【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供了半导体器件和半导体装置。所述半导体器件包括：包括p区和n区的补偿区；在所述补偿区的一侧的晶体管单元；在所述晶体管单元上的第一电极；在所述补偿区的另一侧的第二电极，其中，所述第二电极包括多个金属化层；以及互连层，沉积于所述第二电极的金属化层，其中，所述互连层具有小于20μm的厚度。【专利说明】半导体器件和半导体装置
本技术涉及一种半导体器件，特别是，涉及半导体器件的互连。
技术介绍
在功率半导体领域，重要主题是电阻率的最小化和功率器件的热管理的改进。该主题的中心点在于芯片到芯片载体的互连和该互连关于导电和导热的行为。在功率器件缩小和电流密度不断增加情况下，具有垂直电流通过器件的此类功率器件(例如IGBT、二极管、MOSFET)的热性能是产品应用中的限制性因素。用于具有快速开关时间的高压应用的补偿器件，例如超结晶体管，是针对该困境的最好示例。与具有相同等级的阻断电压的常规功率MOSFET相比，超结晶体管使用复杂的和昂贵的制造工艺来实现相同的导通电阻。超结晶体管因此像可比较的标准MOSFET那样需要较小的芯片面积。然而，较大的标准芯片的热行为更好。由于热原因，超结晶体管的制造技术的改进不能直接转变成器件面积的进一步收缩:超结晶体管的总功率损耗PtrtaI取决于在导通下的传导损耗Pm-State;、开关损耗Pswitehing，并且遵循原则:【权利要求】1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括: 包括P区和η区的补偿区； 在所述补偿区的一侧的晶体管单元； 在所述晶体管单元上的第一电极； 在所述补偿区的另一侧的第二电...
【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：包括p区和n区的补偿区；在所述补偿区的一侧的晶体管单元；在所述晶体管单元上的第一电极；在所述补偿区的另一侧的第二电极，其中，所述第二电极包括多个金属化层；以及互连层，沉积在所述第二电极的金属化层，其中，所述互连层具有小于20 μm的厚度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：K霍赛尼，A毛德，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：新型
国别省市：奥地利;AT
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