一种光电二极管及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施例提供了一种光电二极管及显示装置，涉及显示技术领域，可提高光的利用率；该光电二极管包括多个图案层；所述多个图案层层叠设置，其中每个图案层的上下表面的面积均大于所述每个图案层的投影面积。用于显示装置的制造。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
—种光电二极管及显示装置
本技术涉及显示
，尤其涉及一种光电二极管及显示装置。
技术介绍
显示技术在近十年有了飞速地发展，从屏幕的尺寸到显示的质量都取得了很大进步。各厂家在不断提高产品性能的同时，也在不断努力降低产品的生产成本，从而提高市场的竞争力。目前，以液晶显示器(liquid crystal display,简称IXD)为例,背光源是IXD的主要组成部分，但是由于液晶显示器开口率、原材料透过率等因素的影响，背光源发出的光线只有极少数能透过液晶屏被人们感知，剩余的光线都转换成为了热能，提高了对液晶显示模块散热性的要求，并且造成了能源的极大浪费。因此提高背光源发出光线的利用率成为了目前各个厂商普遍努力的主要方向之一。
技术实现思路
本技术的实施例提供一种光电二极管及显示装置，可提高光的利用率。为达到上述目的，本技术的实施例采用如下技术方案:—方面，提供一种光电二极管，包括多个图案层；所述多个图案层层叠设置，其中每个图案层的上下表面的面积均大于所述每个图案层的投影面积。可选的，所述每个图案层的上下表面的形状均为锯齿形状。进一步可选的，所述光电二极管包括P型硅图案层、N型硅图案层、以及设置在所述P型硅图案层和所述N型硅图案层之间的本征硅图案层。另一方面，提供一种显示装置，包括上述的光电二极管。可选的，所述显示装置包括阵列基板和对盒基板；所述光电二极管设置在所述阵列基板和/或对盒基板的非透光区。进一步可选的，所述阵列基板包括:设置在第一衬底基板上的薄膜晶体管；所述光电二极管设置在所述薄膜晶体管与所述第一衬底基板之间。进一步地，所述薄膜晶体管包括金属栅极，所述光电二极管设置在所述栅极与所述第一衬底基板之间；所述显示装置还包括:设置在所述光电二极管与所述第一衬底基板之间的透明导电图案层；其中，所述第一衬底基板为柔性衬底基板；所述栅极、所述光电二极管、所述透明导电图案层层叠设置，且所述栅极和所述透明导电图案层的形状与所述光电二极管的形状相同；所述栅极和所述透明导电图案层用于提供所述光电二极管的工作电极，且所述透明导电图案层还用于导出电能。进一步优选的，所述薄膜晶体管还包括透明导电的源极和漏极。可选的，所述对盒基板包括:设置在第二衬底基板上的黑矩阵；所述光电二极管设置在所述黑矩阵相对所述液晶层一侧；和/或所述光电二极管设置在所述黑矩阵与所述第二衬底基板之间。可选的，所述显示装置包括设置在第三衬底基板上的阳极、阴极、以及设置在所述阳极和阴极之间的有机发光层；所述光电二极管设置在所述第三衬底基板和靠近所述第三衬底基板的电极之间。本技术实施例提供了一种光电二极管及显示装置，该光电二极管包括多个图案层，所述多个图案层层叠设置且每个图案层的上下表面的面积均大于所述每个图案层的投影面积；本技术实施例提供的所述光电二极管在实现光电转换功能的同时，由于所述光电二极管的每个图案层的上下表面的面积，比传统光电二极管的每个图案层的上下表面的面积更大，可以更有效的提高光的利用率。【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例提供的一种光电二极管的形状示意图；图2为本技术实施例提供的一种光电二极管的结构示意图；图3为本技术实施例提供的一种光电二极管设置在阵列基板上的结构示意图一；图4为本技术实施 例提供的一种光电二极管设置在阵列基板上的结构示意图二 ；图5为本技术实施例提供的一种光电二极管设置在对盒基板上的结构示意图一；图6为本技术实施例提供的一种光电二极管设置在对盒基板上的结构示意图二 ；图7为本技术实施例提供的一种光电二极管设置在对盒基板上结构示意图二图8为本技术实施例提供的一种包括光电二极管的有机电致发光二极管显示装置的结构示意图。附图标记:10-光电二极管；101-P型硅图案层；102_本征硅图案层；103_N型硅图案层；104-透明导电图案层；201_第一衬底基板；202_薄膜晶体管；2021_栅极；2022_栅绝缘层；2023-半导体有源层；2024_源极；2025_漏极；203_像素电极；301_第二衬底基板；302_黑矩阵；601_第三衬底基板；602-阳极；603-阴极；604_有机发光层。【具体实施方式】下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术实施例提供了一种光电二极管10，如图1至图2所示，该光电二极管10包括多个图案层；所述多个图案层层叠设置，其中每个图案层的上下表面的面积均大于所述每个图案层的投影面积。需要说明的是，第一，本技术实施例不对所述光电二极管10中包括的图案层进行限定，其可以是目前现有的任意一种光电二极管所包含的图案层。第二，多个图案层层叠设置是指，所述多个图案层从上到下依次层叠设置，且位于上方的图案层的下表面的形状与位于下方的图案层的上表面的形状互相弥补，使在接触面的任意位置两个表面均接触。第三，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所述每个图案层的形状，均为本技术的保护范围。本技术实施例提供了一种光电二极管，该光电二极管包括多个图案层，所述多个图案层层叠设置且每个图案层的上下表面的面积均大于所述每个图案层的投影面积；本技术实施例提供的所述光电二极管在实现光电转换功能的同时，由于所述光电二极管的每个图案层的上下表面的面积，比传统光电二极管的每个图案层的上下表面的面积更大，可以更有效的提闻光的利用率。优选的，如图1所示，所述光电二极管10的每个图案层的上下表面的形状可以为锯齿形状。对于所述锯齿形状的倾斜面的角度，以实际需要和工艺难度自行设定，在此不做限定。当然，所述每个图案层的上下表面的形状也可以是包含弧形的其他形状，例如波浪形等。但考虑到在制作所述光电二极管10的工艺的难易度，本技术实施例优选为将所述图案层的上下表面制作成锯齿形状，可以简化工艺过程，节省成本。进一步可选的，如图2所示，所述光电二极管10包括:P型硅图案层101、N型硅图案层103、以及设置在P型硅图案层101和N型硅图案层103之间的本征硅图案层102。本技术实施例还提供了一种显示装置，包括上述的光电二极管10。这样，在该显示装置实现显示的同时，可以通过该光电二极管10将光能转为电能进行利用，提高光的利用率。这里，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下，可以知道当上述的光电二极管10为透明时，可以设置在所述显示装置的任何位置，但优选应该设置在所述显示装置的非透光区；当上述的光电二极管10为不透明时，只能设置在所述显示装置的非透光区，在此不再详述。需要说明的是，本技术的附图3-8仅是简略的示意图，只为清楚描述本方案体现了与发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电二极管，包括多个图案层；其特征在于，所述多个图案层层叠设置，其中每个图案层的上下表面的面积均大于所述每个图案层的投影面积。

【技术特征摘要】
1.一种光电二极管，包括多个图案层；其特征在于，所述多个图案层层叠设置，其中每个图案层的上下表面的面积均大于所述每个图案层的投影面积。2.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述每个图案层的上下表面的形状均为锯齿形状。3.根据权利要求1或2所述的光电二极管，其特征在于，所述光电二极管包括P型硅图案层、N型硅图案层、以及设置在所述P型硅图案层和所述N型硅图案层之间的本征硅图案层。4.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至3任一项所述的光电二极管。5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置包括阵列基板和对盒基板，以及设置在两基板之间的液晶层； 所述光电二极管设置在所述阵列基板和/或对盒基板的非透光区。6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述阵列基板包括:设置在第一衬底基板上的薄膜晶体管； 所述光电二极管设置在所述薄膜晶体管与所述第一衬底基板之间。7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管包括金属栅极，所述光电二极管设置在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：田宗民，阎长江，谢振宇，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：