半导体器件及其制造方法以及电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够抑制有机半导体膜因应力而产生特性劣化的半导体器件及其制造方法以及电子装置，所述半导体器件包括：门电极；用于形成沟道的有机半导体膜；以及一对源漏电极，其形成于所述有机半导体膜上，所述一对源漏电极分别包括依次层叠的连接层、缓冲层及布线层。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法以及电子装置
本专利技术涉及一种半导体器件（例如薄膜晶体管（TFT））及其制造方法、以及一种包括所述半导体器件的电子装置。
技术介绍
一般而言，在大气中的氧气及水分的影响下，有机半导体材料容易劣化。因此，在使用有机半导体材料的薄膜晶体管（有机晶体管）中，存在特性（例如载流子迁移率）因暴露于大气中而劣化的缺点。为解决上述缺点，例如，在未经审查的日本专利申请公开案第2006-156985（JP2006-156985A）号中公开一种其中保护膜设置于有机半导体膜与由树脂制成的密封层之间的有机晶体管。在所述有机晶体管中，因为所述保护膜能抑制氧气及水分侵入至所述有机半导体膜中，所以能抑制所述有机晶体管因氧气及水分而产生特性劣化。然而，在其中与JP2006-156985A所述的有机晶体管中一样形成保护膜的情形中，存在以下缺点：在硬化用于密封层的树脂材料时所产生的应力会损伤有机半导体膜，导致特性的劣化。因此，例如，在未经审查的日本专利申请公开案第2011-49221（JP2011-49221A）号中公开一种其中用于部分地抑制氧气及水分侵入的保护膜具有两层式结构的有机晶体管。具体而言，所述保护膜由第一保护膜及第二保护膜构成，所述第一保护膜在有机半导体膜上被分隔开，所述第二保护膜用于覆盖所述有机半导体膜的通过分隔开所述第一保护膜而暴露的部分以及所述第一保护膜的一部分。通过此种构造，能缓和在硬化树脂材料时所产生的应力。然而，仅通过与JP2011-49221A中那样分隔开用于覆盖有机半导体膜的保护膜不能充分缓和施加至有机半导体膜的应力，因此不能充分解决因应力而产生的特性劣化的问题。
技术实现思路
本专利技术期望提供能够抑制有机半导体膜因应力而产生特性劣化的半导体器件及其制造方法、以及电子装置。根据本专利技术的实施例，提供一种半导体器件，其包括：门电极；用于形成沟道的有机半导体膜；以及一对源漏电极，其形成于所述有机半导体膜上，所述一对源漏电极分别包括依次层叠的连接层、缓冲层及布线层。根据本专利技术的实施例，提供一种半导体器件，其包括：门电极；用于形成沟道的有机半导体膜；以及一对源漏电极，其形成于所述有机半导体膜上，所述一对源漏电极分别包括依次层叠的连接缓冲层及布线层，所述连接缓冲层包括电连接材料及缓冲材料。根据本专利技术的实施例，提供一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成门电极；形成用于形成沟道的有机半导体膜；以及在所述有机半导体膜上依次形成连接层、缓冲层及布线层以作为一对源漏电极。根据本专利技术的实施例，提供一种电子装置，所述电子装置具有显示部及用于驱动所述显示部的半导体器件，所述半导体器件包括：门电极；用于形成沟道的有机半导体膜；以及一对源漏电极，其形成于所述有机半导体膜上，所述一对源漏电极分别包括依次层叠的连接层、缓冲层及布线层。在根据本专利技术各实施例的半导体器件及其制造方法、以及电子装置中，所述源漏电极中的每一者均具有其中连接层、缓冲层及布线层从有机半导体膜侧依次层叠的层叠结构。因此能减小施加至有机半导体膜的应力。在根据本专利技术各实施例的半导体器件及其制造方法、以及电子装置中，所述源漏电极中的每一者均由包括布线层及设置于所述布线层与有机半导体膜之间的缓冲层的所述多个层构成。因此能减小从例如布线层施加至有机半导体膜的应力，并能够抑制特性的劣化。应理解，上述总体说明及以下详细说明均为示例性的，并旨在进一步解释所要求保护的技术。附图说明附图用于使读者进一步理解本专利技术，且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图图示各实施例并与本说明书一起用于解释本专利技术技术的原理。图1是根据本专利技术第一实施例的薄膜晶体管的剖视图；图2A是以步骤顺序图示制造图1所示薄膜晶体管的方法的剖视图；图2B是图示图2A的步骤的下一步骤的剖视图；图2C是图示图2B的步骤的下一步骤的剖视图；图2D是图示图2C的步骤的下一步骤的剖视图；图2E是图示图2D的步骤的下一步骤的剖视图；图2F是图示图2E的步骤的下一步骤的剖视图；图3是包括图1所示薄膜晶体管的显示单元的剖视图；图4是图示图3所示显示单元的整体构造的视图；图5是图示图4所示像素驱动电路的示例的电路图；图6是根据本专利技术第二实施例的薄膜晶体管的剖视图；图7A是以步骤顺序图示制造图6所示薄膜晶体管的方法的剖视图；图7B是图示图7A的步骤的下一步骤的剖视图；图7C是图示图7B的步骤的下一步骤的剖视图；图8是图示图7A的步骤的下一步骤的另一示例的剖视图；图9A是以步骤顺序图示根据变化例1的制造薄膜晶体管的方法的剖视图；图9B是图示图9A的步骤的下一步骤的剖视图；图10是根据变化例2的薄膜晶体管的剖视图；图11是根据变化例3的薄膜晶体管的剖视图；图12是图示根据变化例4的薄膜晶体管的示例的剖视图；图13是图示根据变化例4的薄膜晶体管的另一示例的剖视图；图14是图示上述各实施例等的薄膜晶体管的应用示例1的外观的透视图；图15A是图示应用示例2的从正面侧观察到的外观的透视图；图15B是图示应用示例2的从背面侧观察到的外观的透视图；图16是图示应用示例3的外观的透视图；图17是图示应用示例4的外观的透视图；图18A图示应用示例5处于合上状态时的正视图、左侧视图、右侧视图、俯视图及仰视图；以及图18B图示处于敞开状态的应用示例5的正视图及侧视图。具体实施方式以下将参照附图详细阐述本专利技术的优选实施例。将按以下顺序进行阐述。1.第一实施例（具有连续的缓冲层的薄膜晶体管的示例：底栅结构）1-1.薄膜晶体管的构造1-2.制造方法1-3.半导体器件的整体构造1-4.功能及效果2.第二实施例（具有不连续的缓冲层的薄膜晶体管的示例）3.变化例1（制造方法的另一示例）4.变化例2（具有连续的缓冲层的薄膜晶体管的示例：顶栅结构）5.变化例3（具有连续的缓冲层的薄膜晶体管的示例：顶栅结构）6.变化例4（其中连接层与混合层合并为一个层的薄膜晶体管的示例）7.应用示例（包括电路基板的显示单元及电子装置的示例）[第一实施例][1-1.薄膜晶体管的构造]图1图示根据本专利技术第一实施例的底栅及顶部接触式薄膜晶体管（薄膜晶体管10）的剖面构造。薄膜晶体管10是使用有机半导体材料作为半导体膜的TFT，且可被用作例如有机EL显示器的驱动元件等。在薄膜晶体管10中，门电极12、门极绝缘膜13、用于形成沟道区域的有机半导体膜（半导体膜14）及一对源漏电极（源电极15A及漏电极15B）依次设置于基板11上。在本实施例中，源电极15A与漏电极15B中的每一者由多个层（在此情形中为三个层）构成，且具有其中连接层15a、缓冲层15b及布线层15c从半导体膜14侧依次层叠的构造。对基板11而言，除玻璃基板外，例如可使用由例如聚醚砜、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚缩醛、聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚醚醚酮、聚烯烃等制成的塑料基板；由例如铝（Al）、镍（Ni）、铜（Cu）、不锈钢等制成且表面经过绝缘处理的金属箔基板；纸材等。此外，可在基板上形成功能膜，例如形成用于改善粘着性及平坦度的缓冲层以及用于改善阻气特性的阻障膜。此外，如果能够在不加热基板11的情况下通过例如溅射法等形成半导体膜14，则可将便宜的塑料膜用于基板11。门电极12具有施加门极电压至薄膜晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其包括：门电极；用于形成沟道的有机半导体膜；以及一对源漏电极，其形成于所述有机半导体膜上，所述一对源漏电极分别包括依次层叠的连接层、缓冲层及布线层。

【技术特征摘要】
2012.08.21 JP 2012-1824651.一种半导体器件，其包括：门电极；用于形成沟道的有机半导体膜；以及一对源漏电极，其形成于所述有机半导体膜上，所述一对源漏电极分别包括依次层叠的连接层、缓冲层及布线层，其中，所述缓冲层包括聚乙撑二氧噻吩。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述缓冲层是连续或不连续地形成的。3.如权利要求1或2所述的半导体器件，其中，所述缓冲层包括导电的有机材料、导电的无机材料以及它们的混合材料之一。4.如权利要求1或2所述的半导体器件，其中，所述缓冲层包括绝缘材料、所述绝缘材料与导电的有机材料的混合材料、以及所述绝缘材料与导电的无机材料的混合材料之一。5.如权利要求3所述的半导体器件，其中，所述导电的有机材料为聚吡咯或聚乙炔。6.如权利要求3所述的半导体器件，其中，所述导电的无机材料为碳纳米管、炭黑、氧化钼、氧化钛及氧化铟锡之一。7.如权利要求4所述的半导体器件，其中，所述绝缘材料为硅珠。8.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述有机半导体膜设置于所述门电极与所述一对源漏电极之间。9.如权利要求8所述的半导体器件，其中，所述门电极、所述有机半导体膜及所述一对源漏电极依次设置于基板上。10.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：石井由威，小野秀树，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：