【技术实现步骤摘要】
四氯化硅转化三氯氢硅反应器
本技术属于多晶硅冷氢化生产装置，特别涉及一种四氯化硅转化三氯氢硅反应器。
技术介绍
在国内多晶硅装置中，四氯化硅转化三氯氢硅的技术大都是采用电化学还原氢化的技术，俗称“热氢化”技术。该技术电耗高、四氯化硅转化率低、加热片需定期更换，生产成本高。
技术实现思路
本技术的专利技术目的在于:针对上述存在的问题，提供一种适用于年产10万吨三氯氢硅生产工艺的四氯化硅转化三氯氢硅反应器。本技术的技术方案是这样实现的:四氯化硅转化三氯氢硅反应器，其特征在于:包括筒体以及设置在筒体上、下端的上封头和下封头，在所述上封头上设置有气体出口，在所述下封头上设置有气体进口，在所述筒体内、靠近下封头一端设置有带风帽的气体分布板，在所述筒体上部设置有至少一个硅粉进管，在所述筒体内设置有至少一个测温元件。本技术所述的四氯化硅转化三氯氢硅反应器，其所述上封头呈椭圆状，所述下封头呈锥形。本技术所述的四氯化硅转化三氯氢硅反应器，其所述硅粉进管与硅粉自动加料系统连接。本技术所述的四氯化硅转化三氯氢硅反应器，其在所述气体出口的管路上设置有急冷液喷淋。本技术所述的四氯化硅转化三氯氢硅反应器，其在所述反应器顶部上方设置有旋风分离器，所述旋风分离器的料腿插入反应器内部。本技术适用于年产10万吨三氯氢硅的生产工艺，采用冷氢化技术，将四氯化娃和娃粉、氢气在本技术的结构中反应生成三氯氢娃，具有电耗低、生产成本低、转化率高的优点，同时可取消多晶硅生产中采用“热氢化技术”必须设置的尾气回收系统，对减少多晶硅装置的投资，降低工厂综合电耗更有利。【附图说明】图1是本技术的结构示意图。图中...
【技术保护点】
四氯化硅转化三氯氢硅反应器，其特征在于：包括筒体（1）以及设置在筒体（1）上、下端的上封头（2）和下封头（3），在所述上封头（2）上设置有气体出口（4），在所述下封头（3）上设置有气体进口（5），在所述筒体（1）内、靠近下封头（3）一端设置有带风帽的气体分布板（6），在所述筒体（1）上部设置有至少一个硅粉进管（7），在所述筒体（1）内设置有至少一个测温元件（8）。
【技术特征摘要】
1.四氯化硅转化三氯氢硅反应器，其特征在于:包括筒体(I)以及设置在筒体(I)上、下端的上封头(2)和下封头(3)，在所述上封头(2)上设置有气体出口(4)，在所述下封头(3 )上设置有气体进口( 5 )，在所述筒体(I)内、靠近下封头(3 ) 一端设置有带风帽的气体分布板(6 )，在所述筒体(I)上部设置有至少一个硅粉进管(7 )，在所述筒体(I)内设置有至少一个测温元件(8)。2.根据权利要求1所述的四氯化硅转化三氯氢...
【专利技术属性】
技术研发人员：王彬，周齐领，李瑞芳，王任，彭斌，
申请(专利权)人：中国成达工程有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51
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