一种可优化VCO相位噪声性能的新型开关结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种可优化VCO相位噪声性能的新型开关结构，包括三个栅极共连并与控制电压连接的MOS开关管；第二MOS开关管、第三MOS开关管的源极接地，漏极分别与第一MOS开关管的源极和漏极连接，还包括两个MOS电容管，两个MOS电容管的栅极分别连接到第一MOS开关管的源极和漏极；两个MOS电容管的源极共连至地；两个MOS电容管的漏极均接地。本实用新型专利技术通过加入非线性电容补偿电路，很好的补偿了在开关断开时的开关非线性寄生电容对VCO相位噪声的影响。该改进结构在开关全部断开时对压控振荡器的相位噪声性能有良好的改善，并且在开关全部导通时对电路几乎没有影响，可大大提高VCO的高频段相位噪声性能。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种高性能射频锁相环芯片设计，尤其涉及一种可优化VCO相位噪声性能的新型开关结构，属于半导体集成电路

技术介绍
锁相环作为时钟频率合成模块或者射频芯片中的本振频率合成模块，在各种芯片产品中有着广泛的应用。随着电子产业的发展以及各种新的通信标准的提出，人们对单芯片集成更多通信协议的要求越来越高，不同通信协议占用频带的不同意味着锁相环在保证良好相位噪声性能的同时需要有更宽的频率覆盖范围。经典的模拟锁相环电路模块包括:鉴频鉴相器(PFD)、模拟环路滤波器(LPF)、压控振荡器(VC0)、分频器等；与模拟锁相环不同，数字锁相环采用TDC替代鉴频鉴相器，数字滤波器替代模拟滤波器，数控振荡器(DCO)替代压控振荡器(VCO)。VCO或者是DC0，作为锁相环的主要组成部分，其相位噪声性能直接影响整个锁相环的相位噪声性能。在锁相环系统设计中为了保证合理的振荡器增益，宽频率覆盖范围的锁相环往往通过在振荡器中加入更多的开关改变谐振腔的电容值实现，如图7所示。但是CMOS工艺中开关的非理想特性会严重恶化振荡器的相位噪声性能。传统宽频率覆盖范围VCO电路中开关电路结构如图1所示。开关由本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可优化VCO相位噪声性能的新型开关结构，包括三个栅极共连并与控制电压连接的第一MOS开关管、第二MOS开关管、第三MOS开关管；所述第二MOS开关管、第三MOS开关管的源极接地，漏极分别与第一MOS开关管的源极和漏极连接，其特征是，还包括两个MOS电容管，两个MOS电容管的栅极分别连接到所述第一MOS开关管的源极和漏极；两个MOS电容管的源极共连至地；两个MOS电容管的漏极均接地。

【技术特征摘要】
1.一种可优化VCO相位噪声性能的新型开关结构，包括三个栅极共连并与控制电压连接的第一 MOS开关管、第二 MOS开关管、第三MOS开关管；所述第二 MOS开关管、第三MOS开关管的源极接地，漏极分别与第一 MOS开关管的源极和漏极连接，其特征是，还包括两个MOS电容管，两个M...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国儒，李云初，戴惜时，
申请(专利权)人：苏州云芯微电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：