通过带为3600-4000nm的观察图形光谱天文滤光片制造技术

一种通过带为3600?4000nm的观察图形光谱天文滤光片，包括以Si为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层，且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间，其特征是：所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有：355nm厚度的SiO层、138nm厚度的Ge层、261nm厚度的SiO层、151nm厚度的Ge层、405nm厚度的SiO层、178nm厚度的Ge层、406nm厚度的SiO层、154nm厚度的Ge层、266nm厚度的SiO层、143nm厚度的Ge层、404nm厚度的SiO层、193nm厚度的Ge层、702nm厚度的SiO层、416nm厚度的Ge层、638nm厚度的SiO层、231nm厚度的Ge层、722nm厚度的SiO层、401nm厚度的Ge层、586nm厚度的SiO层、257nm厚度的Ge层、898nm厚度的SiO层、310nm厚度的Ge层和352nm厚度的SiO层；所述第二镀膜层由内向外依次排列包含有：136nm厚度的SiO层、83nm厚度的Ge层、181nm厚度的SiO层、55nm厚度的Ge层、198nm厚度的SiO层、86nm厚度的Ge层、184nm厚度的SiO层、81nm厚度的Ge层、222nm厚度的SiO层、94nm厚度的Ge层、334nm厚度的SiO层、86nm厚度的Ge层、291nm厚度的SiO层、139nm厚度的Ge层、164nm厚度的SiO层、148nm厚度的Ge层和595nm厚度的SiO层。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术所设计的一种信噪比高、稳定性好、有效提高物体温度测量分辨能力和检测精度使用要求的通过带为3600-4000nm的观察图形光谱天文滤光片，包括以Si为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层，且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间，该通过带为3600-4000nm的观察图形光谱天文滤光片，通过上述的设计，实现了稳定性好，且能适用于物体的温度感应和测量，该滤光片3600～4000nm、Tavg≥85％；1500～3400nm、4200～6500nm?Tavg<0.5%，大大提高了信噪比，在用于物体温度的测量和感应时，能有效的提高分辨能力和检测精度，更好的满足实际中的使用要求。【专利说明】通过带为3600-4000nm的观察图形光谱天文滤光片
本技术涉及红外滤光片领域，尤其是一种通过带为3600-4000nm的观察图形光谱天文滤光片。
技术介绍
红外滤光片过滤、截止可见光同时允许通过红外线。红外线的波长很容易地穿透任何的物体，也就是红外线在经过物体时不会发生折射。利用红外线的这个特性，只让长波长的红外线通过，滤除短波长的紫外线和可见光。应用于很多领域，目前对于物体温度的感应和测量过程中，选择合适的波长范围至关重要。而现有长波通红外滤光片在使用过程中存在着测温不稳定、精确度不高等特点，特别是透过率和截止区的信噪比不高，不能满足高精度的测量要求。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种信噪比高、稳定性好、有效提高物体温度测量分辨能力和检测精度使用要求的通过带为3600-4000nm的观察图形光谱天文滤光片。为了达到上述目的，本技术所设计的通过带为3600_4000nm的观察图形光谱天文滤光片，包括以Si为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层，且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间，所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有:355nm厚度的SiO层、138 nm厚度的Ge层、261nm厚度的SiO层、151nm厚度的Ge层、405nm厚度的SiO层、178nm厚度的Ge层、406nm厚度的SiO层、154nm厚度的Ge层、266nm厚度的SiO层、143nm厚度的Ge层、404nm厚度的SiO层、193nm厚度的Ge层、702nm厚度的SiO层、416nm厚度的Ge层、638nm厚度的SiO层、231nm厚度的Ge层、722nm厚度的SiO层、40Inm厚度的Ge层、586nm厚度的SiO层、257nm厚度的Ge层、898nm厚度的SiO层、310nm厚度的Ge层和352nm厚度的SiO层；所述第二镀膜层由内向外依次排列包含有:136nm厚度的SiO层、83nm厚度的Ge层、18Inm厚度的SiO层、55nm厚度的Ge层、198nm厚度的SiO层、86nm厚度的Ge层、184nm厚度的SiO层、81nm厚度的Ge层、222nm厚度的SiO层、94nm厚度的Ge层、334nm厚度的SiO层、86nm厚度的Ge层、29Inm厚度的SiO层、139nm厚度的Ge层、164nm厚度的SiO层、148nm厚度的Ge层和595nm厚度的SiO层。上述各材料对应的厚度，其允许在公差范围内变化，其变化的范围属于本专利保护的范围，为等同关系。通常厚度的公差在IOnm左右。本技术所得到的通过带为3600-4000nm的观察图形光谱天文滤光片,通过上述的设计，实现了稳定性好，且能适用于物体的温度感应和测量，该滤光片3600~4000nm、Tavg≥85% ；1500~3400nm、4200~6500nm Tavg<0.5%，大大提高了信噪比，在用于物体温度的测量和感应时，能有效的提高分辨能力和检测精度，更好的满足实际中的使用要求。【专利附图】【附图说明】图1是实施例整体结构示意图；图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。【具体实施方式】下面通过实施例结合附图对本技术作进一步的描述。实施例1:如图1、图2所示，本实施例描述的通过带为3600-4000nm的观察图形光谱天文滤光片，包括以Si为原材料的基板2，以Ge、SiO为第一镀膜层I和以Ge、SiO为第二镀膜层3，且所述基板2位于第一镀膜层I和第二镀膜层3之间，所述第一镀膜层I由内向外依次排列包含有:355nm厚度的SiO层、138nm厚度的Ge层、26Inm厚度的SiO层、15Inm厚度的Ge层、405nm厚度的SiO层、178nm厚度的Ge层、406nm厚度的SiO层、154nm厚度的Ge层、266nm厚度的SiO层、143nm厚度的Ge层、404nm厚度的SiO层、193nm厚度的Ge层、702nm厚度的SiO层、416nm厚度的Ge层、638nm厚度的SiO层、231nm厚度的Ge层、722nm厚度的SiO层、40111111厚度的66层、58611111厚度的5丨0层、25711111厚度的66层、89811111厚度的3丨0层、310nm厚度的Ge层和352nm厚度的SiO层；所述第二镀膜层3由内向外依次排列包含有:136nm厚度的SiO层、83nm厚度的Ge层、181nm厚度的SiO层、55nm厚度的Ge层、198nm厚度的SiO层、86nm厚度的Ge层、184nm厚度的SiO层、81nm厚度的Ge层、222nm厚度的SiO层、94nm厚度的Ge层、334nm厚度的SiO层、86nm厚度的Ge层、291nm厚度的SiO层、139nm厚度的Ge层、164nm厚度的SiO层、148nm厚度的Ge层和595nm厚度的SiO层。【权利要求】1.一种通过带为3600-4000nm的观察图形光谱天文滤光片，包括以Si为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层，且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间，其特征是:所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有:355nm厚度的SiO层、138nm厚度的Ge层、261nm厚度的SiO层、151nm厚度的Ge层、405nm厚度的SiO层、178nm厚度的Ge层、406nm厚度的SiO层、154nm厚度的Ge层、266nm厚度的SiO层、143nm厚度的Ge层、404nm厚度的SiO层、193nm厚度的Ge层、702nm厚度的SiO层、416nm厚度的Ge层、638nm厚度的SiO层、23Inm厚度的Ge层、722nm厚度的SiO层、40Inm厚度的Ge层、586nm厚度的SiO层、257nm厚度的Ge层、898nm厚度的SiO层、310nm厚度的Ge层和352nm厚度的SiO层；所述第二镀膜层由内向外依次排列包含有:136nm厚度的SiO层、83nm厚度的Ge层、18Inm厚度的SiO层、55nm厚度的Ge层、198nm厚度的SiO层、86nm厚度的Ge层、184nm厚度的SiO层、81nm厚度的Ge层、222nm厚度的SiO层、94nm厚度的Ge层、334nm厚度的SiO层、86nm厚度的Ge层、291nm厚度的SiO层、139nm厚度的Ge层、164nm厚度的SiO层、148nm厚度的Ge层和595nm厚度的SiO层。【文档编号】G02B5/20GK2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种通过带为3600?4000nm的观察图形光谱天文滤光片，包括以Si为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层，且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间，其特征是：所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有：355nm厚度的SiO层、138nm厚度的Ge层、261nm厚度的SiO层、151nm厚度的Ge层、405nm厚度的SiO层、178nm厚度的Ge层、406nm厚度的SiO层、154nm厚度的Ge层、266nm厚度的SiO层、143nm厚度的Ge层、404nm厚度的SiO层、193nm厚度的Ge层、702nm厚度的SiO层、416nm厚度的Ge层、638nm厚度的SiO层、231nm厚度的Ge层、722nm厚度的SiO层、401nm厚度的Ge层、586nm厚度的SiO层、257nm厚度的Ge层、898nm厚度的SiO层、310nm厚度的Ge层和352nm厚度的SiO层；所述第二镀膜层由内向外依次排列包含有：136nm厚度的SiO层、83nm厚度的Ge层、181nm厚度的SiO层、55nm厚度的Ge层、198nm厚度的SiO层、86nm厚度的Ge层、184nm厚度的SiO层、81nm厚度的Ge层、222nm厚度的SiO层、94nm厚度的Ge层、334nm厚度的SiO层、86nm厚度的Ge层、291nm厚度的SiO层、139nm厚度的Ge层、164nm厚度的SiO层、148nm厚度的Ge层和595nm厚度的SiO层。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吕晶，胡伟琴，王继平，
申请(专利权)人：杭州麦乐克电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：