一种复合掩模板组件的制作方法技术

本发明专利技术提供的一种复合掩模组件的制作方法通过步骤S1、选材贴膜；S2、曝光显影；S3、蚀刻处理；S4、镭射处理形成具有支撑功能的合金板材支撑层以及具有图像区域的掩模层，如此可以更好的解决传统工艺中下垂问题，进而改善产品的精度和质量，使制造更大尺寸面板成为可能。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供的一种复合掩模组件的制作方法通过步骤S1、选材贴膜；S2、曝光显影；S3、蚀刻处理；S4、镭射处理形成具有支撑功能的合金板材支撑层以及具有图像区域的掩模层，如此可以更好的解决传统工艺中下垂问题，进而改善产品的精度和质量，使制造更大尺寸面板成为可能。【专利说明】
本专利技术涉及电子印刷领域，尤其涉及。
技术介绍
由于有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,0LED)由于同时具备自发光，不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异之特性，被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。OLED生产过程中最重要的一环节是将有机层按照驱动矩阵的要求敷涂到基层上，形成关键的发光显示单元。OLED是一种固体材料，其高精度涂覆技术的发展是制约OLED产品化的关键。目前完成这一工作，主要采用真空沉积或真空热蒸发(VTE)的方法，其是将位于真空腔体内的有机物分子轻微加热(蒸发)，使得这些分子以薄膜的形式凝聚在温度较低的基层上。在这一过程中需要与OLED发光显示单元精度相适应的高精密掩模板组件作为媒介。图1所不是一种用于OLED蒸镀用掩模板组件的结构不意图,其由具有掩模图案10的掩模主体11与固定掩模主体11用的外框12构成，其中掩模主体11、外框12均为金属材料。图2所示为图1中A-A所示的截面放大示意图,20为掩模部,21为有机材料蒸镀时在基板上形成薄膜的通道，由于掩模主体11 一般是金属薄片通过蚀刻等工艺制得，构成其掩模图案(10)的掩模部(20)、通道(21)的尺寸(如:两通道的中心间距尺寸dl)会受到金属薄片本身厚度h和工艺的限制，从而限制最终OLED产品的分辨率。另外，若制作大尺寸掩模板，其金属型的掩模主体11会具有较大的质量，从而会导致掩模主体11板面产生下垂(即板面下凹)，这对精度要`求较高的掩模蒸镀过程是不利的。鉴于此，业内亟需一种能够解决此问题的方案。
技术实现思路
有鉴于此，需要克服现有技术中的上述缺陷中的至少一个。本专利技术提供了一种掩模组件的组装方法。本文提供的，具体包括以下步骤: 51、选材贴膜:选取预定尺寸的合金片材,在其一面,表面一,压贴上一层耐高温、耐酸碱、性质稳定的聚合高分子薄膜，所述合金片材与所述聚合高分子薄膜具有良好的结合力，在贴有高分子薄膜的所述合金片材另一面，表面二，涂布或压贴一层感光聚合物； 52、曝光显影:将贴有所述感光聚合物薄膜的所述表面二按照预设的曝光文件进行曝光，曝光后的所述表面二包括曝光区域和未曝光区域，并对经过曝光处理后的所述表面二进行显影处理，去除未曝光区域的所述感光聚合物，使所述未曝光区域的合金片材裸露； 53、蚀刻处理:将显影后的所述合金片材进行蚀刻处理，将所述表面二上裸露在外的金属区域蚀刻透形成开口，并将蚀刻处理后的所述合金片材上的感光聚合物进行褪膜处理，即将之前曝光区域的感光聚合物去除；S4、镭射处理:褪膜的所述合金片材固定稳定后，将压贴在所述合金片材31所述表面一的聚合高分子薄膜(32)进行镭射处理，在预设区域形成开口图案，形成与开口相对应的掩模部。另外，根据本专利技术公开的一种掩模组件的组装方法还具有如下附加技术特征: 根据本专利技术的实施例，所述合金片材为具有铁磁性能的材料。优选地，所述合金片材为因瓦合金。根据本专利技术的实施例，所述合金片材的厚度hi为20 μ m < hi < 60 μ m。根据本专利技术的实施例，聚合物薄膜的厚度h2为2 μ m < h2 < 20 μ m。根据本专利技术的实施例，在步骤S4镭射处理之前或之后，还包括将蚀刻褪膜后的所述合金片材固定在掩模框上。步骤:将蚀刻褪膜后的所述合金片材固定在掩模框上，可以放在步骤S4镭射处理之前，也可以放在步骤S4镭射处理之后。根据本专利技术的实施例，所述固定方式可以是激光焊接或是胶水粘结方式。以上步骤所涉及掩模组件的构造示意描述如下，旨在加强对本专利技术的理解: 本专利所涉及通过一种复合掩模板组件，其包括:掩模主体以及掩模框，其中所述掩模主体包括两层结构:掩模层，所述掩模层由高分子聚合物镭射处理后形成，其上设置的开口通道构成掩模图案区域；支撑层，所述支撑层由合金片材蚀刻后形成，其上设置有与掩模层开口通道相对应的支撑条，即合金片材开口处的梁，所述支撑层与所述掩模层紧密结合在一起，且支撑层上的支撑条结构不对掩模层的开口通道形成阻挡。`所述复合掩模板主体上至少设置有一个掩模图案区域，掩模图案区域中开口通道的配置方式及其与支撑层支撑条的配置方式如图11所示。开口通道以矩阵方式分布在掩模图案区域上，支撑层的支撑条以一定的间距d2分布在开口通道间的掩模部上，两相邻的支撑条的间距为d3, d3、d2有如下关系:d3=n*d2 (η为1、2、3、4……).根据本专利技术的一些实施例，η=2或4或6。根据本专利技术的一些实施例，所述支撑层由具有较优磁性能的合金材料构成。优选地，所述支撑层采用因瓦材料。根据本专利技术的一些实施例，所述掩模层由耐磨、耐高温、耐酸碱且与支撑层具有较好附着力的材料构成。优选地，所述掩模层为性质稳定的聚合高分子材料。根据本专利技术的实施例，所述掩模主体是通过激光焊接或胶水粘接等方式固定于所述掩模框上。图12所示是将掩模板固定在真空腔内进行蒸镀的结构示意图，图中30是由支撑层31、掩模层32以及掩模框架33构成的蒸镀用掩模整体，61为基板、62为固定蒸镀用掩模整体30的基台、63为蒸发源。有机材料(构成OLED三原色的R、G、B材料)由蒸发源63蒸发，蒸汽通过复合掩模板主体的开口通道320在基板61上形成与开口通道320相适应的图案。附图中所示仅为结构示意图，其中复合掩模板主体上的开口处的棱边并非绝对垂直，而是存在一定倒角的。相对于传统掩模板，通过本专利技术提供的复合掩模组件的制作方法所制作的复合掩模组件可以制作更高PPI(即Pixels per inch所表示的是每英寸所拥有的像素(pixel)数目)的OLED显示屏(复合掩模板主体上每英寸所拥有的开口数量与OLED显示屏的PPI相对应)。例如:传统掩模板的开口中心间距dl为144μπι，其对应的PPI=2.54cm/144 μ m ^ 176 ；而当本专利技术中两条构成掩模板支撑条310的中心间距d2为144 μ m时(如图3)，复合掩模板主体的实际 PPI 为 PPI=2.54cm/d3=2.54cm/72 μ m ^ 352，由此制得的 OLED 屏亦未 352PPI，如此超越人眼所能看到的极限300PPI。同时，传统掩模板的构成材质为金属合金，本专利技术中将金属合金材料作为支撑层，其上与掩模图案对应的区域与传统掩模板相比，内部金属材料大量减少，虽然增加有有机材料构成的掩模层，但其质量相对较轻，从而使得复合掩模板主体的总体质量减少。在以相同的张力将复合掩模板主体固定在外框上时，复合掩模板主体的内部下垂量将会弱化。本专利技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。【专利附图】【附图说明】本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复合掩模板组件的制作方法，其特征在于，包括：S1、选材贴膜：选取预定尺寸的合金片材，在其一面，表面一，压贴上一层耐高温、耐酸碱、性质稳定的聚合高分子薄膜，所述合金片材与所述聚合高分子薄膜具有良好的结合力，在贴有高分子薄膜的所述合金片材另一面，表面二，涂布或压贴一层感光聚合物；S2、曝光显影：将贴有所述感光聚合物薄膜的所述表面二按照预设的曝光文件进行曝光，曝光后的所述表面二包括曝光区域和未曝光区域，并对经过曝光处理后的所述表面二进行显影处理，去除未曝光区域的所述感光聚合物，使所述未曝光区域的合金片材裸露；S3、蚀刻处理：将显影后的所述合金片材进行蚀刻处理，将所述表面二上裸露在外的金属区域蚀刻透形成开口，并将蚀刻处理后的所述合金片材上的感光聚合物进行褪膜处理，即将之前曝光区域的感光聚合物去除；S4、镭射处理：褪膜的所述合金片材固定稳定后，将压贴在所述合金片材所述表面一的聚合高分子薄膜进行镭射处理，在预设区域形成开口图案，形成与开口相对应的掩模部。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：魏志凌，高小平，潘世珎，
申请(专利权)人：昆山允升吉光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：