【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于集成电路设计
，尤其涉及基于共源放大电路MOS管的栅极非线性电容的补偿方法。
技术介绍
集成电路中的共源极放大器的的输入信号电压Vin与栅漏极之间的电压Vgs是非线性关系。例如附图说明图1所示的共源极放大器等效电路，其中Rs为信号源内阻，A为NMOS的漏源寄生电阻，Rl为放大器的负载。使用密勒效应对图1进行等效，等效后的电路如图2所示。由密勒定理可知，Cgdl = Cgd(1-Av)，Cgd2 = Cgd(1-AvH)，其中
【技术保护点】
基于共源放大电路中MOS管电压非线性输出的补偿方法，其特征在于在所述共源放大电路的MOS管M1的栅极连接一有源电感电路。
【技术特征摘要】
2012.10.30 CN 201210424181.11.基于共源放大电路中MOS管电压非线性输出的补偿方法，其特征在于在所述共源放大电路的MOS管Ml的栅极连接一有源电感电路。2.根据权利要求1所述的基于共源放大电路中MOS管电压非线...
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