一种CMOS压控振荡器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种CMOS压控振荡器，包括互补交叉耦合晶体管差分对和LC并联谐振回路；所述LC并联谐振回路的两端分别与互补交叉耦合晶体管差分对的差分输出端VOUT+、差分输出端VOUT-连接；本实用新型专利技术提出了一种新的可变电容结构，其中包括三对并联连接的增强型PMOS可变电容管和两个电压转换器，该电压转换器除产生初始的控制电压VC外，还产生两个额外的控制电压VC-low和VC-high，这三个电压分别用于控制三对增强型PMOS管，该结构在很大程度上提高了可变电容的C-V特性，同时对频率调节范围的线性度影响不大。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电学领域，具体涉及一种CMOS压控振荡器。
技术介绍
压控振荡器是射频收发系统比较重要的一部分,而由于缺乏高Q质的可变电容，所以在CMOS工艺中，高频调节范围的线性度成为设计的一个挑战。在CMOS工艺中有两种类型的MOS变容二极管：一种为增强型可变电容(AMOS)，另一种为反型层可变电容(IMOS)，这两者都表现出高度非线性C-V特性，从而导致VCO的频率调节范围呈非线性。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本技术提供了一种CMOS压控振荡器，该CMOS压控振荡器通过本技术通过以下技术方案得以实现。本技术提供的一种CMOS压控振荡器，包括互补交叉耦合晶体管差分对和LC并联谐振回路；所述LC并联谐振回路的两端分别与互补交叉耦合晶体管差分对的差分输出端VOUT+、差分输出端VOUT-连接。所述互补交叉耦合晶体管差分对包括一组PMOS晶体管差分对和一组NMOS晶体管差分对，所述PMOS晶体管差分对包括PMOS晶<br>体管M7和PM本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种CMOS压控振荡器，包括互补交叉耦合晶体管差分对和LC并联谐振回路，其特征在于：所述LC并联谐振回路的两端分别与互补交叉耦合晶体管差分对的差分输出端VOUT+、差分输出端VOUT‑连接。

【技术特征摘要】
1.一种CMOS压控振荡器，包括互补交叉耦合晶体管差分对和
LC并联谐振回路，其特征在于：所述LC并联谐振回路的两端分别与
互补交叉耦合晶体管差分对的差分输出端VOUT+、差分输出端
VOUT-连接。
2.如权利要求1所述的CMOS压控振荡器，其特征在于：所述互
补交叉耦合晶体管差分对包括一组PMOS晶体管差分对和一组NMOS
晶体管差分对，所述PMOS晶体管差分对包括PMOS晶体管M7和
PMOS晶体管M8，所述NMOS晶体管差分对包括NMOS晶体管M5和
NMOS晶体管M6；所述PMOS晶体管M7的源级和PMOS晶体管M8的
源级均与电源VDD端连接，所述PMOS晶体管M7的栅极与PMOS晶体
管M8的漏极连接，所述PMOS晶体管M7的漏极与PMOS晶体管M8的
栅极连接；所述NMOS晶体管M5的源级和NMOS晶体管M6的源级均
与电源地VSS端连接，所述NMOS晶体管M5的栅极和NMOS晶体管
M6的漏极连接，所述NMOS晶体管M5的漏极和NMOS晶体管M6的栅
极连接。
3.如权利要求1所述的CMOS压控振荡器，其特征在于：所述LC
并联谐振回路由电感L0和可变电容并联构成。
4.如权利要求3所述的CMOS压控振荡器，其特征在于：所述可
变电容包括PMOS可变电容晶体管和电压转换电路，所述电压转换电
路的电压输出端与PMOS可变电容管的控制电压输入端连接。
5.如权利要求4所述的CMOS压控振荡器，其特征在于：所述电

【专利技术属性】
技术研发人员：杨洁，邹江，彭侨，
申请(专利权)人：遵义师范学院，
类型：新型
国别省市：贵州;52