一种用于补偿非线性电容以尽量减小谐波失真的电路制造技术

技术编号:9767946 阅读:251 留言:0更新日期:2014-03-15 21:49
一种用于补偿非线性电容以尽量减小谐波失真的电路,可以改善晶体管结的寄生电容,而且独立于所采用的工艺技术。在优选实例中,通过在操作期间为集成电路内的寄生二极管提供一对作用成反比的二极管,电路中晶体管的寄生电容被线性化。如果没有本发明专利技术的二极管,不同的输入信号将引起寄生电容的变化,从而导致电路发生谐波失真。本发明专利技术的另一种实例还提供了互补晶体管。上述互补晶体管形成另一种寄生电容,此寄生电容基本上与晶体管中的寄生电容相反。此外,根据不同元件的比例,上述两种方法可以相结合,例如,在利用互补晶体管技术的同时可以添加额外的二极管。

【技术实现步骤摘要】
—种用于补偿非线性电容以尽量减小谐波失真的电路
:本专利技术涉及晶体管的寄生电容,特别是在跟踪和保持(T/H)电路或与T/H电路相结合的其他电路中。更具体地,本专利技术涉及最小化T/H和其他电路中非线性电容的电路和方法。
技术介绍
:T/H电路用于根据输入保持一个恒定幅度的输出,例如在一个模拟-数字转换器(ADC)中。因此,T/H电路可能对系统精度要求较高,包括由ADC创建的任何数据的精度。该T/H电路通常工作在两种不同的模式中,即“跟踪模式”和“保持模式”。在跟踪模式下,T/H电路一般作为输入电压跟随器。在保持模式下,T/H电路在时间保持模式启动时保持此输入信号作为输出信号。T/H电路通常通过简单的触发器在模式之间切换。当T/H电路被触发回跟踪模式时,T/H电路的输出恢复为输入电压。有许多已知的T/H电路。例如,一个简单的T/H电路可以通过使用金属氧化物半导体(MOS)晶体管和一个电容创建。这种简单的MOS晶体管T/H电路的一个缺点是:晶体管的寄生电容随着晶体管结两端的电压非线性变化。寄生电容尤其在跟踪模式期间对电路影响较大,此时晶体管导通并且输入电压的变化引起电容变化。寄本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于补偿非线性电容以尽量减小谐波失真的电路,其特征是:在偏置电压端提供一个偏置电压;采用一个晶体管,它有源极、漏极和栅极;一个电容耦合在漏极和地之间;第一个二极管耦合在晶体管的漏极和偏置电压端之间,用于补偿漏极端子的寄生结电容;第二个二极管耦合在晶体管的源极和偏置电压端之间,用于补偿源极端子的寄生结电容。

【技术特征摘要】
1.一种用于补偿非线性电容以尽量减小谐波失真的电路,其特征是:在偏置电压端提供一个偏置电压;采用一个晶体管,它有源极、漏极和栅极;一个电容耦合在漏极和地之间;第一个二极管耦合在晶体管的漏极和偏置电压端之间,用于补偿漏极端子的寄生结电容;第二个二极管耦合在晶体管的源极和偏置电压端之间,用于补偿源极端子的寄生结电容。2.根据权利要求1所述的一种用于补偿非线性电容以尽量减小谐波失真的电路,其特征是:在上述晶体管的源极接收变化的输入电压;在晶体管的栅极接收触发信号;在晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人
申请(专利权)人:苏州贝克微电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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