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干法蚀刻装置(1)具备搬运基板(5)的托架(3)。在托架(3)设有可收容(3)枚基板(5)的作为贯通孔的基板收容孔(4A～4C)。基板(5)被从基板收容孔(4A～4C)的孔壁突出的基板支撑部(11)支撑。在产生等离子体的腔室(2)内设有平台...
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