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本发明公开了一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置，本发明的半导体装置接一定的反向偏压时，漂移层中第一导电类型的半导体材料和掺氧多晶硅材料形成电荷补偿结构，提高器件的反向击穿电压，降低了器件的导通电阻。本发明还提供了一种沟槽结构电荷补偿肖特基...
该专利属于朱江所有，仅供学习研究参考，未经过朱江授权不得商用。

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