本发明专利技术的实施例提供了一种母板、阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可增强阵列基板的外围布线区换层连接处的抗腐蚀能力，提高产品良率。该阵列基板包括：像素区和外围布线区；所述外围布线区包括设置在衬底基板上的透明导电接触电极，所述透明导电接触电极通过设置于不同绝缘层上的过孔与设置于下方的金属电极线电连接，且位于不同绝缘层的过孔之间在投影方向无交叠。用于需要在外围布线区提高抗腐蚀能力的母板、阵列基板及显示装置的制造。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术的实施例提供了一种母板、阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示
，可增强阵列基板的外围布线区换层连接处的抗腐蚀能力，提高产品良率。该阵列基板包括：像素区和外围布线区；所述外围布线区包括设置在衬底基板上的透明导电接触电极，所述透明导电接触电极通过设置于不同绝缘层上的过孔与设置于下方的金属电极线电连接，且位于不同绝缘层的过孔之间在投影方向无交叠。用于需要在外围布线区提高抗腐蚀能力的母板、阵列基板及显示装置的制造。【专利说明】一种母板、阵列基板及制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种母板、阵列基板及制备方法、显示装置。
技术介绍
目前,液晶显示器(Liquid Crystal Display,简称IXD)已经成为了显示器领域发展的主流趋势。液晶显示器的阵列基板上设置有像素区，以及在像素区周边的用于与驱动IC连接、测试、防止静电等的外围布线区；外围布线区中设置有各种金属布线，在金属布线上因为金属布线排布的需要以及排布空间的限制，往往需要通过过孔换层来连接不同的金属布线，然而在换层连接的过孔位置处经常会发生过孔腐蚀的现象。例如，对于外围布线区中的栅线引线，由于栅线引线与像素区中的栅极同层且同时形成，其一般是埋在阵列基板的里层，然而栅线引线需要与驱动IC连接，目前的做法是在最外层设置抗腐蚀能力相对较强的金属氧化物导电电极，并通过在其下方的绝缘层上形成一个过孔来与该过孔正下方的栅线引线电连接。在上述方法中，虽然暴露在空气中的金属氧化物导电电极的抗腐蚀能力相对较强，但是空气中的水汽不可避免的还是会渗透该电极层，并通过过孔直接到达栅线引线，从而导致金属的栅线引线被腐蚀，影响阵列基板的良率。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种母板、阵列基板及制备方法、显示装置，可以增强该阵列基板的外围布线区中换层连接的过孔处的抗腐蚀的能力，提高阵列基板的良率。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案:—方面，本专利技术的实施例提供了一种阵列基板，包括像素区和外围布线区；所述外围布线区包括设置在所述衬底基板上的透明导电接触电极，所述透明导电接触电极通过设置于不同绝缘层上的过孔与设置于下方的金属电极线电连接，且位于不同绝缘层的过孔之间在投影方向无交叠。在此基础上，所述像素区包括设置在所述衬底基板上的多个薄膜晶体管、公共电极和与所述薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极；所述透明导电接触电极与所述像素电极和所述公共电极二者中位于上方的同层设置。进一步的，所述像素区还包括设置在所述衬底基板上的数据线和栅线；所述金属电极线包括栅线的延伸线和/或数据线的延伸线。可选的，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管；所述栅线的延伸线包括栅线引线，且所述栅线引线与所述栅线、所述薄膜晶体管的栅极同层设置；所述透明导电接触电极通过设置于钝化层上的第一过孔与源漏极保留图案电连接，所述源漏极保留图案通过设置于栅绝缘层上的第二过孔与所述栅线引线电连接。在此基础上，所述钝化层位于像素区和外围布线区，且在所述像素区中位于所述像素电极和所述公共电极之间；所述源漏极保留图案与所述源极和漏极同层设置；所述栅绝缘层位于所述像素区和外围布线区，且在所述像素区中位于所述栅极与所述源极和所述漏极之间。可选的，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管；所述栅线的延伸线包括栅线引线，且所述栅线引线与所述栅线、所述薄膜晶体管的栅极同层设置；所述透明导电接触电极通过设置于钝化层上的第三过孔与第一透明电极保留图案电连接，所述第一透明电极保留图案通过设置于栅绝缘层上的第四过孔与所述栅线引线电连接。在此基础上，所述钝化层位于像素区和外围布线区，且在所述像素区中位于所述像素电极和所述公共电极之间；所述第一透明电极保留图案与所述像素电极和所述公共电极中位于下方的电极同层设置；所述栅绝缘层位于所述像素区和外围布线区，且在所述像素区中位于所述栅极与所述源极和所述漏极之间。可选的，薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管；所述数据线的延伸线包括数据线引线，且所述数据线引线与所述数据线、所述薄膜晶体管的源极和漏极同层设置；所述透明导电接触电极通过设置于钝化层上的第五过孔与第二透明电极保留图案电连接，所述第二透明电极保留图案通过设置于保护层上的第六过孔与所述数据线引线电连接。在此基础上，所述钝化层位于像素区和外围布线区，且在所述像素区中位于所述像素电极和所述公共电极之间；所述第二透明电极保留图案与所述像素电极和所述公共电极中位于下方的电极同层设置；所述保护层位于所述像素区和外围布线区，且在所述像素区中位于所述源极和所述漏极与靠近的所述像素电极或所述公共电极之间。可选的，薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管；所述数据线的延伸线包括数据线引线，且所述数据线引线与所述数据线、所述薄膜晶体管的源极和漏极同层设置；所述透明导电接触电极通过设置于钝化层上的第七过孔与栅极保留图案电连接，所述栅极保留图案通过设置于栅绝缘层上的第八过孔与所述数据线引线电连接。在此基础上，所述钝化层位于像素区和外围布线区，且在所述像素区中位于所述栅极上方；所述栅极保留图案与所述栅极同层设置；所述栅绝缘层位于所述像素区和外围布线区，且在所述像素区中位于所述栅极与所述源极和所述漏极之间。优选的，所述透明导电接触电极与所述公共电极同层设置；其中，所述像素电极设置于所述公共电极和所述衬底基板之间。优选的，所述透明导电接触电极与所述像素电极同层设置；其中，所述公共电极设置于所述像素电极和所述衬底基板之间。另一方面，本专利技术实施例提供了一种显示装置，包括上述任一项所述的阵列基板。再一方面，本专利技术实施例提供了一种母板，包括至少一个阵列基板，所述阵列基板为上述任一项所述的阵列基板。可选的，所述母板还包括:与所述阵列基板的数据线平行，且与透明导电接触电极均电连接的测试栅线；和/或，与所述阵列基板的栅线平行，且与所述透明导电接触电极均电连接的测试数据线；其中，所述测试栅线和/或所述测试数据线与所述透明导电接触电极同层设置。进一步可选的，所述测试栅线和测试数据线电连接。又一方面，本专利技术实施例还提供了一种针对上述的所述阵列基板的制备方法，包括:在衬底基板的像素区周边的外围布线区形成金属电极线、以及位于所述金属电极线上方的透明导电接触电极；其中，所述透明导电接触电极通过形成于不同绝缘层上的过孔与形成于下方的所述金属电极线电连接，且位于不同绝缘层的过孔之间在投影方向无交叠。优选的，所述制备方法还包括:在所述衬底基板的所述像素区形成多个薄膜晶体管、公共电极和与所述薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极；其中，所述透明导电接触电极与所述像素电极和所述公共电极二者中位于上方的同层。进一步优选的，所述在衬底基板的外围布线区形成金属电极线，包括:在所述衬底基板的所述外围布线区形成栅线的延伸线和/或数据线的延伸线。可选的，所述制备方法具体包括:在所述衬底基板上形成包括位于所述像素区的栅极、栅线以及位于所述外围布线区的栅线引线的栅金属层；在形成有包括所述栅金属层的基板上依次形成栅绝缘层和位于所述像素区的有源层；其中，在所述栅绝缘层上形成位于所述外围布线区的第二过孔，所述第二过孔露出所述栅线引线；在形成有包括所述栅绝缘层和所述有源层的基板上形成包括位于所述像素区本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板，包括像素区和外围布线区，其特征在于，所述外围布线区包括设置在衬底基板上的透明导电接触电极，所述透明导电接触电极通过设置于不同绝缘层上的过孔与设置于下方的金属电极线电连接，且位于不同绝缘层的过孔之间在投影方向无交叠。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘旭，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司， 成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。