氢闸流管控制栅极的驱动源制造技术

技术编号:9696732 阅读:218 留言:0更新日期:2014-02-21 04:55
一种氢闸流管控制栅极的驱动源,该驱动源的电源仅由单相~220V供电,包括脉冲变压器,脉冲变压器的初级设有脉冲形成电路,脉冲变压器的次级设置的负偏压生成电路、磁脉冲压缩电路和L-C低通匹配电路。本发明专利技术重量减轻,缩小体积,便于驱动源的一体化;可抑制氢闸流管开关产生高频电磁干扰,避免氢闸流管连通,保护和延长氢闸流管的使用寿命;能确保氢闸流管工作在最佳状态:低延迟,低跳动,低漂移,高重复频率。

【技术实现步骤摘要】
氢闸流管控制栅极的驱动源
本专利技术涉及氢闸流管,特别是一种氢闸流管控制栅极的驱动源。
技术介绍
氢闸流管具有低时间跳动,低阳极着火延迟时间,低阳极着火延迟时间漂移和高阳极脉冲电流上升速率的特点。可用于军事、科研、医疗领域及民用高科技产品,其中包括雷达、激光器、电子加速器、脉冲调制器中作高脉冲重复频率快速上升沿脉冲的大功率开关。氢闸流管的典型工作电路如图1所示,从图1中可知,氢闸流管控制栅极需要双电源:直流电源B和直流电源C,除启动点火一个正触发脉冲外,为缩短消电容时间,提高工作重复频率,栅极还需加ー个负偏压,该负偏压由单独的ー个直流电源B提供。正触发脉冲由直流电源C输出经隔离脉冲变压器直接加到控制栅极G,输出脉冲不理想,上升沿差外,更严重易受闸流管开关过程中产生的高频尖峰干扰,造成闸流管连通,缩短闸流管寿命,易引起主电源控制器等的损坏。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种氢闸流管控制栅极的驱动源,该驱动源具有:1、省去为氢闸流管栅偏压的直流电源,而由其他来替代,既减轻重量,縮小体积,又便于驱动源的一体化;2、抑制氢闸流管开关产生高频电磁干扰,避免氢闸流管连通,保护和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氢闸流管控制栅极的驱动源,特征在于该驱动源的电源仅由单相~220V供电,包括脉冲变压器(TC2),脉冲变压器(TC2)的初级设有脉冲形成电路,脉冲变压器(TC2)的次级设置的负偏压生成电路、磁脉冲压缩电路和L?C低通匹配电路。

【技术特征摘要】
1.一种氢闸流管控制栅极的驱动源,特征在于该驱动源的电源仅由单相?220V供电,包括脉冲变压器(TC2),脉冲变压器(TC2)的初级设有脉冲形成电路,脉冲变压器(TC2)的次级设置的负偏压生成电路、磁脉冲压缩电路和L-C低通匹配电路。2.根据权利要求1所述的氢闸流管控制栅极的驱动源,其特征在于所述的脉冲形成电路包括单相?220V电源、桥堆(D4)、滤波电容(Cl)、隔离二极管(D1)、充电电感(LI)、储能电容(C2)、开关管(VT)、同步脉冲变压器(TCl)和脉冲变压器(TC2),所述的单相?220V电源的两极接所述的桥堆(D4)的两输入端,该桥堆(D4)输出的正极经所述的第I隔离二极管(Dl)、充电电感(LI)接所述的储能电容(C2)的一端,该储能电容(C2)的另一端接所述的脉冲变压器(TC2)的初级的第I端,所述的滤波电容(Cl)的一端接所述的桥堆(D4)的正极与第I隔离二极管(Dl)的正极的节点,所述的开关管(VT)的集电极接所述的充电电感(LI)和储能电容(C2)的节点,所述的开关管(VT)的栅极接所述的同步脉冲变压器(TCl)的次级的第3端,所述的桥堆(D4)输出的负极与滤波电容(Cl)的另一端、所述的同步脉冲变压器(TCl)的次级的第4端、开关管(VT)的发射极和脉冲变...

【专利技术属性】
技术研发人员:丁悦黄加新赵传奇姜阅清
申请(专利权)人:苏州铜威激光有限公司
类型:发明
国别省市:

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