一种地/开离散量输入预处理电路制造技术

一种地/开离散量输入预处理电路，其特征在于：包括电阻R1、电阻R2、二极管V1、测试开关K1、电阻R3、二极管V2、测试开关K2、电阻R4、二极管V3、电容C、稳压二极管V4、光电耦合器D1、电阻R5,?所述电阻R1的（1）端输入的电压为18?32V，所述电阻R1的（2）端与二极管V1的正端和电阻R2的（1）端连接，所述二极管V1的负端输入地/开信号，所述电阻R2的（2）端与光电耦合器D1的输入正端连接，所述光电耦合器D1的输入负端与稳压二极管V4的负端连接，所述稳压二极管V4的正端接地；?所述测试开关K1、电阻R3、二极管V2相互串联形成第一测试单元，所述第一测试单元的正端与电阻R1的（1）端连接，所述第一测试单元的负端与电阻R2的（2）端连接，?所述电阻R4、二极管V3、测试开关K2相互串联形成第二测试单元，所述第二测试单元的正端与电阻R2的（2）端连接，所述第二测试单元的负端接地，所述电容C与第二测试单元并联；?所述光电耦合器D1的输出正端通过R5与VCC连接，所述光电耦合器D1的输出负端接地。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种地/开离散量输入预处理电路，其特征在于：包括电阻R1、电阻R2、二极管V1、测试开关K1、电阻R3、二极管V2、测试开关K2、电阻R4、二极管V3、电容C、稳压二极管V4、光电耦合器D1、电阻R5,?所述电阻R1的（1）端输入的电压为18?32V，所述电阻R1的（2）端与二极管V1的正端和电阻R2的（1）端连接，所述二极管V1的负端输入地/开信号，所述电阻R2的（2）端与光电耦合器D1的输入正端连接，所述光电耦合器D1的输入负端与稳压二极管V4的负端连接，所述稳压二极管V4的正端接地；?所述测试开关K1、电阻R3、二极管V2相互串联形成第一测试单元，所述第一测试单元的正端与电阻R1的（1）端连接，所述第一测试单元的负端与电阻R2的（2）端连接，?所述电阻R4、二极管V3、测试开关K2相互串联形成第二测试单元，所述第二测试单元的正端与电阻R2的（2）端连接，所述第二测试单元的负端接地，所述电容C与第二测试单元并联；?所述光电耦合器D1的输出正端通过R5与VCC连接，所述光电耦合器D1的输出负端接地。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨宁，
申请(专利权)人：中国航空工业集团公司第六三一研究所，
类型：实用新型
国别省市：