一种低相位噪声的电感电容压控振荡器制造技术

本发明专利技术公开了一种低相位噪声的电感电容压控振荡器，包括第一镜像恒流源、第二镜像恒流源、压控振荡器，所述电感电容压控振荡器还包括动态电流源噪声抑制电路，所述第一镜像恒流源的输出连接至所述动态电流源噪声抑制电路以作为后续电路的偏置，所述所述动态电流源噪声抑制电路受控于所述压控振荡器的输出，用于在所述压控振荡器的输出高出阈值后关断偏置电流，其输出连接至所述第二镜像恒流源，本发明专利技术通过在压控振荡器的振荡幅度大于某个阈值之后，把第二镜像恒流源关断，使振荡器靠谐振腔中储存的能量继续振荡，达到降低第二镜像恒流源噪声传递到谐振腔的噪声能量，进而降低相位噪声的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种低相位噪声的电感电容压控振荡器
本专利技术涉及一种电感电容压控振荡器，特别是涉及一种动态电流源噪声抑制的低相位噪声的电感电容压控振荡器。
技术介绍
低相位噪声的电感电容压控振荡器是锁相环中不可或缺的模块，也是现代通信系统中不可或缺的本振信号产生模块，当前常用的几种电感电容压控振荡器中，电流源的噪声贡献了相位噪声的主要部分。图1为现有技术中3种典型电感电容压控振荡器，基准电流源I5、I6、I7产生基准电流，NMOS管M7-M8或NMOS管M11-12或NMOS管M13-14组成1：N的第一镜像恒流源，第一镜像恒流源的输出再连接至PMOS管M1-M2或PMOS管M17-M18或PMOS管M21-M22组成1：M的第二镜像恒流源，NMOS管M3-M4、PMOS管M5-M6交叉耦合与可变电容C2-C3、电容C6-C7、电感L1组成压控振荡电路，或PMOS管M15-16交叉耦合与可变电容C4-5、电容C8-9、电感L2组成压控振荡电路，或NMOS管M9-10交叉耦合与可变电容C10-11、电容C12-13、电感L4组成压控振荡电路，第二镜像恒流源的输出连接至压控振荡电路，并在第二镜像恒流源本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低相位噪声的电感电容压控振荡器，包括第一镜像恒流源、第二镜像恒流源、压控振荡器，其特征在于：所述电感电容压控振荡器还包括动态电流源噪声抑制电路，所述第一镜像恒流源的输出连接至所述动态电流源噪声抑制电路以作为后续电路的偏置，所述所述动态电流源噪声抑制电路受控于所述压控振荡器的输出，用于在所述压控振荡器的输出高出阈值后关断偏置电流，其输出连接至所述第二镜像恒流源。

【技术特征摘要】
1.一种低相位噪声的电感电容压控振荡器，包括第一镜像恒流源、第二镜像恒流源、压控振荡器，其特征在于：所述电感电容压控振荡器还包括动态电流源噪声抑制电路，所述第一镜像恒流源的输出连接至所述动态电流源噪声抑制电路以作为后续电路的偏置，所述动态电流源噪声抑制电路受控于所述压控振荡器的输出，用于在所述压控振荡器的输出高出阈值后关断偏置电流，其输出连接至所述第二镜像恒流源；所述第二镜像恒流源将所述动态电流源噪声抑制电路输出的偏置电流镜像为一较大电流供给所述压控振荡器；所述动态电流源噪声抑制电路包括串联连接的第五PMOS管与第六PMOS管，所述第六PMOS管漏极接所述第一镜像恒流源输出端，源极连接所述第五PMOS管漏极，所述第五PMOS管源极连接至第二镜像恒流源的偏置输入端，所述第五PMOS管与第六PMOS管的栅极分别接所述压控振荡器的两输出端。2.如权利要求1所述的一种低相位噪声的电感电容压控振荡器，其特征在于：所述第一镜像恒流源将基准电流源按1：N镜像为一较大电流输出至所述动态电流源噪声抑制电路用作后续电路的偏置，其中，N为大于1的正整数。3.如权利要求2所述的一种低相位噪声的电感电容压控振荡器，其特征在于：所述第一镜像恒流源至少包括基准电流源、栅漏相连的第七NMOS管以及作为镜像输出管的第八...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈丹凤，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31