温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本实用新型公开了一种可优化VCO相位噪声性能的新型开关结构,包括三个栅极共连并与控制电压连接的MOS开关管;第二MOS开关管、第三MOS开关管的源极接地,漏极分别与第一MOS开关管的源极和漏极连接,还包括两个MOS电容管,两个MOS电容管的...该专利属于苏州云芯微电子科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过苏州云芯微电子科技有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本实用新型公开了一种可优化VCO相位噪声性能的新型开关结构,包括三个栅极共连并与控制电压连接的MOS开关管;第二MOS开关管、第三MOS开关管的源极接地,漏极分别与第一MOS开关管的源极和漏极连接,还包括两个MOS电容管,两个MOS电容管的...