一种导电薄膜，包括层叠的ZITO层及MoO3层，其中，ZITO层是含氧化锌，氧化铟和氧化锡的薄膜层，具有较高的透光和低的电阻，薄膜做成纳米线的集合，相对于普通的透明导电薄膜，提高了有机电致发光器件的出光效率。上述导电薄膜通过在ZITO层的表面沉积三氧化钼层制备双层导电薄膜，该薄膜具有较高的表面功函数，可降低器件的启动电压，提高发光效率。本发明专利技术还提供一种导电薄膜的制备方法及应用。
【技术实现步骤摘要】
导电薄膜、其制备方法及应用
本专利技术涉及半导体光电材料，特别是涉及导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基板、其制备方法及有机电致发光器件。
技术介绍
导电薄膜电极是有机电致发光器件(OLED)的基础构件，其性能的优劣直接影响着整个器件的发光效率。其中，透明导电薄膜是把光学透明性能与导电性能复合在一体的光电材料，由于其具有优异的光电特性，成为近年来的研究热点和前沿课题，可广泛应用于太阳能电池，LED，TFT，LCD及触摸屏等屏幕显示领域。随着器件性能要求的提高，用于作为器件阳极的透明导电膜的性能也在要求提高。对于器件出光效率的需要，很多研究机构都在设法在阳极与基板之间插入散射层。高性能的器件，还要求阳极有较高的表面功函数，使其与其他功能层的能级相匹配，降低势垒，提高载流子注入效率，最终达到高的电光效率。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种功函数较高的导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基板、其制备方法及有机电致发光器件。一种导电薄膜，包括层叠的ZITO层及MoO3层，其中，ZITO层为氧化锌，氧化铟和氧化锡掺杂的薄膜层。一种导电薄膜的制备方法，包括以下步骤:将ZITO靶材、MoO3靶材及衬底装入脉冲激光沉积设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0X 10_3Pa~l.0X 10_5Pa，ZITO靶材为氧化锌，氧化铟和氧化锡掺杂靶材；在所述衬底表面沉积ZITO层，沉积所述ZITO层的工艺参数为:基靶间距为45mnT95mm，脉冲激光功率为80W~300W，工作压强3Pa~30Pa，工作气体的流量为10sccnT40sccm，衬底温度为 250°C 750°C ；在所述ZITO层表面沉积MoO3层，沉积所述ZITO层的工艺参数为:基靶间距为45mnT95mm，脉冲激光功率为80W~300W，工作压强3Pa~30Pa，工作气体的流量为10sccnT40sccm，衬底温度为 250°C 750°C ;及剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。在其中一个实施例中，所述ZITO层的厚度为80nnTl50nm，所述MoO3层的厚度为3nm~15nm0在其中一个实施例中，所述ZITO靶材由以下步骤得到:按照各组份摩尔比为(0. 10):(7098): (0.5~20)将ZnO, In203和SnO2粉体混合均匀，将混合均匀的粉体在9000C~1300°C下烧结制成靶材。在其中一个实施例中，所述MoO3靶材由以下步骤得到:将MoO3粉体在7000C~1100°C下烧结制成靶材。一种有机电致发光器件的基板，包括依次层叠的衬底、ZITO层及MoO3层，其中，ZITO层为氧化锌，氧化铟和氧化锡掺杂的薄膜层。一种有机电致发光器件的基板的制备方法，包括以下步骤:将ZITO靶材、MoO3靶材及衬底装入脉冲激光沉积设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0X 10_3Pa~l.0X 10_5Pa，ZITO靶材为氧化锌，氧化铟和氧化锡掺杂靶材；在所述衬底表面沉积ZITO层，沉积所述ZITO层的工艺参数为:基靶间距为45mnT95mm，脉冲激光功率为80W~300W，工作压强3Pa~30Pa，工作气体的流量为10sccnT40sccm，衬底温度为 250°C 750°C ;及在所述ZITO层表面沉积MoO3层，沉积所述此03层的工艺参数为:基靶间距为45mnT95mm，脉冲激光功率为80W~300W，工作压强3Pa~30Pa，工作气体的流量为IOsccm~40sccm,衬底温度为 25CTC ~750°C。在其中一个实施例中，所述ZITO靶材由以下步骤得到:按照各组份摩尔比为(0.1-10):(7098): (0.5~20)将ZnO, In203和SnO2粉体混合均匀，将混合均匀的粉体在9000C~1300°C下烧结制成靶材。在其中一个实施例中，所述MoO3靶材由以下步骤得到:将MoO3粉体在7000C~1100°C下烧结制成靶材。一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层以及阴极，所述阳极包括层叠的衬底、ZITO层及MoO3层，其中，ZITO层为氧化锌，氧化铟和氧化锡掺杂的薄膜层。上述导电薄膜通过在ZITO层的表面沉积三氧化钥薄膜制备双层导电薄膜，导电薄膜做成纳米线的集合，具有较高的表面功函数，又能保证高的透光，有利于器件的出光效率提高，导电薄膜在47(T790nm长范围可见光透过率85%~91%，方块电阻范围10-73Ω/ 口，表面功函数4.8^5.5eV ;上述导电薄膜的制备方法，使用脉冲激光沉积设备即可连续制备ZITO层及MoO3层，工艺较为简单；使用该导电薄膜作为有机电致发光器件的阳极，导电薄膜的表面功函数与一般的有机发光层的HOMO能级之间差距较小，降低了载流子的注入势垒，可显著的提高发光效率。【附图说明】图1为一实施方式的导电薄膜的结构示意图；图2为一实施方式的有机电致发光器件的基板的结构不意图；图3为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；图4为实施例1制备的导电薄膜的透射光谱图；图5为实施例1制备的导电薄膜的电镜扫描图；图6为实施例1制备的电致发光器件与对比例比较的亮度与电压关系曲线。【具体实施方式】下面结合附图和具体实施例对导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基板、其制备方法及有机电致发光器件进一步阐明。请参阅图1，一实施方式的导电薄膜100包括层叠的ZITO层30及MoO3层10，其中，ZITO层30为氧化锌，氧化铟和氧化锡掺杂的薄膜层。ZITO 层 30 的厚度为 80nnTl50nm，优选为 120nm。MoO3层10的厚度为3nm~15nm,优选为5nm。上述导电薄膜100通过在ZITO层30的表面沉积MoO3层10薄膜制备双层导电薄膜，这样制备的双层导电薄膜既能保持良好的导电性能，又使导电薄膜100的功函数得到了显著的提高，导电薄膜100在47(T790nm波长范围可见光透过率85%~91%，方块电阻范围10 Ω / □~73 Ω / □，表面功函数 4.8eV~5.5eV。上述导电薄膜100的制备方法，包括以下步骤:SI 10、将ZITO靶材、MoO3靶材及衬底装入脉冲激光沉积设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0X10_3Pa~l.0X10_5Pa，ZITO靶材为氧化锌，氧化铟和氧化锡掺杂靶材。本实施方式中，ZITO靶材由以下步骤得到:按照各组份摩尔比为(0.1-10):(70^98): (0.5~20)将ZnO，In203和SnO2粉体混合均匀，将混合均匀的粉体在900°C~1300°C下烧结制成靶材。MoO3靶材由以下步骤得到=MoO3靶材由以下步骤得到:将MoO3粉体在7000C~1100°C下烧结制成靶材。衬底为玻璃衬底。优选的，衬底在使用前用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗。本实施方式中，真空腔体的真空度优选为5X10_4Pa。步骤S120、在衬底表面沉积ZITO层30，沉积所述ZITO层30的工艺参数为:基靶间距为45mnT95mm，脉冲激光功率为80W~300W，工作压强3Pa~30Pa，工作气体的流量为IOsccm~40sccm,衬底温度为 25CTC ~750°C。优选的，基靶间距为60m本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种导电薄膜，其特征在于，包括层叠的ZITO层及MoO3层，其中，ZITO层为氧化锌，氧化铟和氧化锡掺杂的薄膜层。
【技术特征摘要】
1.一种导电薄膜，其特征在于，包括层叠的ZITO层及MoO3层，其中，ZITO层为氧化锌，氧化铟和氧化锡掺杂的薄膜层。2.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 将ZITO靶材、MoO3靶材及衬底装入脉冲激光沉积设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0X 10_3Pa~l.0X 10_5Pa，ZITO靶材为氧化锌，氧化铟和氧化锡掺杂靶材； 在所述衬底表面沉积ZITO层，沉积所述ZITO层的工艺参数为:基靶间距为45mnT95mm，脉冲激光功率为80W~300W，工作压强3Pa~30Pa，惰性工作气体的流量为10sccnT40sccm，衬底温度为 250°C 750°C ； 在所述ZITO层表面沉积MoO3层，沉积所述MoO3层的工艺参数为:基靶间距为45mnT95mm，脉冲激光功率为80W~300W，工作压强3Pa~30Pa，工作气体的流量为10sccnT40sccm，衬底温度为 250°C 750°C ； 剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。3.根据权利要求2所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述ZITO层的厚度为80nm~150nm,所述MoO3层的厚度为3nm~15nm。4.根据权利要求2所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述ZITO靶材由以下步骤得到:按照各组份摩尔比为(0.1~10): (70^98): (0.5~20)将ZnO, Ιη203和SnO2粉体混合均匀，将混合均匀的粉体在900°C~1300°C下烧结制成靶材。5.根据权利要求2所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述MoO3靶材由以下步骤得到:将MoO3粉体在700°C~1100°C下烧结制成靶材。6.—种有机电致发光器件的基板,...
【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，陈吉星，冯小明，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：
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