光学临近效应修正和工艺偏差图形模拟之前，增加对所述原始目标图形数据进行过滤的步骤，不仅能够缩短版图设计时光刻工艺友善性检查的耗时，减少软件和硬件的使用成本，而且检查结果与现有技术的方法能够实现很好的匹配，从而实现在版图设计中实现工艺热点区域的快速准确查找。【专利说明】
本专利技术涉及可制造性图形设计领域(DFM, Design For Manufacture),特别涉及一种。
技术介绍
当前集成电路生产工艺中，首先根据设计好的版图制作掩膜版，然后通过光刻技术将掩膜版上的图形转移到晶圆上，由于亚波长光刻技术中光学临近效应(OPE)的影响，掩膜版的版图最终转移到晶圆上时，将产生较大的失真。虽然可以使用各种分辨率增强技术(RET)，如光学临近修正(0PC)，相移掩膜(PSM)等提高光刻的精度，但由于设计不当或RET技术本身的限制等原因,最终晶圆上的电路仍可能会出现Line Pinch(线夹断)Line Bridge(线连接)Hole Overlap Missing (接孔不良)等不良现象,掩膜版上的版图中可能导致这些现象的区域成为光刻热点区域，光刻热点区域可能会影响最终电路的性能甚至导致功能的失效，因此应在芯片生产之前找出并加以修正，光刻热点检测是可制造性设计(DFM)中的一项重要技术。图1为现有技术中版图设计光刻工艺友善性检查方法的流程示意图。如图1所示，现有技术中常用的光刻热点检查方法如基于设计规则的方法一般对所有图形数据做精确的光学邻近效应修正，并且生成整个芯片的模拟图形在整个芯片范围内来查光刻工艺热点区域的图形。该方法虽然能准确的找到工艺热点，但是整个过程的软件计算和使用时间会很长，相应的生产成本也比较高，并且不利于代工厂的版图设计光刻工艺友善性检查套件在设计公司的应用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，以缩短版图设计时光刻工艺友善性检查的耗时，减少软件和硬件的使用成本，最终实现在版图设计中实现工艺热点区域的快速准确查找。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种，包括以下步骤:提供原始目标图形数据，并对所述原始目标图形数据进行过滤，确定潜在工艺热点区域；将所述潜在工艺热点区域的图形数据产生光刻目标图形数据；对所述光刻目标图形数据进行完整的光学临近效应修正；对光学临近修正后的光刻目标图形进行工艺偏差图形模拟，模拟的区域范围与光学邻近效应修正的区域范围相同；进行热点检查,生成各项检查的热点位置标记；生成最终的热点位置索引文件。进一步的，所述对所述原始目标图形数据进行过滤的步骤用以寻找存在线夹断、线连接、接孔不良及由于短延伸的L形状设计造成的晶体管沟道长度或者沟道宽度不均匀性的工艺热点区域。进一步的，在对所述原始目标图形数据进行过滤的步骤包括，寻找所述原始目标图形数据中具有凸角或凹角的图形，对所述凸角或凹角的顶点进行切边，根据切边的受限情况生成矩形区域，进而生成潜在工艺热点区域。进一步的，在根据切边的受限情况生成矩形区域的步骤包括:当所述凸角或凹角的顶点附近的切边与邻近的图形的间距小于等于规则尺寸，则确定为受限切边；当一凸角或凹角的顶点附近的两条切边均为受限切边，则确定为受限矩形；根据受限矩形生成所述矩形区域。进一步的，在用以寻找存在线夹断、线连接、接触孔不良的工艺热点区域的过滤过程中，所述规则尺寸为最小设计线或隙尺寸的1.1倍为最小设计线或隙尺寸的1.1倍。进一步的，所述凸角或凹角的顶点处的切边的长度小于最小设计线或隙尺寸的0.5 倍。进一步的，所述凸角或凹角的顶点处的切边的长度为最小设计线或隙尺寸的0.4倍?0.45倍。进一步的，在根据受限矩形生成所述矩形区域的步骤包括:当受限矩形与待检图形相交时，则其待检图形所在区域即生成所述矩形区域。进一步的，在用以寻找由于短延伸的L形状设计造成的晶体管沟道长度或者沟道宽度不均匀性的工艺热点区域的过程中，所述凸角或凹角的顶点处的切边的长度大于设计规则尺寸的最小延伸值。进一步的，所述潜在工艺热点区域的大小为所述矩形区域的每边放大最小设计规则尺寸的1.5倍后生成的区域。进一步的，对所述光刻目标图形数据进行完整的光学临近效应修正的步骤中，光学邻近效应修正的区域为所述潜在工艺热点区域的图形每边放大一个光晕大小，所述光晕的取值要大于等于光学模型半径。进一步的，对光学临近修正后的光刻目标图形进行工艺偏差图形模拟的步骤中，工艺偏差图形模拟的区域与光学邻近效应修正的区域相同。综上所述，本专利技术所述通过在进行光学临近效应修正和工艺偏差图形模拟之前，增加对所述原始目标图形数据进行过滤的步骤，不仅能够缩短版图设计时光刻工艺友善性检查的耗时，减少软件和硬件的使用成本，而且检查结果与现有技术的方法能够实现很好的匹配，从而实现在版图设计中实现工艺热点区域的快速准确查找。【专利附图】【附图说明】图1为现有技术中版图设计光刻工艺友善性检查方法的流程示意图。图2为本专利技术一实施例中的流程示意图。图3 (a)?图3 (f)为本专利技术中对所述原始目标图形数据进行过滤的一实施例。图4 (a)~图4 (e)为本专利技术中对所述原始目标图形数据进行过滤的另一实施例。图5 (a)~图5 (g)为本专利技术中对所述原始目标图形数据进行过滤的又一实施例。图6为本专利技术中过滤后的光学邻近效应修正区域和图形模拟区域的一实施例。图7 (a)~图7 (C)为本专利技术一实施例中对实际原始目标图形示例的过滤过程示意图。【具体实施方式】以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。图2为本专利技术一实施例中的流程示意图。如图2所示，本专利技术提出的包括以下步骤:步骤a:提供原始目标图形数据，并对所述原始目标图形数据进行过滤，确定潜在工艺热点区域；步骤b:将所述潜在工艺热点区域的图形数据产生光刻目标图形数据；步骤c:对所述光刻目标图形数据进行完整的光学临近效应修正；步骤d:对光学临近修正后的光刻目标图形进行工艺偏差图形模拟，模拟的区域范围与光学邻近效应修正的区域范围相同；步骤e:进行热点检查,生成各项检查的热点位置标记；步骤f:生成最终的热点位置索引文件。以下结合几个实施例对所述的步骤进行进一步详细描述。步骤a:提供原始目标图形数据，并对所述原始目标图形数据进行过滤，确定潜在工艺热点区域；本专利技术的关键在于:在进行光学临近效应修正和工艺偏差图形模拟的步骤之前，对所述原始目标图形数据进行过滤，确定潜在的工艺热点区域，缩小进行光学临近效应修正和工艺偏差图形模拟的范围，从而缩短版图设计时光刻工艺友善性检查的耗时，减少软件和硬件的使用成本，最终实现在版图设计中实现工艺热点区域的快速准确查找。所述对所述原始目标图形数据进行过滤的步骤可以用以寻找存在线夹断、线连接、接孔不良及由于短延伸的L形状设计造成的晶体管沟道长度或者沟道宽度不均匀性的工艺热点区域。以下结合几个实施例进一步说明在步骤a中对所述原始目标图形数据进行过滤的方法:【实施例一】图3 (a)~图3 (f)为本专利技术中对所述原始目标图形数据进行过滤一实施例，结合图3 (a)~图3 (f本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基于规则图形过滤的版图设计光刻工艺友善性检查方法，其特征在于，提供原始目标图形数据，并对所述原始目标图形数据进行过滤，确定潜在工艺热点区域；将所述潜在工艺热点区域的图形数据产生光刻目标图形数据；对所述光刻目标图形数据进行完整的光学临近效应修正；对光学临近修正后的光刻目标图形进行工艺偏差图形模拟，模拟的区域范围与光学邻近效应修正的区域范围相同；进行热点检查，生成各项检查的热点位置标记；生成最终的热点位置索引文件。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王伟斌，朱忠华，魏芳，张旭升，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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