【技术实现步骤摘要】
一种Bi2S3-MoS2纳米异质结构的合成方法
本专利技术涉及纳米材料领域,具体地是一种Bi2S3-MoS2纳米异质结构的合成方法。
技术介绍
Bi2S3是一种层状半导体,具有很强的向C轴生长的趋势,因此Bi2S3易于形成一种高长径比的一维晶体结构,而且它的直接能带间隙约为1.3eV,具有较好的光电效应、热电性能和整流效应;与块体相比,纳米结构Bi2S3的吸收波长与荧光发射发生蓝移,而且还能产生非线性光学响应,具有更优异的光电催化活性。在发光材料、非线性光学材料、光催化材料、热电冷却技术和光电子等方面有着广阔的应用前景;而二硫化钥作为重要的过渡金属硫化物,其具有类似石墨片层的层状结构,层内是很强的共价键,层间则是很弱的范德华尔斯力,层与层很容易剥离,具有良好的摩擦学性能;随着纳米技术的兴起,各种纳米二硫化钥颗粒因其特殊的尺寸和界面效应,引起人们的广泛关注,被广泛应用于固体润滑、锂电、气敏等领域。有关Bi2S3_MoS2复合材料的报道较少,特别是对Bi2S3_MoS2纳米异质结构的控制,合成Bi2S3-MoS2纳米异质复合材料性能得到了一定的提升,特别是光催化、锂电性及摩擦学性能等;本专利技术以Bi盐参与水热反应,合成了 Bi2S3-MoS2纳米异质结构,且产率高,形貌均一,具有良好的应用前景。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种成本低廉、工艺简单及产率高的Bi2S3_MoS2纳米异质结构的制备方法。上述目的是通过如下技术方案实现的:(1)配制溶液:按比例称取Na2Mo04、Na2S、还原剂及可溶性铋盐,溶于去离子水中,溶解得到溶液;(2)将 ...
【技术保护点】
一种Bi2S3?MoS2纳米异质结构的合成方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)配制溶液:按比例称取Na2MoO4、Na2S、还原剂及可溶性铋盐,溶于去离子水中,溶解得到溶液;(2)将步骤(1)得到的溶液搅拌均匀,充分溶解后,移入不锈钢反应釜,密封,恒温反应后,自然冷却至室温,得到反应产物;(3)离心分离上述反应产物,洗涤,干燥后,得到Bi2S3?MoS2纳米片。
【技术特征摘要】
1.一种Bi2S3-MoS2纳米异质结构的合成方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)配制溶液:按比例称取Na2Mo04、Na2S、还原剂及可溶性铋盐,溶于去离子水中,溶解得到溶液;(2)将步骤(1)得到的溶液搅拌均匀,充分溶解后,移入不锈钢反应釜,密封,恒温反应后,自然冷却至室温,得到反应产物;(3)离心分离上述反应产物,洗涤,干燥后,得到Bi2S3-MoS2纳米片。2.根据权利要求1所述的一种Bi2S3-MoS2纳米异质结构的合成方法,其特征在于,所述可溶性铋盐为含铋无机盐或含铋的有机盐,具体为Bi2 (S04) 3、Bi (NO) 3、醋酸铋或草酸铋。3.根据权利要求1所述的一种Bi2S3-MoS2纳米异质结构的合成方法,其特征在于,所述反应...
【专利技术属性】
技术研发人员:唐华,唐国钢,张杜,王瑜琪,李长生,
申请(专利权)人:江苏大学,
类型:发明
国别省市:
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