【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提出一种均匀散热的串管结构GaN管芯。包括设置在衬底上的有源区、功率分配网络、功率合成网络，在衬底上垂直于栅条的方向设置有至少一个散热槽，散热槽将有源区隔离为至少两个以上的有源子区，每个有源子区之间相互串联连接并共用源条接地通孔，每个有源子区的输入端均与功率分配网络连接，每个有源子区的输出端均与功率合成网络连接。本专利技术在保持管芯尺寸基本不变的情况下，有效降低有源区的最高结温，改善了管芯的热稳定性，从而进一步提高管芯的可靠性。【专利说明】一种均匀散热的串管结构GaN管芯
本专利技术属于三代半导体功率器件
，具体涉及一种均匀散热的串管结构GaN管芯。
技术介绍
固态功率器件是微波系统中的关键元件，尤其是微波功率器件和单片电路是电子对抗、相控阵雷达、精确打击、微波通信以及卫星宇航等系统中的核心元器件由于其应用背景的特殊性，固态微波功率器件和单片电路一直是国外对我国进行技术封锁和产品禁运的重点领域。随着材料制备和器件工艺的不断进步完善，目前国外的GaAs器件已经比较成熟，逐渐把精力投入到三代半导体工艺的开发。GaN功率器件作为三...
【技术保护点】
一种均匀散热的串管结构GaN管芯，包括设置在衬底上的有源区、功率分配网络、功率合成网络，其特征在于，在衬底上垂直于栅条的方向设置有至少一个散热槽，散热槽将有源区隔离为至少两个以上的有源子区，每个有源子区之间相互串联连接并共用源条接地通孔，每个有源子区的输入端均与功率分配网络连接，每个有源子区的输出端均与功率合成网络连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张斌，余旭明，陈堂胜，任春江，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。