【技术实现步骤摘要】
一种使用OTB设备沉积氮化硅梯度渐变膜的方法
本专利技术涉及一种沉积氮化硅膜的方法，具体涉及一种使用OTB设备沉积氮化硅梯度渐变膜的方法。
技术介绍
目前，太阳能电池是将光能转化成电能的一种半导体器件，在制备这种半导体器件的工序中，沉积正面的氮化硅减反射膜是一道重要的工序。氮化硅的沉积为太阳能电池正面提供两个方面的作用:一是降低前表面对太阳光谱的反射，即减反射作用；二是饱和娃的悬挂键，降低表面复合。氮化娃的沉积方式有两种:一种是直接沉积方式，一般米用管式PECVD，这种沉积方式的氮化硅一般能提供较好的表面钝化效果，并且可以沉积双层膜；另一种是间接沉积方式，一般采用板式PECVD，这种沉积方式的氮化硅的表面钝化相对差些，但膜的均匀性较好，且镀膜时间短，产量大。此外，此种沉积方式的膜一般为单层膜，在减反射方面效果稍差。OTB氮化硅沉积设备是板式PECVD，所以其沉积的氮化硅膜的钝化效果相比管式PECVD差，且减反射效果较管式PECVD沉积的双层氮化硅差。因此本技术专利技术将设计一种使用OTB板式PECVD沉积氮化硅渐变膜的方法，以提高表面的钝化和减反射，进一步提闻太阳能电池的效率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种使用OTB设备沉积氮化硅梯度渐变膜的方法，提高氮化硅膜的钝化性和减反射特性，进一步提高太阳能电池的效率。本专利技术解决技术问题所采用的技术方案是:一种使用OTB设备沉积氮化硅梯度渐变膜的方法，包括5个source源，其特征在于:控制source源的电流,将I号、2号、3号source源的电流设置为85 A~90A ;将4号...
【技术保护点】
一种使用OTB设备沉积氮化硅梯度渐变膜的方法，包括5个source源，其特征在于：控制source源的电流，将1号、2号、3号source源的电流设置为85?A～90A；将4号、5号source源的电流设置为95A～100A。
【技术特征摘要】
1.一种使用OTB设备沉积氮化硅梯度渐变膜的方法，包括5个source源，其特征在于:控制source源的电流，将I号、2号、3号source源的电流设置为85 A~90A ;将4号、5号source源的电流设...
【专利技术属性】
技术研发人员：苗凤秀，陈康平，金浩，黄琳，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：
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