一种具有自检测功能的离散量采集电路制造技术

一种具有自检测功能的离散量采集电路，其特征在于，包括，一基准电压输出电路单元，其由一基准电压芯片U1、一第三电阻R3、一第四电阻R4、一第七电阻R7、一第一MOS管Q1和一第四MOS管Q4组成，该第七电阻R7第一端接第一电源VCC1，该第七电阻R7第二端分别接该基准电压芯片U1的阴极端和该第四MOS管Q4漏极，该第四MOS管Q4源级接该第四电阻R4第一端，该第四电阻R4第二端分别接该第三电阻R3第一端和该基准电压芯片U1的参考端，该第三电阻R3第二端接该第一MOS管Q1漏极，该第一MOS管Q1源极接地；一基准电压控制电路单元，其由一第一电阻R1、一第六电阻R6、一第二MOS管Q2和一第三MOS管Q3组成，该第一电阻R1第一端接第一电源VCC1，该第一电阻R1第二端分别接该第二MOS管Q2漏极和该第一MOS管Q1栅极，该第二MOS管Q2源极接地，该第二MOS管Q2栅极直接或通过一第二电阻R2接处理器CPU的第一I/O端，该第六电阻R6第一端接第一电源VCC1，该第六电阻R6第二端分别接第三MOS管Q3漏极和该第四MOS管Q4栅极，该第三MOS管Q3源极接地，该第三MOS管Q3栅极直接或通过一第五电阻R5接处理器CPU的第二I/O端；一比较电路单元，其由一比较器U2A和一第八电阻R8组成，该比较器U2A第一输入端接该第四MOS管Q4漏极，该比较器输出端分别接该第八电阻R8第一端和处理器CPU的第三I/O端，该第八电阻R8第二端接第二电源VCC2；以及，一分压电路单元，其由一第九电阻R9、一第十电阻R10和一第十一电阻R11组成，该第九电阻R9第一端接第一电源VCC1，该第十电阻R10第一端接一离散量输入信号端DISC_IN，该第十一电阻R11第一端接地，该第九、十、十一电阻R9、R10、R11第二端都接该比较器U2A第二输入端。

【技术实现步骤摘要】
一种具有自检测功能的离散量采集电路
本专利技术涉及一种离散量采集电路，尤其是涉及一种具有自检测功能的离散量采集电路。
技术介绍
离散量采集主要实现低/开、高/开、地/高等离散信号的采集。现有采用离散量采集电路中采用反相器、比较器、光耦、离散量转数字量芯片等器件采集离散信号，仅实现离散量采集功能，其电路无自检功能。不能够对离散量采集电路中出现问题快速定位，测试性、维修性较低。
技术实现思路
本专利技术的目的就是针对现有技术中的不足，提供一种具有自检测功能的离散量采集电路。为了实现上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的：一种具有自检测功能的离散量采集电路，包括，一基准电压输出电路单元，其由一基准电压芯片U1、一第三电阻R3、一第四电阻R4、一第七电阻R7、一第一MOS管Q1和一第四MOS管Q4组成，该第七电阻R7第一端接第一电源VCC1，该第七电阻R7第二端分别接该基准电压芯片U1的阴极端和该第四MOS管Q4漏极，该第四MOS管Q4源级接该第四电阻R4第一端，该第四电阻R4第二端分别接该第三电阻R3第一端和该基准电压芯片U1的参考端，该第三电阻R3第二端接该第一MOS管Q1漏极，该第一MOS管Q1源极接地；一基准电压控制电路单元，其由一第一电阻R1、一第六电阻R6、一第二MOS管Q2和一第三MOS管Q3组成，该第一电阻R1第一端接第一电源VCC1，该第一电阻R1第二端分别接该第二MOS管Q2漏极和该第一MOS管Q1栅极，该第二MOS管Q2源极接地，该第二MOS管Q2栅极直接或通过一第二电阻R2接处理器CPU的第一I/O端，该第六电阻R6第一端接第一电源VCC1，该第六电阻R6第二端分别接第三MOS管Q3漏极和该第四MOS管Q4栅极，该第三MOS管Q3源极接地，该第三MOS管Q3栅极直接或通过一第五电阻R5接处理器CPU的第二I/O端；一比较电路单元，其由一比较器U2A和一第八电阻R8组成，该比较器U2A第一输入端接该第四MOS管Q4漏极，该比较器输出端分别接该第八电阻R8第一端和处理器CPU的第三I/O端，该第八电阻R8第二端接第二电源VCC2；一分压电路单元，其由一第九电阻R9、一第十电阻R10和一第十一电阻R11组成，该第九电阻R9第一端接第一电源VCC1，该第十电阻R10第一端接一离散量输入信号端DISC_IN，该第十一电阻R11第一端接地，该第九电阻R9第二端、第十电阻R10第二端、第十一电阻R11第二端都接该比较器U2A第二输入端，以及，一保护电路单元，其由一第一稳压管D1和一第一电容C1组成，该第一稳压管D1和第一电容C1并联后一端与该比较器第二输入端连接，另一端接地。进一步地，该较器U2A选用LM139,基准电压芯片U1选用TL431，第一至四MOS管Q1～Q4均选用2N7002，第一、二、五、六、八电阻R1、R2、R5、R6、R8阻值均选用10kΩ，第四电阻R4阻值选用2kΩ，第三电阻R3阻值选用1.5kΩ，第七电阻R7阻值选用1k，第九至十一电阻R9、R10、R11阻值均选用39kΩ，第一电源VCC1为+15VDC，第二电源VCC2为+3.3VDC，第一稳压管D1选用BZV55-C15，第一电容C1容值为50V100nf。与现有技术相比，本专利技术的优点：电路结构简单，不仅能有效地采集离散信号，还具有电路自检功能，能够快速定位电路中出现的问题，测试性、维修性较高，方便可靠。附图说明图1是本专利技术的电路结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作详细说明。请参见图1，图中所示的是一种具有自检测功能的离散量采集电路，主要由一分压电路单元A1、一比较电路单元A2、一基准电压输出电路单元A3、一基准电压控制电路单元A4和一保护电路单元A5组成。该基准电压输出电路单元A3由一基准电压芯片U1、一第三电阻R3、一第四电阻R4、一第七电阻R7、一第一MOS管Q1和一第四MOS管Q4组成，该第七电阻R7第一端接第一电源VCC1，该第七电阻R7第二端分别接该基准电压芯片U1的阴极端和该第四MOS管Q4漏极，该第四MOS管Q4源级接该第四电阻R4第一端，该第四电阻R4第二端分别接该第三电阻R3第一端和该基准电压芯片U1的参考端，该第三电阻R3第二端接该第一MOS管Q1漏极，该第一MOS管Q1源极接地。该基准电压控制电路单元A4由一第一电阻R1、一第六电阻R6、一第二MOS管Q2和一第三MOS管Q3组成，该第一电阻R1第一端接第一电源VCC1，该第一电阻R1第二端分别接该第二MOS管Q2漏极和该第一MOS管Q1栅极，该第二MOS管Q2源极接地，该第二MOS管Q2栅极通过一第二电阻R2接处理器CPU的第一I/O端，该第六电阻R6第一端接第一电源VCC1，该第六电阻R6第二端分别接第三MOS管Q3漏极和该第四MOS管Q4栅极，该第三MOS管Q3源极接地，该第三MOS管Q3栅极通过一第五电阻R5接处理器CPU的第二I/O端。该比较电路单元A2由一比较器U2A和一第八电阻R8组成，该比较器U2A正输入端接该第四MOS管Q4漏极，该比较器输出端分别接该第八电阻R8第一端和处理器CPU的第三I/O端，该第八电阻R8第二端接第二电源VCC2。该分压电路单元A1由一第九电阻R9、一第十电阻R10和一第十一电阻R11组成，该第九电阻R9第一端接第一电源VCC1，该第十电阻R10第一端接一离散量输入信号端DISC_IN，该第十一电阻R11第一端接地，该第九电阻R9第二端、第十电阻R10第二端、第十一电阻R11第二端都接该比较器U2A第二输入端。该保护电路单元A5由一第一稳压管D1和一第一电容C1组成，该第一稳压管D1和第一电容C1并联后一端与该比较器U2A负输入端连接，另一端接地。其中，该较器U2A选用LM139,基准电压芯片U1选用TL431（基准电压为2.5V），第一至四MOS管Q1～Q4均选用2N7002，第一、二、五、六、八电阻R1、R2、R5、R6、R8阻值均选用10kΩ，第四电阻R4阻值选用2kΩ，第三电阻R3阻值选用1.5kΩ，第七电阻R7阻值选用1k，第九至十一电阻R9、R10、R11阻值均选用39kΩ，第一电源VCC1为+15VDC，第二电源VCC2为+3.3VDC，第一稳压管D1选用BZV55-C15，第一电容C1容值为50V100nf，上述电子部件都为市售产品。当地/开信号为开路时，比较器U2A负输入端（4脚）电压为+7.5V，当处理器CPU的第一、二I/O端为低电平时，第二、三MOS管Q2、Q3关闭，第一、四MOS管Q1、Q4导通，比较器U2A正输入端（5脚）的基准电压Vref为(2/1.5+1)×2.5=5.83V，此时比较器U2A正输入端电压小于负输入端电压，其输出为低电平，处理器CPU的第三I/O端为低电平。当离散信号输入电压V1小于2.49V时，比较器U2A负输入端电压(15+V1)/3小于5.83V，此时比较器U2A输出为开路，经10k上拉3.3V后，第三I/O端为高电平，完成离散量数据采集。需要自检时，将第一I/O端置高电平，第二MOS管Q2导通、第一MOS管Q1关闭，将第二I/O端置低电平，第三MOS管Q3关闭、第四MOS管Q4导通，输出基准电压Vref为2.5V，比较器U2A正输入端本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有自检测功能的离散量采集电路，其特征在于，包括，一基准电压输出电路单元，其由一基准电压芯片U1、一第三电阻R3、一第四电阻R4、一第七电阻R7、一第一MOS管Q1和一第四MOS管Q4组成，该第七电阻R7第一端接第一电源VCC1，该第七电阻R7第二端分别接该基准电压芯片U1的阴极端和该第四MOS管Q4漏极，该第四MOS管Q4源级接该第四电阻R4第一端，该第四电阻R4第二端分别接该第三电阻R3第一端和该基准电压芯片U1的参考端，该第三电阻R3第二端接该第一MOS管Q1漏极，该第一MOS管Q1源极接地；一基准电压控制电路单元，其由一第一电阻R1、一第六电阻R6、一第二MOS管Q2和一第三MOS管Q3组成，该第一电阻R1第一端接第一电源VCC1，该第一电阻R1第二端分别接该第二MOS管Q2漏极和该第一MOS管Q1栅极，该第二MOS管Q2源极接地，该第二MOS管Q2栅极直接或通过一第二电阻R2接处理器CPU的第一I/O端，该第六电阻R6第一端接第一电源VCC1，该第六电阻R6第二端分别接第三MOS管Q3漏极和该第四MOS管Q4栅极，该第三MOS管Q3源极接地，该第三MOS管Q3栅极直接或通过一第五电阻R5接处理器CPU的第二I/O端；一比较电路单元，其由一比较器U2A和一第八电阻R8组成，该比较器U2A第一输入端接该第四MOS管Q4漏极，该比较器输出端分别接该第八电阻R8第一端和处理器CPU的第三I/O端，该第八电阻R8第二端接第二电源VCC2；以及，一分压电路单元，其由一第九电阻R9、一第十电阻R10和一第十一电阻R11组成，该第九电阻R9第一端接第一电源VCC1，该第十电阻R10第一端接一离散量输入信号端DISC_IN，该第十一电阻R11第一端接地，该第九、十、十一电阻R9、R10、R11第二端都接该比较器U2A第二输入端。...

【技术特征摘要】
1.一种具有自检测功能的离散量采集电路，其特征在于，包括，一基准电压输出电路单元，其由一基准电压芯片U1、一第三电阻R3、一第四电阻R4、一第七电阻R7、一第一MOS管Q1和一第四MOS管Q4组成，该第七电阻R7第一端接第一电源VCC1，该第七电阻R7第二端分别接该基准电压芯片U1的阴极端和该第四MOS管Q4漏极，该第四MOS管Q4源级接该第四电阻R4第一端，该第四电阻R4第二端分别接该第三电阻R3第一端和该基准电压芯片U1的参考端，该第三电阻R3第二端接该第一MOS管Q1漏极，该第一MOS管Q1源极接地；一基准电压控制电路单元，其由一第一电阻R1、一第六电阻R6、一第二MOS管Q2和一第三MOS管Q3组成，该第一电阻R1第一端接第一电源VCC1，该第一电阻R1第二端分别接该第二MOS管Q2漏极和该第一MOS管Q1栅极，该第二MOS管Q2源极接地，该第二MOS管Q2栅极直接或通过一第二电阻R2接处理器CPU的第一I/O端，该第六电阻R6第一端接第一电源VCC1，该第六电阻R6第二端分别接第三MOS管Q3漏极和该第四MOS管Q4栅极，该第三MOS管Q3源极接地，该第三MOS管Q3栅极直接或通过一第五电阻R5接处理器CPU的第二I/O端；一比较电路单元，其由一比较器U2A和一第八电阻R8组成，该比较器U2A第一输...

【专利技术属性】
技术研发人员：王江峰，刘阳，何创新，李晓明，
申请(专利权)人：上海航空电器有限公司，
类型：发明
国别省市：