【技术实现步骤摘要】
低温多晶硅薄膜晶体管、其制备方法及显示设备
本专利技术是关于一种低温多晶硅薄膜晶体管、其制备方法、及显示设备,尤指一种于工艺中减少退火次数以及降低工艺温度的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法。
技术介绍
现今平面显示器多使用液晶显示器,由于液晶显示器具有省电、低辐射、质轻等优点,在市面上已成为主流商品,而现今的液晶显示器中的薄膜晶体管是主要分为两种:由非晶硅(Amorphous-Silicon;a-Si)所制成、或由多晶硅(Poly-Silicon;p-Si)所制成,而目前薄膜晶体管是以非晶硅的工艺为主流,相关技术相较的下也较为成熟。然而,由于多晶硅的载体移动度(Mobility)是非晶硅的100倍以上,且具有高亮度、高分辨率、低耗电,轻薄等优点,因此,多晶硅液晶显示器的制造技术被大量的研究。多晶硅液晶显示器技术中,以低温多晶硅(LowTemperaturePolySilicon;LTPS)为新一代主要制造技术。由于低温多晶硅工艺的显示器更为轻薄,可将组件微小化,并整合更多电子电路,使低温多晶硅薄膜晶体管小型化,因此可降低产品的重量且制造成本更低廉,故在液晶显示器市场上受到瞩目。然而,已知的低温多晶硅薄膜晶体管工艺中包括氢化(hydrogenation)、去氢化(dehydrogenation)、以及掺杂活化(dopantactivation)过程,皆需要再经由热或激光能量处理。其中,掺杂活化是将掺杂的不纯物活化,使多晶硅层的源极和漏极低电阻化,使关闭电压值提高。然而,使用激光活化的成本相当高,且高温的工艺则会限制基板材料的选择而限制低温多晶硅薄膜晶体管的应用 ...
【技术保护点】
一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法,该方法至少包括: (A)提供一低温多晶硅薄膜晶体管基板,包括:一基板;一缓冲层形成于该基板上;一多晶硅层形成于该缓冲层上,其中,该多晶硅层具有一源极、一漏极、以及一通道;一第一绝缘层部分形成于该多晶硅层上,并暴露出该多晶硅层的该源极以及该漏极;一栅极,部分形成于该第一绝缘层上;一第二绝缘层部分形成于该栅极以及部分该第一绝缘层上; (B)于该低温多晶硅薄膜晶体管结构中暴露的该源极及漏极上形成一金属薄膜层; (C)于该金属薄膜层上形成一第一导电层,且该第一导电层凸出于该第二绝缘层上,并进行一退火工艺,使该金属薄膜层与该源极及该漏极反应形成一金属硅化物层;以及 (D)形成一保护层于该第一导电层以及该第二绝缘层上,以形成一低温多晶硅薄膜晶体管。
【技术特征摘要】
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法,该方法至少包括:(A)提供一低温多晶硅薄膜晶体管基板,包括:一基板;一缓冲层形成于该基板上;一多晶硅层形成于该缓冲层上,其中,该多晶硅层具有一源极、一漏极、以及一通道;一第一绝缘层部分形成于该多晶硅层上,并暴露出该多晶硅层的该源极以及该漏极;一栅极,部分形成于该第一绝缘层上;一第二绝缘层部分形成于该栅极以及部分该第一绝缘层上;(B)于该低温多晶硅薄膜晶体管结构中暴露的该源极及漏极上形成一金属薄膜层;(C)于该金属薄膜层上形成一第一导电层,该第一导电层覆盖位于该源极及漏极上的该金属薄膜层,且该第一导电层凸出于该第二绝缘层上,并进行一退火工艺,使该金属薄膜层与该源极及该漏极反应形成一金属硅化物层;以及(D)形成一保护层于该第一导电层以及该第二绝缘层上,以形成一低温多晶硅薄膜晶体管。2.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法,其中,步骤(A)中,该缓冲层至少一选自氧化硅、及氮化硅所组成的群组。3.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法,其中,步骤(A)中,该第一绝缘层至少一选自氧化硅层、及氮化硅层所组成的群组。4.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法,其中,步骤(A)中,该栅极为钼、钨或其合金。5.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法,其中,步骤(C)中,该第二绝缘层至少一选自氧化硅层、及氮化硅层所组成的群组。6.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法,其中,步骤(B)中,该金属薄膜层的材料由至少一选自镍、钛、钴、以及钨金属所组成的群组。7.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法,其中,步骤(C)中,该金属硅化物层位于该金属薄膜层与该源极及该漏极处,并控制该退火工艺时间,使该源极的该金属硅化物层及该漏极的该金属硅化物层间的最小距离大于或等于2μm。8.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法,其中,步骤(C)中,该第一导电层为钼、钼/铝/钼、或钛/铝/钛其中之一所组成。9.一种显示设备,包括:一显示面板,显示由一低温多晶...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘侑宗,李淂裕,黄建达,
申请(专利权)人:群康科技深圳有限公司, 奇美电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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