干法蚀刻装置(1)具备搬运基板(5)的托架(3)。在托架(3)设有可收容(3)枚基板(5)的作为贯通孔的基板收容孔(4A～4C)。基板(5)被从基板收容孔(4A～4C)的孔壁突出的基板支撑部(11)支撑。在产生等离子体的腔室(2)内设有平台(21)。平台(21)具备基板载置部(27A～27C)，该基板载置部(27A～27C)从托架(3)的下面插入基板收容孔(4A～4C)、并且在作为其上端面的基板载置面(28)载置从基板支撑部(11)交付的基板(5)的下面。能够抑制装置的大型化同时，实现针对方形基板的高的形状控制性和良好的生产性。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】干法蚀刻装置(1)具备搬运基板(5)的托架(3)。在托架(3)设有可收容(3)枚基板(5)的作为贯通孔的基板收容孔(4A～4C)。基板(5)被从基板收容孔(4A～4C)的孔壁突出的基板支撑部(11)支撑。在产生等离子体的腔室(2)内设有平台(21)。平台(21)具备基板载置部(27A～27C)，该基板载置部(27A～27C)从托架(3)的下面插入基板收容孔(4A～4C)、并且在作为其上端面的基板载置面(28)载置从基板支撑部(11)交付的基板(5)的下面。能够抑制装置的大型化同时，实现针对方形基板的高的形状控制性和良好的生产性。【专利说明】
本专利技术涉及。
技术介绍
在太阳能电池中，开发了用于提高转换效率的光限制技术(陷光技术)。在光限制技术中，存在太阳能电池表面的粗面化、太阳能电池表面背面的纹理的形成、以及基板自身的凹凸的形成。对于粗面化，专利文献I中公开了基于湿法蚀刻的粗面化，专利文献2中公开了基于干法蚀刻(RIE蚀刻)的粗面化，还已知利用通过各向同性等离子体进行的加工。此外，对于纹理的形成，专利文献3、4中公开了通过湿法蚀刻来形成纹理，专利文献5中公开了通过干法蚀刻(RIE蚀刻)来形成纹理。再有，对于基板自身的凹凸形成，专利文献6中公开了通过湿法蚀刻在基板表面形成V槽，专利文献7中公开了通过机械性的蚀刻来V槽。另一方面，已知利用能搬运多个基板的托架(tray)来实现批处理的干法蚀刻装置。例如，专利文献8中公开了在设置于托架的多个有底的基板收容孔中收容基板来进行搬运的等离子体处理装置。此外，专利文献9中公开了在设置于托架的多个于厚度方向上贯通的基板收容孔中收容基板来进行搬运的等离子体处理装置。【先行技术文献】【专利文献】【专利文献I】JP专利第3301663号【专利文献2】JP特开2003-197940号【专利文献3】JP专利第29973`66号`【专利文献4】JP专利第2866982号【专利文献5】JP特开2010-21196号【专利文献6】JP专利第2989055号【专利文献7】JP专利第2749228号【专利文献8】JP特开平2006-066417号【专利文献9】JP专利第436105号
技术实现思路
【专利技术的概要】【专利技术要解决的课题】即便采用上述光限制技术的某个技术，也需要对太阳能电池表面背面、基板进行加工从而形成各种形状。在这种的加工中，不仅要求高的生产效率，而且为了实现有效的光限制还要求高的形状控制性。湿法蚀刻中的批处理是较为普遍的，各向同性等离子体处理中使用了桶型等离子体处理装置的批处理也是较为普遍的。在这些的批处理中难以实现较高的形状控制性。另一方面，为了确保形状控制性而在单片处理中执行湿法蚀刻、各向同性等离子体处理的情况下，由于生产效率显著较低，因此产生成本大幅增加。基于RIE蚀刻的各向异性蚀刻能够实现较高的形状控制性，但是在单片处理中执行的话其生产效率显著较低。专利文献8的等离子体装置构成为在形成于可移动的托架上的多个有底的孔中收容基板，如上述那样能够进行批处理。但是，由于在有底的孔中所收容的各个基板经由托架而被冷却，因此无法有效地冷却基板。其结果，无法投入高的偏置功率，且温度控制性也不好，因此，生产性和形状控制性都不佳。专利文献9的等离子体处理装置构成为在形成于可移动的托架的多个在厚度方向上贯通的孔中收容基板，其也能够进行批处理。由于各个基板不经由托架而直接被冷却，因此能够有效地冷却基板，能够投入较高的偏置功率。太阳能电池的基板形状一般是四边形形状或者方形。但是，专利文献9所记载的等离子体处理装置主要意图在于多个圆形基板的批处理，因此对于适用于方形基板时的托架的大型化、甚至装置的大型化抑制，没有充分地考虑。特别，当前的太阳能电池的基板中125_角为主流，但将这种尺寸的9枚方形基板按照3X3的配置而配置在专利文献9的托架上的情况下，由于需要以托架包围9枚方形基板各自的周围，因此托架变得大型化。伴随着托架的大型化，等离子体处理装置整体变得大型化。如以上，在现有的等离子体处理中，对于太阳能电池的基板这种的比较大尺寸的方形基板，无法抑制装置的大型化并且同时实现形状控制性和生产性。本专利技术的目的在于提供一种，能够抑制装置的大型化，同时能够实现较高的形状控制性和良好的生产性的双方。 【用于解决课题的手段】本专利技术的第I方式提供一种等离子体处理装置，其具备:可移动的托架，其具备被设置成在厚度方向上贯通并收容多个基板的至少I个基板收容孔、以及从该基板收容孔的孔壁突出并对所述基板收容孔内中收容的多个基板的下面的外周缘部分进行支撑的基板支撑部；等离子体产生源，使得在所述托架被移入的腔室内产生等离子体；和平台，其具备配置在所述腔室内并支撑所述托架的托架支撑部、以及从所述托架的下面侧插入所述基板收容孔并且在作为其上端面的基板载置面载置从所述基板支撑部交付的所述多个基板的下面的基板载置部。基板的下面不经由托架而直接载置于基板载置部的基板载置面。详细而言，基板载置部从托架的下面侧插入基板收容孔，在基板载置部的作为上端面的基板载置面载置基板。不经由托架而直接载置于基板载置面的基板被高效率冷却，并且能够实现高精度的温度控制。其结果，能够实现高的形状控制性。此外，由于托架所具备的至少I个基板收容孔中收容多个基板，因此可进行多个基板的批处理，能够实现良好的生产性。再有，在托架的各个基板收容孔中收容多个基板而不是收容单一的基板，在平台所具备的基板载置部的基板载置面，载置从基板收容孔的基板支撑部交付的多个基板。通过在托架的基板收容孔中收容多个基板，从而能够抑制托架的大型化，进而能够抑制等离子体处理装置的大型化。此外，通过构成为在I个基板载置部的基板载置面配置多个基板，从而能够简化平台的构造。以上，根据本专利技术的等离子体处理装置，能够抑制装置的大型化的同时实现高的形状控制性和良好的生产性。具体而言，所述托架在相邻的所述基板的对接部彼此被对接的状态下收容所述多个基板。例如，所述基板是方形基板，所述对接部是所述方形基板的一边。优选等离子体处理装置还具备:弯曲防止部件，按照在俯视下横跨所述基板收容孔的方式对所述托架上配备的所述基板的下面侧进行支撑；和收容槽，其设置在所述平台的所述基板支撑部，使得在托架被所述托架支撑部支撑的状态下让所述弯曲防止部件进入。除了基板支撑部之外还设置弯曲防止部件，从而即便在各个基板收容孔中收容多个比较大幅的基板的情况下，也能够防止收容中的基板因自重而向下方弯曲。另一方面，由于被收容在平台的基板载置部的收容槽中，因此弯曲防止部件不妨碍基板被载置于基板载置面。优选，等离子体处理装置还具备:静电吸附用电极，其用于使所述基板静电吸附在所述基板载置面；和驱动电源，其对所述静电吸附用电极提供驱动电压。此外，优选具备冷却平台的冷却机构。进一步优选，等离子体处理装置还具备:传热气体供给机构，对所述基板载置面与所述基板之间供给传热气体。在从驱动电源对静电吸附用电极施加直流电压时，基板相对于基板载置面以较高的紧密度被保持。其结果，作为被冷却机构冷却的平台的一部分的基板载置面与基板之间的经由传热气体的热传导较为良好，能够以较高的冷却效率来冷却基板，并且能够以高精度控制基板温度。本专利技术的第2方式本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种等离子体处理装置，其具备：可移动的托架，其具备：被设置成在厚度方向上贯通并收容多个基板的至少1个基板收容孔、以及从该基板收容孔的孔壁突出并对所述基板收容孔内中收容的多个基板的下面的外周缘部分进行支撑的基板支撑部；等离子体产生源，其在所述托架被移入的腔室内使等离子体产生；和平台，其具备：配置在所述腔室内并支撑所述托架的托架支撑部、以及从所述托架的下面侧插入所述基板收容孔的基板载置部，其中在作为该基板载置部的上端面的基板载置面载置从所述基板支撑部交付的所述多个基板的下面。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：置田尚吾，渡边彰三，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：
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