一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置及其制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置，本发明专利技术的半导体装置接一定的反向偏压时，漂移层中第一导电类型的半导体材料和掺氧多晶硅材料形成电荷补偿结构，提高器件的反向击穿电压，降低了器件的导通电阻。本发明专利技术还提供了一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置的制备方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到一种沟槽结构的具有掺氧多晶硅电荷补偿肖特基半导体装置，本专利技术还涉及一种沟槽结构具有掺氧多晶硅电荷补偿肖特基半导体装置的制备方法。本专利技术的半导体装置是制造半导体功率器件的基本结构。
技术介绍
功率半导体器件被大量使用在电源管理和电源应用上，特别涉及到肖特基结的半导体器件已成为器件发展的重要趋势，肖特基器件具有正向开启电压低开启关断速度快等优点，同时肖特基器件也具有反向漏电流大，不能被应用于高压环境等缺点。肖特基二极管最常用为平面布局，传统的平面肖特基二极管漂移区表面，在反向偏压时具有突变的电场分布曲线，因此器件具有较低的反向击穿电压和较大的反向漏电流，同时传统的平面肖特基二极管具有较高的导通电阻。
技术实现思路
本专利技术主要针对上述问题提出，提供。一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置，其特征在于:包括:衬底层，为半导体材料构成；漂移层，为第一导电类型半导体材料构成，位于衬底层之上；多个沟槽位于漂移层中，沟槽内填充有掺氧多晶硅；肖特基势垒结，位于沟槽之间漂移层表面。一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置的制备方法，其特征在于:包括如下步骤:在衬底层表面形成第一导电半导体材料层，然后表面形成绝缘材料层；进行光刻腐蚀工艺去除表面部分绝缘介质，然后刻蚀去除部分裸露半导体材料形成沟槽；在沟槽内进行掺氧多晶硅淀积；反刻蚀掺氧多晶硅，去除表面绝缘材料；淀积势垒金属，进行烧结形成肖特基势垒结。本专利技术的半导体装置接一定的反向偏压时，漂移层中第一导电类型的半导体材料和掺氧多晶硅材料形成电荷补偿结构，提高器件的反向击穿电压，降低器件的导通电阻。【附图说明】图1为本专利技术一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置剖面示意图；图2为本专利技术一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置剖面示意图；图3为本专利技术一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置剖面示意图。其中，1、衬底层；2、二氧化硅；3、漂移层；4、掺氧多晶硅；5、多晶半导体材料；6、肖特基势鱼结；10、上表面电极金属；11、下表面电极金属。【具体实施方式】实施例1图1为本专利技术的一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置的剖面图，下面结合图1详细说明本专利技术的半导体装置。一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置，包括:衬底层1，为N导电类型半导体硅材料，磷原子的掺杂浓度为lE19/cm3 ;漂移层3，位于衬底层I之上，为N传导类型的半导体硅材料，磷原子的掺杂浓度为lE16/cm3 ;掺氧多晶硅4，位于沟槽中，沟槽宽度为2um，沟槽间距为2um ;肖特基势鱼结6,位于半导体材料的表面；上表面电极金属10,位于器件表面，为器件引出阳极；下表面电极金属11，位于器件背面，为器件引出阴极。其制作工艺包括如下步骤:第一步，在衬底层I表面外延生长形成N传导类型的半导体硅材料，形成漂移层3，然后表面热氧化，形成二氧化硅；第二步，进行光刻腐蚀工艺，半导体材料表面去除部分二氧化硅，然后刻蚀去除部分裸露半导体硅材料形成沟槽；第三步，在沟槽内淀积掺氧多晶硅4 ；第四步，反刻蚀掺氧多晶硅4，光刻腐蚀工艺去除沟槽之间漂移层3表面二氧化硅；第五步，淀积势垒金属镍，烧结形成肖特基势垒结6，腐蚀去除金属镍；第六步，淀积上表面电极金属10,光刻腐蚀去除部分上表面电极金属10,为器件引出阳极，进行背面金属化工艺形成下表面电极金属11，为器件引出阴极，如图1所示。实施例2图2为本专利技术的一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置的剖面图，下面结合图2详细说明本专利技术的半导体装置。一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置，包括:衬底层1，为N导电类型半导体硅材料，磷原子的掺杂浓度为lE19/cm3 ;漂移层3，位于衬底层I之上，为N传导类型的半导体硅材料，磷原子的掺杂浓度为lE16/cm3 ;掺氧多晶硅4，位于沟槽中，沟槽宽度为2um，沟槽间距为2um ;二氧化娃2,位于掺氧多晶娃4表面；肖特基势鱼结6,位于半导体材料的表面；上表面电极金属10，位于器件表面和沟槽内，为器件引出阳极；下表面电极金属11，位于器件背面，为器件引出阴极。其制作工艺包括如下步骤:第一步，在衬底层I表面外延生长形成N传导类型的半导体硅材料，形成漂移层3，在表面淀积氮化硅；第二步，进行光刻腐蚀工艺，半导体材料表面去除部分二氧化硅，然后刻蚀去除部分裸露半导体硅材料形成沟槽；第三步，在沟槽内淀积掺氧多晶硅4 ；第四步，反刻蚀掺氧多晶硅4，形成沟槽，进行热氧化，形成二氧化硅2，光刻腐蚀工艺去除沟槽之间漂移层3表面氮化硅；第五步，淀积势垒金属镍，烧结形成肖特基势垒结6，腐蚀去除金属镍；第六步，淀积上表面电极金属10,光刻腐蚀去除部分上表面电极金属10,为器件引出阳极，进行背面金属化工艺形成下表面电极金属11，为器件引出阴极，如图2所示。实施例3图3为本专利技术的一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置的剖面图，下面结合图3详细说明本专利技术的半导体装置。一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置，包括:衬底层1，为N导电类型半导体硅材料，磷原子的掺杂浓度为lE19/cm3 ;漂移层3，位于衬底层I之上，为N传导类型的半导体硅材料，磷原子的掺杂浓度为lE16/cm3 ;掺氧多晶硅4，位于沟槽侧壁，沟槽宽度为2um，沟槽间距为2um ;二氧化硅2，位于沟槽中；肖特基势垒结6，位于半导体材料的表面；上表面电极金属10，位于器件表面和沟槽内，为器件引出阳极；下表面电极金属11，位于器件背面，为器件引出阴极。其制作工艺包括如下步骤:第一步，在衬底层I表面外延生长形成N传导类型的半导体硅材料形成漂移层3，在表面淀积氮化硅；第二步，进行光刻腐蚀工艺，半导体材料表面去除部分二氧化硅，然后刻蚀去除部分裸露半导体硅材料形成沟槽；第三步，在沟槽内壁淀积形成掺氧多晶硅4 ；第四步，反刻蚀掺氧多晶硅4，淀积二氧化硅2，反刻蚀二氧化硅2，，进行热氧化，光刻腐蚀工艺去除沟槽之间漂移层3表面氮化硅；第五步，淀积势垒金属镍，烧结形成肖特基势垒结6，腐蚀去除金属镍；第六步，淀积上表面电极金属10,光刻腐蚀去除部分上表面电极金属10,为器件引出阳极，进行背面金属化工艺形成下表面电极金属11，为器件引出阴极，如图3所示。通过上述实例阐述了本专利技术，同时也可以采用其它实例实现本专利技术，本专利技术不局限于上述具体实例，因此本专利技术由所附权利要求范围限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料构成；漂移层，为第一导电类型半导体材料构成，位于衬底层之上；多个沟槽，位于漂移层中，沟槽内设置有掺氧多晶硅材料；肖特基势垒结，位于沟槽之间漂移层表面。

【技术特征摘要】
1.一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置，其特征在于:包括: 衬底层，为半导体材料构成； 漂移层，为第一导电类型半导体材料构成，位于衬底层之上；多个 沟槽，位于漂移层中，沟槽内设置有掺氧多晶硅材料； 肖特基势垒结，位于沟槽之间漂移层表面。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于:所述的衬底层为高浓度杂质掺杂的第一导电类型半导体材料。3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于:所述的沟槽内掺氧多晶硅表面可以覆盖有绝缘材料。4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于:所述的绝缘材料在沟槽内上部形成沟槽结构，沟槽内填充电极金属或多晶半导体材料。5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于:所述的沟槽内掺氧多晶硅可以位于沟槽侧壁，沟槽内填充绝缘材料。6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于:所述的绝缘材料在沟槽内上部形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱江，
申请(专利权)人：朱江，
类型：发明
国别省市：