图像拾取装置和图像拾取系统制造方法及图纸

公开了图像拾取装置和图像拾取系统。一种图像拾取装置，包括：其中排列像素的像素部分，像素各自包括把信号电荷作为多数载流子的第一导电型的第一半导体区域，和把信号电荷作为少数载流子的第二导电型的第二半导体区域，第二半导体区域邻接到第一半导体区域，第一半导体区域被布置在第二半导体区域和半导体衬底的表面之间。像素部分包括位于基准触点附近的第一类像素和第二类像素。半导体衬底的表面和第一类像素的第二半导体区域之间的距离小于半导体衬底的表面和第二类像素的第二半导体区域之间的距离。

【技术实现步骤摘要】
图像拾取装置和图像拾取系统
[0001 ] 本公开涉及具有用于供给基准电位的触点的图像拾取装置。本公开还涉及包括滤色器的图像拾取装置。
技术介绍
在作为半导体装置的图像拾取装置的半导体衬底中，对每个像素来说，蓄积在把信号电荷作为多数载流子的第一导电型的半导体区域中的信号电荷由把信号电荷作为少数载流子的第二导电型的半导体区域隔开。向第二导电型的半导体区域供给基准电位的基准触点设置在半导体衬底上。日本专利公开N0.2009-289872和2011-14773描述一种其中衬底触点不是均匀地分布在像素之中而是只分布到特定像素的技术。在图像拾取装置的图像拾取单元中，二维地排列各自包括在半导体衬底内的光电转换元件和在半导体衬底上的滤色器的像素。在日本专利公开N0.2009-26984中公开的固态图像传感器件中，像素具有排列成拜耳图案的相应滤色器。各自包括一个R像素、一个B像素和两个G像素的基本的2X2像素单元被排列成矩阵。在像素中生成的信号电荷与透过像素的滤色器的光的强度相关联，并且根据信号电荷形成彩色图像。如果光实际透过的滤色器和与由光生成的信号电荷相关联的像素的滤色器之间的对应关系不本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像拾取装置，包括：其中排列有像素的像素部分，所述像素各自包括把信号电荷作为多数载流子的第一导电型的第一半导体区域，和把信号电荷作为少数载流子的第二导电型的第二半导体区域，第二半导体区域邻接到第一半导体区域，第一半导体区域被布置在第二半导体区域和半导体衬底的表面之间，其中，两个相邻像素的第一半导体区域由第二导电型的第三半导体区域隔开，所述两个相邻像素的第二半导体区域电连接到第三半导体区域，并且，在半导体衬底的所述表面上，设置通过第三半导体区域向第二半导体区域施加基准电位的基准触点；其中，所述像素部分中的所述基准触点的数目小于所述像素部分中的所述像素的数目的四分之一；其中，所述像素部分包括位...

【技术特征摘要】
2012.08.10 JP 2012-178278;2012.08.10 JP 2012-17821.一种图像拾取装置，包括: 其中排列有像素的像素部分，所述像素各自包括把信号电荷作为多数载流子的第一导电型的第一半导体区域，和把信号电荷作为少数载流子的第二导电型的第二半导体区域，第二半导体区域邻接到第一半导体区域，第一半导体区域被布置在第二半导体区域和半导体衬底的表面之间， 其中，两个相邻像素的第一半导体区域由第二导电型的第三半导体区域隔开，所述两个相邻像素的第二半导体区域电连接到第三半导体区域，并且，在半导体衬底的所述表面上，设置通过第三半导体区域向第二半导体区域施加基准电位的基准触点； 其中，所述像素部分中的所述基准触点的数目小于所述像素部分中的所述像素的数目的四分之一； 其中，所述像素部分包括位于每个基准触点附近的第一类像素和第二类像素，并且所述表面和第一类像素的第二半导体区域之间的距离小于所述表面和第二类像素的第二半导体区域之间的距离；并且 其中，所述基准触点和第一类像素的第一半导体区域之间的距离小于所述基准触点和第二类像素的第一半导体区域之间的距离。2.如权利要求1所述的图像拾取装置，其中，所述像素部分包括:基于第一类像素的信号电荷来生成电信号的第一放大晶体管，和基于第二类像素的信号电荷来生成电信号的第二放大晶体管。3.如权利要求2所述的图像拾取装置，其中，第一放大晶体管基于包括第一类像素的第一像素组中的像素的信号电荷来生成电信号，第二放大晶体管基于包括第二类像素的第二像素组中的像素的信号电荷来生成电信号，第一像素组中的像素被连接到第一浮动扩散区域，并且，第二像素组中的像素被连接到第二浮动扩散区域。4.如权利要求2所述的图像拾取装置，其中，所述基准触点和输出来自第一放大晶体管的电信号的第一输出触点之间的距离小于所述基准触点和输出来自第二放大晶体管的电信号的第二输出触点之间的距离。5.如权利要求2所述的图像拾取装置，其中，所述像素部分包括:复位第一类像素的信号电荷的第一复位晶体管，和复位第二类像素的信号电荷的第二复位晶体管，并且，第一放大晶体管和第二复位晶体管被连接到共同的触点。6.如权利要求1所述的图像拾取装置，其中，所述基准触点被布置在第三半导体区域的一部分上方，所述部分位于第一类像素的第一半导体区域和第二类像素的第一半导体区域之间。7.如权利要求1所述的图像拾取装置，其中，在第一类像素的第一半导体区域和第二类像素的第一半导体区域之间，不设置绝缘体。8.如权利要求1所述的图像拾取装置，其中，所述像素中的每个像素具有传输信号电荷的传输门，并且，在排列第一类像素的第一半导体区域和第二类像素的第一半导体区域的方向上，第一类像素的传输门的传输方向和第二类像素的传输门的传输方向相反。9.如权利要求1所述的图像拾取装置，其中，所述像素部分包括第三类像素；第一类像素包括主透射波长是第一波长的滤色器，该滤色器被布置在半导体衬底的所述表面一侧；第二类像素包括主透射波长是比第一波长长的第二波长的滤色器，该...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩田旬史，乾文洋，渡边高典，篠原真人，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：